[發明專利]一種復合襯底結構

在審

• 申請號: 201810099954.0
• 申請日: 2018-02-01
• 公開（公告）號: CN108281492A
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發明（設計）人: 趙中陽
• 申請（專利權）人: 北京派克貿易有限責任公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/074;H01L31/109;H01L31/18
• 代理公司: 北京中知法苑知識產權代理事務所(普通合伙) 11226
• 代理人: 常玉明;張蘭海

1.一種復合襯底，具有GaAs基底結構(101)，其特征在于，在GaAs基底結構(101)上設置有本征GaAs層(2)，在本征GaAs層(2)上設置有n型GaAs層(3)，在n型GaAs層上設置有石墨烯層(4)。

2.如權利要求1所述的復合襯底，其特征在于，n型GaAs層為經過蝕刻處形成具有凹槽(105)的圖形化結構，所述凹槽結構(105)的截面為V型或U型結構，所述圖形化結構的凹槽結構(105)的面積占N型GaAs層有效工作面積的10％-60％。

3.如權利要求2所述的復合襯底結構，其特征在于，石墨烯材料層(104)填充至圖形化結構的凹槽(105)之中，并覆蓋在n型GaAs層之上。

4.如權利要求2所述的復合襯底結構，其特征在于，在n型GaAs層的圖形化結構的凹槽結構(105)中設置有石墨烯和GaAs混合材料層(106)。

5.如權利要求2-4之一所述的復合襯底結構，其特征在于，在石墨烯和GaAs混合材料層(106)中的石墨烯包括墨烯顆粒和石墨烯量子點結構，GaAs：石墨烯＝1:2-1:50質量比。

6.一種復合襯底的制作方法，其特征在于，使用GaAs晶元作為基底結構(101)，在GaAs基底結構(101)上制備有本征GaAs層(102)，在所述本征GaAs層(102)上制備有n型GaAs層(103)，在n型GaAs層(103)上制備有石墨烯材料層(104)。

7.如權利要求6所述的復合襯底的制作方法，其特征在于，在制備石墨烯材料層之前，對n型GaAs層進行蝕刻處理，形成具有凹槽(105)的圖形化結構。

8.如權利要求7所述的復合襯底結構，其特征在于，所述圖形化結構的凹槽結構(105)的面積占N型GaAs層有效工作面積的10％-60％。

9.如權利要求8所述的復合襯底結構，其特征在于，在圖形化結構中的凹槽(105)之中填充有石墨烯和GaAs混合材料層(106)。

10.如權利要求9所述的復合襯底結構，其特征在于，在石墨烯和GaAs混合材料層(106)中的石墨烯包括墨烯顆粒和石墨烯量子點結構。