[發明專利]陣列基板及其制造方法、觸控顯示裝置

在審

• 申請號: 201810094721.1
• 申請日: 2018-01-31
• 公開（公告）號: CN108169947A
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發明（設計）人: 李云澤;楊妮;譚倩;董中飛;王小元
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G02F1/1362;G06F3/041
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 胡萌

本發明提供了一種陣列基板及其制造方法、觸控顯示裝置，以提高觸控與顯示驅動集成顯示裝置中陣列基板的薄膜晶體管的關態電流。其中該陣列基板包括：襯底，設置于襯底上的多個薄膜晶體管，設置于多個薄膜晶體管遠離襯底一側的觸控走線層；其中薄膜晶體管包括有源層，有源層包括溝道圖案，觸控走線層包括多條觸控線和多個遮光單元，遮光單元與溝道圖案在襯底上的正投影至少部分重疊。上述陣列基板應用于觸控與顯示驅動集成的顯示裝置中。

技術領域

本發明涉及顯示裝置制造技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、觸控顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD)是當前主流的一類顯示器，觸控與顯示驅動集成(Touch?and?Display?DriverIntegrate，簡稱TDDI)顯示器作為其中一類備受關注。在觸控與顯示驅動集成顯示器中，包括多條觸控線的觸控走線層(Touch?Pattern?Metal，簡稱TPM)集成在陣列基板上，以同時實現顯示和觸控的功能。

發明內容

對于觸控與顯示驅動集成顯示器，薄膜晶體管作為其基本組成部分，其開關特性的穩定性對于顯示器的正常工作是十分重要的。薄膜晶體管的開啟電流I_on的大小決定了觸控與顯示驅動集成顯示器中像素存儲電容是否可以在有限的充電時間內完成充電，從而達到正常顯示需要的工作電壓。而薄膜晶體管的關態電流I_off則決定了像素電壓是否可以在一幀的掃描時間內保持住正常顯示需要的工作電壓。可見，關態電流I_off過大會導致像素電壓損失過快或者寫入其他錯誤的信號，進而導致顯示畫面出現污漬(一種顯示亮度不均的現象，視覺感覺像有污漬)、殘像、串擾等不良，因此，減小薄膜晶體管的關態電流I_off對于改善觸控與顯示驅動集成顯示器顯示畫面質量有十分重要的意義。

本發明實施例提供一種陣列基板及其制造方法、觸控顯示裝置，針對導致薄膜晶體管關態電流I_off增大的外在原因，對陣列基板的內部結構進行改進，以提高薄膜晶體管的關態電流I_off。

為達到上述目的，本發明實施例采用如下技術方案：

第一方面，本發明實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括：襯底，設置于所述襯底上的多個薄膜晶體管，設置于所述多個薄膜晶體管遠離所述襯底一側的觸控走線層；其中，所述薄膜晶體管包括有源層，所述有源層包括溝道圖案，所述觸控走線層包括多條觸控線和多個遮光單元，所述遮光單元與所述溝道圖案在所述襯底上的正投影至少部分重疊。

在上述陣列基板中，通過在薄膜晶體管的有源層之上設置遮光單元，且遮光單元與有源層的溝道圖案至少部分地交疊，使得遮光單元能夠遮蔽照射在有源層的溝道圖案上的光線，從而減輕了由于光線照射溝道圖案產生光生載流子所引起的薄膜晶體管關態電流I_off增大的程度，有效降低了關態電流I_off，增強了薄膜晶體管特性的穩定性，有助于改善由于關態電流I_off過大所產生污漬、串擾、殘像等不良。并且，所設置的遮光單元與觸控線屬于同一膜層：觸控走線層，因此遮光單元的制作步驟可兼容于觸控線的制作步驟中，無需額外增加用于制作遮光單元的工藝步驟，從而上述技術方案實現了在不增加工藝步驟的前提下，降低薄膜晶體管的關態電流I_off的效果。

第二方面，本發明實施例提供了一種陣列基板的制造方法，該制造方法包括以下步驟：提供襯底，在所述襯底上制作多個薄膜晶體管；其中，所述薄膜晶體管包括有源層，所述有源層包括溝道圖案。在所述多個薄膜晶體管遠離所述襯底的一側制作觸控走線層；其中，所述觸控走線層包括多條觸控線和多個遮光單元，所述遮光單元與所述溝道圖案在所述襯底上的正投影至少部分重疊。

上述陣列基板的制造方法所能產生的有益效果與第一方面所提供的陣列基板的有效果相同，此處不再贅述。