[發(fā)明專利]一種智能電能表的EEPROM數(shù)據(jù)保護(hù)方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810072536.2 | 申請日: | 2018-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN110083479B | 公開(公告)日: | 2023-08-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊建明;丁小燕;仲敢;王道安;劉志成 | 申請(專利權(quán))人: | 寧波三星醫(yī)療電氣股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F11/10 | 分類號: | G06F11/10;G06F11/14 |
| 代理公司: | 寧波誠源專利事務(wù)所有限公司 33102 | 代理人: | 袁忠衛(wèi) |
| 地址: | 315191 浙江省寧*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 智能 電能表 eeprom 數(shù)據(jù) 保護(hù) 方法 | ||
1.一種智能電能表的EEPROM數(shù)據(jù)保護(hù)方法,其特征在于:包括智能電能表參數(shù)保護(hù)模塊和智能電能表電量保護(hù)模塊,其中,所述智能電能表參數(shù)保護(hù)模塊中設(shè)有EEPROM不同片區(qū)的參數(shù)雙備份區(qū)以及MCU的FLASH參數(shù)固化區(qū),所述智能電能表電量保護(hù)模塊中設(shè)有MCU的RAM內(nèi)的兩電量存儲區(qū)和EEPROM不同片區(qū)的電量雙備份區(qū),EEPROM數(shù)據(jù)保護(hù)方法包括以下步驟:
步驟(1)、當(dāng)EEPROM部分區(qū)故障或整體故障時,通過智能電能表參數(shù)保護(hù)模塊進(jìn)行功能模塊內(nèi)部使用參數(shù)操作和系統(tǒng)定時檢查參數(shù)操作,確保智能電能表表計正常運行;
所述智能電能表參數(shù)保護(hù)模塊實現(xiàn)系統(tǒng)定時檢查參數(shù)操作,包括如下步驟:
步驟(1-1b)、系統(tǒng)定時檢查開始,每分鐘執(zhí)行m次;其中m為正整數(shù);
步驟(1-2b)、對RAM內(nèi)的所有參數(shù)值執(zhí)行CRC校驗,若CRC校驗正確則轉(zhuǎn)至步驟(1-8b),反之則轉(zhuǎn)入步驟(1-3b);
步驟(1-3b)、讀取EEPROM的第一參數(shù)備份區(qū)數(shù)據(jù)到RAM;
步驟(1-4b)、對RAM內(nèi)的參數(shù)值執(zhí)行CRC校驗,若CRC校驗正確則轉(zhuǎn)至步驟(1-8b),反之則轉(zhuǎn)入步驟(1-5b);
步驟(1-5b)、讀取EEPROM的第二參數(shù)備份區(qū)數(shù)據(jù)到RAM;
步驟(1-6b)、對RAM內(nèi)的參數(shù)值執(zhí)行CRC校驗,若CRC校驗正確則轉(zhuǎn)至步驟(1-9b),反之則轉(zhuǎn)至步驟(1-7b);
步驟(1-7b)、將MCU的FLASH參數(shù)固化區(qū)內(nèi)的參數(shù)數(shù)據(jù)恢復(fù)到RAM;
步驟(1-8b)、結(jié)束返回;
步驟(1-9b)、將當(dāng)前RAM內(nèi)的參數(shù)值寫入EEPROM的第一參數(shù)備份區(qū)內(nèi),并轉(zhuǎn)至步驟(1-8b);
步驟(2)、當(dāng)EEPROM部分區(qū)故障或整體故障時,通過智能電能表電量保護(hù)模塊進(jìn)行電量存儲操作和電量讀取操作,確保智能電能表的電量正常。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能電能表的EEPROM數(shù)據(jù)保護(hù)方法,其特征在于:所述智能電能表參數(shù)保護(hù)模塊實現(xiàn)功能模塊內(nèi)部使用參數(shù)操作,包括如下步驟:
步驟(1-1a)、在功能模塊內(nèi)部鎖定需要使用的參數(shù);
步驟(1-2a)、對RAM內(nèi)的參數(shù)值執(zhí)行CRC校驗,若CRC校驗正確則轉(zhuǎn)至步驟(1-8a),反之則轉(zhuǎn)入步驟(1-3a);
步驟(1-3a)、讀取EEPROM的第一參數(shù)備份區(qū)數(shù)據(jù)到RAM;
步驟(1-4a)、對RAM內(nèi)的參數(shù)值執(zhí)行CRC校驗,若CRC校驗正確則轉(zhuǎn)至步驟(1-8a),反之則轉(zhuǎn)入步驟(1-5a);
步驟(1-5a)、讀取EEPROM的第二參數(shù)備份區(qū)數(shù)據(jù)到RAM;
步驟(1-6a)、對RAM內(nèi)的參數(shù)值執(zhí)行CRC校驗,若CRC校驗正確則轉(zhuǎn)至步驟(1-9a),反之則轉(zhuǎn)入步驟(1-7a);
步驟(1-7a)、將MCU的FLASH參數(shù)固化區(qū)內(nèi)的參數(shù)數(shù)據(jù)恢復(fù)到RAM;
步驟(1-8a)、使用RAM內(nèi)的參數(shù)值作為功能模塊內(nèi)部使用參數(shù)執(zhí)行功能,結(jié)束;
步驟(1-9a)、將當(dāng)前RAM內(nèi)的參數(shù)值寫入EEPROM的第一參數(shù)備份區(qū)內(nèi),并轉(zhuǎn)至步驟(1-8a)。
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