[發明專利]加工方法有效
| 申請號: | 201810071577.X | 申請日: | 2018-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN108376665B | 公開(公告)日: | 2023-04-14 |
| 發明(設計)人: | 花島聰 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帥;喬婉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加工 方法 | ||
提供加工方法,適合被加工物的加工,該被加工物具有:涂層,其使近紅外線透過且使其他波長的電磁波反射;以及對準標記,其吸收該近紅外線。對被加工物進行加工的加工方法包含如下的步驟:保持步驟,利用具有使近紅外線反射的保持面的保持工作臺對被加工物的形成有對準標記的正面側進行保持而使背面側露出;拍攝步驟,朝向保持工作臺所保持的被加工物的背面側照射近紅外線,并且利用對近紅外線具有感光度且與被加工物的背面側對置的拍攝單元對被加工物進行拍攝而形成拍攝圖像;對準標記檢測步驟,根據拍攝圖像對對準標記進行檢測;以及加工步驟,根據檢測出的對準標記,利用加工單元對保持工作臺所保持的被加工物進行加工。
技術領域
本發明涉及加工方法,該加工方法用于對在正面側和背面側具有使可見光線反射的涂層的被加工物進行加工。
背景技術
在對以半導體晶片為代表的板狀的被加工物進行加工時,使用下述加工裝置,該加工裝置具有:用于對被加工物進行保持的卡盤工作臺;以及用于對卡盤工作臺所保持的被加工物進行加工的加工組件。在利用該加工裝置對被加工物進行加工時,需要進行被稱為對準的處理,該對準用于識別被加工物相對于加工裝置的位置及朝向等。
在對準中,例如利用拍攝組件對卡盤工作臺所保持的被加工物進行拍攝,從被加工物中找出與預先存儲于加工裝置的特征性關鍵圖案(目標圖案、對準標記)一致的圖案。然后,以所找出的圖案的位置為基準使卡盤工作臺旋轉而對被加工物的朝向進行調整(例如,參照專利文獻1)。
另外,根據存儲于加工裝置的加工預定線(間隔道)與關鍵圖案之間的距離以及所找到的圖案的位置,計算出實際的加工預定線的位置。然后,使加工組件與計算出的實際的加工預定線的位置對齊,從而能夠沿著該加工預定線對被加工物進行加工。
專利文獻1:日本特開平7-106405號公報
但是,例如當在被加工物的正面側和背面側形成有使可見光線反射的涂層的情況下,無法使用對可見光線具有感光度的通常的拍攝組件進行上述那樣的對準。在該情況下,例如使用對透過涂層的近紅外線具有感光度的拍攝組件。
但是,在形成于被加工物的對準用的圖案不反射近紅外線的情況下(更具體而言,例如吸收近紅外線的情況下),即使使用了對近紅外線具有感光度的拍攝組件,也無法適當地對被加工物中的圖案進行檢測。因此,在現有的加工方法中,難以精度良好地對這樣的被加工物進行加工。
發明內容
本發明是鑒于該問題點而完成的,其目的在于提供一種加工方法,適合下述被加工物的加工,該被加工物具有:涂層,其使近紅外線透過且使其他波長的電磁波反射;以及對準標記,其吸收該近紅外線。
根據本發明的一個方式,提供一種加工方法,對被加工物進行加工,該被加工物具有:基板,其使規定的范圍的波長的近紅外線透過;對準標記,其形成在該基板的正面側,吸收該近紅外線;以及涂層,其包覆在該基板的正面側和背面側,使該近紅外線透過并且使除了該規定的范圍以外的波長的電磁波反射,該加工方法具有如下的步驟:保持步驟,利用具有使該近紅外線反射的保持面的保持工作臺對該被加工物的形成有該對準標記的正面側進行保持而使背面側露出;拍攝步驟,在實施了該保持步驟之后,朝向該保持工作臺所保持的該被加工物的背面側照射該近紅外線,并且利用對該近紅外線具有感光度且與該被加工物的背面側對置的拍攝單元對該被加工物進行拍攝而形成拍攝圖像;對準標記檢測步驟,在實施了該拍攝步驟之后,根據該拍攝圖像對該對準標記進行檢測;以及加工步驟,在實施了該對準標記檢測步驟之后,根據檢測出的該對準標記,利用加工單元對該保持工作臺所保持的被加工物進行加工。
在本發明的一個方式的加工方法中,照射至被加工物的近紅外線被對準標記吸收,而在其他區域,近紅外線透過被加工物而到達保持工作臺。到達保持工作臺的近紅外線在該保持工作臺的保持面發生反射,因此,能夠利用對近紅外線具有感光度的拍攝單元對被加工物進行拍攝而形成拍攝圖像,從而根據拍攝圖像對對準標記進行適當地檢測。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





