[發(fā)明專利]利用光刻膠支撐層無(wú)損轉(zhuǎn)移并圖案化石墨烯的方法及應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810076894.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108428794B | 公開(公告)日: | 2019-08-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫洪波;馮晶;陳洋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 吉林大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L51/00 | 分類號(hào): | H01L51/00;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 長(zhǎng)春吉大專利代理有限責(zé)任公司 22201 | 代理人: | 劉世純 |
| 地址: | 130012 吉*** | 國(guó)省代碼: | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 石墨烯 光刻膠 圖案化 支撐層 無(wú)損 光刻圖案 有機(jī)發(fā)光二極管 大面積石墨烯 光刻膠層 平整表面 重要意義 觸摸屏 分辨率 襯底 揭起 涂覆 研發(fā) 應(yīng)用 曝光 清潔 引入 加工 幫助 | ||
本發(fā)明公開了一種利用光刻膠支撐層無(wú)損轉(zhuǎn)移并圖案化石墨烯的方法及應(yīng)用,屬于有機(jī)發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域。采用光刻膠作為支撐層涂覆至石墨烯表面,可解決石墨烯的無(wú)損轉(zhuǎn)移和圖案化兩個(gè)問題。由于光刻膠與石墨烯表面大小適中的相互作用,可使石墨烯能夠被完整揭起并無(wú)損轉(zhuǎn)移至待加工襯底;同時(shí)可直接利用此層光刻膠層對(duì)石墨烯進(jìn)行光刻圖案化,最終可獲得具有清潔和平整表面的、精確圖案化的大面積石墨烯。對(duì)于待圖案化的石墨烯引入光刻膠支撐層,可實(shí)現(xiàn)一層兩用,即光刻膠支撐層既能幫助轉(zhuǎn)移石墨烯,又能直接為后續(xù)光刻圖案化所用。利用光刻膠支撐層直接曝光對(duì)石墨烯進(jìn)行圖案化,還能夠達(dá)到較高的分辨率,對(duì)于研發(fā)石墨烯觸摸屏具有重要意義。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于有機(jī)光電器件技術(shù)領(lǐng)域(包括有機(jī)發(fā)光二極管,有機(jī)太陽(yáng)能電池、探測(cè)器、場(chǎng)效應(yīng)晶體管等),具體涉及利用光刻膠作為支撐層,將化學(xué)氣相沉積(CVD)法生長(zhǎng)的石墨烯進(jìn)行無(wú)損轉(zhuǎn)移并圖案化,最終制備成可用于有機(jī)光電器件中,具有高透射率和低電阻的優(yōu)質(zhì)圖案化電極。
技術(shù)背景
石墨烯具有高載流子遷移率和高透射率等突出性能,已成為目前最有應(yīng)用前景的二維材料。近年來,圖案化的石墨烯作為一種高電導(dǎo)率的、可替代昂貴ITO電極的透明電極,已經(jīng)在效應(yīng)晶體管、打印電子器件和高分辨顯示器等應(yīng)用領(lǐng)域被重點(diǎn)研發(fā)?,F(xiàn)行的圖案化石墨烯的手段主要有間接和直接圖案化兩種。間接圖案化即通過將催化金屬預(yù)先圖案化的方法直接生長(zhǎng)出圖案化的石墨烯。這種方法雖然能夠大面積圖案化石墨烯,但是存在高溫退火的生長(zhǎng)過程導(dǎo)致金屬受熱形變、乃至最終影響圖案化準(zhǔn)確度的問題。直接圖案化則采用激光、電子束、離子束等高能射線直接對(duì)石墨烯進(jìn)行剪裁而使其圖案化。這種剪裁過程往往要通過逐點(diǎn)掃描的方式,耗時(shí)耗能,因此難以獲得大面積的圖案化。可見,要獲得大面積的圖案化石墨烯,急需一種新方法能同時(shí)兼顧大面積制備和高精度圖案化兩方面的加工要求。
此外,由于目前用于OLED等器件中的石墨烯,多采用CVD法在銅或鎳等催化金屬表面進(jìn)行大面積生長(zhǎng),因此生長(zhǎng)后的石墨烯需要進(jìn)一步被轉(zhuǎn)移并集成至所需器件中。可見,將石墨烯片層從催化金屬表面轉(zhuǎn)移至器件中的目標(biāo)材料表面,是石墨烯應(yīng)用中非常關(guān)鍵的一步。為了保證石墨烯的材料性能,必須對(duì)其實(shí)現(xiàn)清潔、完整和平滑的轉(zhuǎn)移,即轉(zhuǎn)移操作不會(huì)導(dǎo)致石墨烯片層破裂、褶皺或殘留有機(jī)污染?,F(xiàn)行的主要手段是利用PMMA作為支承層來轉(zhuǎn)移石墨烯,其原理是利用PMMA與石墨烯表面較強(qiáng)的價(jià)鍵作用。然而在轉(zhuǎn)移中,二者間較強(qiáng)的相互作用容易引起石墨烯的局部不平整,使得其粗糙度顯著增加;同時(shí),PMMA在常用有機(jī)溶劑(乙醇、丙酮等)中溶解度不高,導(dǎo)致轉(zhuǎn)移后很難被徹底去除,殘留在石墨烯表面造成污染??傊?yīng)用中的大面積圖案化和無(wú)損轉(zhuǎn)移兩方面的困難,都急需新方法和技術(shù)予以解決。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:提供一種利用光刻膠支撐層無(wú)損轉(zhuǎn)移并大面積圖案化石墨烯的方法。采用光刻膠作為支撐層涂覆至生長(zhǎng)完畢的石墨烯表面,可一次性解決石墨烯的無(wú)損轉(zhuǎn)移和大面積圖案化兩個(gè)技術(shù)環(huán)節(jié)。由于光刻膠與石墨烯表面大小適中的相互作用,可使石墨烯能夠被完整揭起并無(wú)損轉(zhuǎn)移至待加工襯底;同時(shí)可直接利用此層光刻膠層對(duì)石墨烯進(jìn)行光刻圖案化,最終可獲得具有清潔和平整表面的、精確圖案化的大面積石墨烯。
本發(fā)明通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種利用光刻膠支撐層轉(zhuǎn)移并圖案化石墨烯的方法,具體步驟如下:
(1)、光刻膠支撐層的制備:
首先,將光刻膠旋涂至生長(zhǎng)在銅箔上的單層石墨烯上,形成光刻膠支撐層;然后,利用等離子體刻蝕破壞生長(zhǎng)在銅箔下表面的石墨烯結(jié)構(gòu),以保證上表面石墨烯的轉(zhuǎn)移質(zhì)量;隨后,將樣品置于過硫酸鉀的飽和溶液中刻蝕,直至完全去除銅箔;最后,將樣品轉(zhuǎn)移至去離子水中清洗3-4次,并置于去離子水中待用,并保持光刻膠支撐層在上,石墨烯在下;
(2)、石墨烯的轉(zhuǎn)移:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于吉林大學(xué),未經(jīng)吉林大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810076894.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





