[發明專利]半導體裝置及其制作方法在審
| 申請號： | 201810086147.5 | 申請日： | 2018-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN108281447A | 公開（公告）日： | 2018-07-13 |
| 發明（設計）人： | 穆鈺平;陳世杰;金子貴昭;黃曉櫓 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 杜文樹 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光敏元件 半導體裝置 光學隔離 柵格 電介質 開口 角度傾斜 接收光 側壁 制作 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于包括：
光敏元件的陣列；和
柵格，其布置在光敏元件的陣列上，并且對每個光敏元件分別限定了用于接收光的開口，并將每個光敏元件與相鄰的光敏元件光學隔離，
其中，所述柵格包括光學隔離部分和在光學隔離部分上方的電介質部分，電介質部分限定了向開口外側以一角度傾斜的側壁。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述電介質部分的頂部的截面為三角形或梯形。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于還包括填充在柵格的開口內的光學材料。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，在光學材料與側壁之間的界面處，光學材料的折射率大于電介質部分的材料的折射率，并且側壁的傾斜角度被配置為使得從半導體裝置外部入射到該界面上的光線被向光敏元件全反射。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，光學隔離部分由不透明材料制成。
6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述柵格還包括覆蓋光學隔離部分的側面的第二電介質部分。
7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，
所述電介質部分和所述第二電介質部分由相同的電介質材料制成，或者
所述電介質部分和所述第二電介質部分由不同的電介質材料制成。
8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述電介質部分包括主體部和覆蓋部，該覆蓋部覆蓋主體部的表面，并且覆蓋部和主體部由不同的電介質材料制成。
9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，所述柵格還包括覆蓋光學隔離部分的側面的第二電介質部分，并且，
所述第二電介質部分與所述電介質部分的主體部和覆蓋部中的一個由相同的電介質材料制成，或者
所述第二電介質部分的材料與所述電介質部分的主體部和覆蓋部二者的材料都不相同，或者
所述第二電介質部分包括所述電介質部分的主體部和覆蓋部二者的材料。
10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于還包括
微透鏡的陣列，其設置在所述柵格上方。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
