[發(fā)明專利]基于磁性隧道結(jié)的雷達(dá)式自旋微波探測(cè)器及其制法和應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810095538.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110095141A | 公開(公告)日: | 2019-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張昌新;方彬;蔡佳林;曾中明;張寶順 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所;中國(guó)科學(xué)院大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01D5/48 | 分類號(hào): | G01D5/48 |
| 代理公司: | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王鋒 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁性隧道結(jié) 點(diǎn)接觸電極 微波探測(cè)器 磁性自由層 固定磁性層 自旋 非磁性隔離層 信號(hào)發(fā)生模塊 信號(hào)接收模塊 雷達(dá) 制法 信號(hào)檢測(cè)模塊 信號(hào)顯示模塊 彼此電性 電性接觸 高靈敏度 高頻特性 微弱信號(hào) 低噪音 點(diǎn)接觸 可調(diào) 寬頻 應(yīng)用 隔離 檢測(cè) | ||
1.一種基于磁性隧道結(jié)的雷達(dá)式自旋微波探測(cè)器,包括信號(hào)發(fā)生模塊、信號(hào)接收模塊、信號(hào)檢測(cè)模塊和信號(hào)顯示模塊,其特征在于:所述信號(hào)發(fā)生模塊、信號(hào)接收模塊分別包括至少一第一點(diǎn)接觸電極、至少一第二點(diǎn)接觸電極,所述第一點(diǎn)接觸電極、第二點(diǎn)接觸電極設(shè)置在一磁性隧道結(jié)上,所述磁性隧道結(jié)包括固定磁性層、非磁性隔離層和磁性自由層,所述非磁性隔離層設(shè)置于固定磁性層之與磁性自由層之間,所述第一點(diǎn)接觸電極及第二點(diǎn)接觸電極彼此電性隔離但均與磁性自由層或者固定磁性層電性接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磁性隧道結(jié)的雷達(dá)式自旋微波探測(cè)器,其特征在于:當(dāng)所述第一點(diǎn)接觸電極上被施加設(shè)定的直流偏置電流時(shí),所述信號(hào)發(fā)生模塊產(chǎn)生微波信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于磁性隧道結(jié)的雷達(dá)式自旋微波探測(cè)器,其特征在于還包括偏置模塊,所述偏置模塊至少用于向所述第一點(diǎn)接觸電極施加直流偏置電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磁性隧道結(jié)的雷達(dá)式自旋微波探測(cè)器,其特征在于:所述磁性自由層上還設(shè)置有絕緣材料層,所述第一點(diǎn)接觸電極和第二點(diǎn)接觸電極被所述絕緣材料層彼此電性隔離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的基于磁性隧道結(jié)的雷達(dá)式自旋微波探測(cè)器,其特征在于:相鄰第一點(diǎn)接觸電極、第二點(diǎn)接觸電極之間的最小距離為50nm-1.5μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的基于磁性隧道結(jié)的雷達(dá)式自旋微波探測(cè)器,其特征在于:所述第一點(diǎn)接觸電極、第二點(diǎn)接觸電極的直徑為40-500nm。
7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述基于磁性隧道結(jié)的雷達(dá)式自旋微波探測(cè)器的制作方法,其特征在于包括:
提供磁性隧道結(jié),其包括固定磁性層、非磁性隔離層和磁性自由層,所述非磁性隔離層設(shè)置于固定磁性層之與磁性自由層之間;
在所述磁性隧道結(jié)上設(shè)置至少一第一點(diǎn)接觸電極和至少一第二點(diǎn)接觸電極,且使所述第一點(diǎn)接觸電極及第二點(diǎn)接觸電極彼此電性隔離但均與磁性自由層或者固定磁性層電性接觸,從而分別形成信號(hào)發(fā)生模塊、信號(hào)接收模塊;
將所述信號(hào)發(fā)生模塊、信號(hào)接收模塊與信號(hào)檢測(cè)模塊、信號(hào)顯示模塊電連接,形成所述雷達(dá)式自旋微波探測(cè)器。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法,其特征在于包括:
提供尺寸為3~10μm的磁性隧道結(jié);
采用半導(dǎo)體加工工藝在所述磁性隧道結(jié)上沉積形成絕緣材料層;
采用半導(dǎo)體加工工藝在磁性隧道結(jié)上制作出分別對(duì)應(yīng)于至少一第一點(diǎn)接觸電極、至少一第二點(diǎn)接觸電極的至少兩個(gè)點(diǎn)接觸圖形;
在所述的至少兩個(gè)點(diǎn)接觸圖形中分別制作出至少一第一點(diǎn)接觸電極、至少一第二點(diǎn)接觸電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法,其特征在于:所述磁性隧道結(jié)的尺寸為3~10μm;和/或,所述點(diǎn)接觸圖形的直徑為40nm~500nm。
10.一種微波探測(cè)方法,其特征在于包括:
提供如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的基于磁性隧道結(jié)的雷達(dá)式自旋微波探測(cè)器,
至少向所述第一點(diǎn)接觸電極施加直流偏置電流,使信號(hào)發(fā)生模塊產(chǎn)生微波信號(hào);
以信號(hào)接收模塊直接接收所述微波信號(hào)或者由所述微波信號(hào)經(jīng)外界反射后形成的信號(hào),并形成整流信號(hào);
以信號(hào)檢測(cè)模塊處理所述整流信號(hào),并向信號(hào)顯示模塊輸出處理結(jié)果,實(shí)現(xiàn)微波探測(cè)。
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G01D 非專用于特定變量的測(cè)量;不包含在其他單獨(dú)小類中的測(cè)量?jī)蓚€(gè)或多個(gè)變量的裝置;計(jì)費(fèi)設(shè)備;非專用于特定變量的傳輸或轉(zhuǎn)換裝置;未列入其他類目的測(cè)量或測(cè)試
G01D5-00 用于傳遞傳感構(gòu)件的輸出的機(jī)械裝置;將傳感構(gòu)件的輸出變換成不同變量的裝置,其中傳感構(gòu)件的形式和特性不限制變換裝置;非專用于特定變量的變換器
G01D5-02 .采用機(jī)械裝置
G01D5-12 .采用電或磁裝置
G01D5-26 .采用光學(xué)裝置,即應(yīng)用紅外光、可見光或紫外光
G01D5-42 .采用流體裝置
G01D5-48 .采用波或粒子輻射裝置
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