[發明專利]一種太赫茲波段寬帶極化不敏感超材料

有效

• 申請號: 201810096060.6
• 申請日: 2018-01-31
• 公開（公告）號: CN108336505B
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 吳志明;宋美臻
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00
• 代理公司: 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 徐豐;張巨箭

1.一種太赫茲波段寬帶極化不敏感超材料，包括金屬薄膜反射層、中間介質層和圖形化材料層，所述的中間介質層位于金屬薄膜反射層和圖形化材料層之間；

其特征在于：所述的圖形化材料層由金屬圓片堆疊結構排列而成，所述的金屬圓片堆疊結構從下至上依次堆疊有第一復合圓片、第一介質、第二復合圓片、第二介質和第三復合圓片，每層復合圓片半徑從下往上依次減少，且第一介質與第二復合圓片的半徑相同、第二介質與第三復合圓片的半徑相同；每個復合圓片響應一個吸收峰；

所述的金屬圓片堆疊結構的第一復合圓片共有五種半徑，從大至小分別為R1、R2、R3、R4和R5；

所述的圖形化材料層包括25個金屬圓片堆疊結構，每行每列均有5個金屬圓片堆疊結構；每一行金屬圓片堆疊結構的第一復合圓片的半徑按R1-R2-R3-R4-R5-R1的循環順序相鄰排列，且每一行起始金屬圓片堆疊結構的第一復合圓片的半徑為上一行起始金屬圓片堆疊結構后第三個金屬圓片堆疊結構的第一復合圓片的半徑，每個金屬圓片堆疊結構的第一復合圓片圓心之間距離相同。

2.根據權利要求1所述的一種太赫茲波段寬帶極化不敏感超材料，其特征在于：所述的R1、R2、R3、R4、R5分別為9μm、8.6μm、8.2μm、8.0μm、7.9μm。

3.根據權利要求1所述的一種太赫茲波段寬帶極化不敏感超材料，其特征在于：第一復合圓片的半徑比第二復合圓片的半徑大0.8μm，第二復合圓片的半徑比第三復合圓片的半徑大1.6μm。

4.根據權利要求1所述的一種太赫茲波段寬帶極化不敏感超材料，其特征在于：所述的金屬薄膜反射層的厚度為200nm，所述的中間介質層的厚度為1.4μm，第一復合圓片、第二復合圓片和第三復合圓片的厚度均為200nm，第一介質和第二介質的厚度為2μm。

5.根據權利要求1所述的一種太赫茲波段寬帶極化不敏感超材料，其特征在于：所述的金屬薄膜反射層的面積為整個超材料的面積，長度和寬度均為100μm。

6.根據權利要求1所述的一種太赫茲波段寬帶極化不敏感超材料，其特征在于：所述的第一復合圓片、第二復合圓片和第三復合圓片的圓心連線垂直于金屬薄膜反射層所在平面。

7.根據權利要求1所述的一種太赫茲波段寬帶極化不敏感超材料，其特征在于：所述的金屬薄膜反射層、第一復合圓片、第二復合圓片和第三復合圓片的材料均為金。

8.根據權利要求1所述的一種太赫茲波段寬帶極化不敏感超材料，其特征在于：所述的中間介質層、第一介質和第二介質的材料均為聚酰亞胺PI。