[發明專利]一種發光二極管外延片的制備方法有效
| 申請號： | 201810101171.1 | 申請日： | 2018-02-01 |
| 公開（公告）號： | CN108493304B | 公開（公告）日： | 2019-08-02 |
| 發明（設計）人： | 魏曉駿;葛永暉;舒輝;郭炳磊;呂蒙普;李鵬 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 未摻雜氮化鎵層 緩沖層 粘性膜 發光二極管外延 氮化硼層 基底 制備 生長 襯底 半導體技術領域 外延片 再利用 去除 | ||
1.一種發光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
提供設有緩沖層的襯底，所述緩沖層包括氮化硼層；
在所述緩沖層上生長未摻雜氮化鎵層；
在所述未摻雜氮化鎵層上設置粘性膜；
撕除所述粘性膜，使所述未摻雜氮化鎵層在機械應力的作用下與所述緩沖層分離；
將所述未摻雜氮化鎵層鋪設在基底上，使所述未摻雜氮化鎵層在范德華力的作用下固定在所述基底上；
去除所述粘性膜，留下設有所述未摻雜氮化鎵層的基底；
在所述未摻雜氮化鎵層上依次生長N型半導體層、多量子阱層和P型半導體層，形成所述發光二極管外延片。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氮化硼層為六方氮化硼層。
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述氮化硼層的層數為1層～40層。
4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述提供設有緩沖層的襯底，所述緩沖層包括氮化硼層，包括：
控制溫度為1000℃～1200℃，壓力為4×104Pa～6×104Pa，在所述襯底上生長氮化硼層。
5.根據權利要求1～4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述緩沖層還包括氮化鋁層或者氮化鎵層，所述氮化鋁層或者氮化鎵層設置在所述氮化硼層和所述襯底之間。
6.根據權利要求1～4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述未摻雜氮化鎵層的厚度為1μm～2μm。
7.根據權利要求1～4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述在所述未摻雜氮化鎵層上設置粘性膜，包括：
在所述未摻雜氮化鎵層上旋涂聚二甲基硅氧烷，形成所述粘性膜。
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述去除粘性膜，留下設有所述未摻雜氮化鎵層的基底，包括：
將所述粘性膜浸泡在丙酮溶液中，使所述粘性膜溶解在所述丙酮溶液中，留下設有所述未摻雜氮化鎵層的基底。
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