[發(fā)明專利]激光熱處理裝置以及利用該裝置的薄膜結(jié)晶化方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810094612.X
• 申請(qǐng)日: 2018-01-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108461421A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李惠淑;柳濟(jì)吉;E·阿斯拉諾夫;吳元熙
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/268
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 李盛泉;孫昌浩

1.一種激光熱處理裝置，包括：

平臺(tái)，支撐形成有被處理薄膜的基板，并以預(yù)定的速度移動(dòng)；

激光照射部，在所述平臺(tái)移動(dòng)的狀態(tài)下，向所述被處理薄膜照射第一激光束；以及

反射鏡，將從所述被處理薄膜反射的第一激光束反射而使所述被處理薄膜被照射第二激光束，

其中，所述反射鏡的反射角被調(diào)節(jié)成使所述第二激光束與所述被處理薄膜的被所述第一激光束照射的區(qū)域的至少一部分重疊。

2.如權(quán)利要求1所述的激光熱處理裝置，其中，

所述被處理薄膜的被所述第一激光束照射的區(qū)域包括中央部的第一區(qū)域以及分別布置在所述第一區(qū)域的兩側(cè)的第二區(qū)域，所述反射鏡的所述反射角被調(diào)節(jié)成使所述第二區(qū)域的至少一部分與所述第二激光束重疊。

3.如權(quán)利要求2所述的激光熱處理裝置，其中，

與所述第二區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一激光束的能量小于與所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一激光束的能量。

4.如權(quán)利要求2所述的激光熱處理裝置，其中，

相對(duì)于所述平臺(tái)移動(dòng)的方向，與所述第二激光束重疊的所述第二區(qū)域位于所述第一區(qū)域的前面。

5.如權(quán)利要求2所述的激光熱處理裝置，其中，

所述第二區(qū)域的20％至100％與所述第二激光束重疊。

6.一種薄膜結(jié)晶化方法，包括如下的步驟：

將形成有被處理薄膜的基板安裝于平臺(tái)；

使所述平臺(tái)以預(yù)定的速度移動(dòng)；

向所述被處理薄膜照射第一激光束；以及

將從所述被處理薄膜反射的所述第一激光束反射，從而使所述被處理薄膜被照射第二激光束，

其中，所述第二激光束與所述被處理薄膜的被所述第一激光束照射的區(qū)域的至少一部分重疊。

7.如權(quán)利要求6所述的薄膜結(jié)晶化方法，其中，所述被處理薄膜包括非晶硅。

8.如權(quán)利要求6所述的薄膜結(jié)晶化方法，其中，

所述被處理薄膜的被所述第一激光束照射的區(qū)域包括中央部的第一區(qū)域以及分別布置在所述第一區(qū)域的兩側(cè)的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域的至少一部分與所述第二激光束重疊。

9.如權(quán)利要求8所述的薄膜結(jié)晶化方法，其中，

與所述第二區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一激光束的能量小于與所述第一區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一激光束的能量。

10.如權(quán)利要求8所述的薄膜結(jié)晶化方法，其中，

相對(duì)于所述平臺(tái)移動(dòng)的方向，與所述第二激光束重疊的所述第二區(qū)域位于所述第一區(qū)域的前面。