[發明專利]一種異質結光伏電池及其制備方法有效
| 申請號: | 201810067073.0 | 申請日: | 2018-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN108258124B | 公開(公告)日: | 2020-09-08 |
| 發明(設計)人: | 鄭偉 | 申請(專利權)人: | 紹興利方惠能新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/48;H01L51/44 |
| 代理公司: | 紹興市寅越專利代理事務所(普通合伙) 33285 | 代理人: | 陳彩霞 |
| 地址: | 311800 浙江省紹興*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 異質結光伏 電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種異質結光伏電池的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
(1)n型硅片的清洗:將n型硅片依次在丙酮、乙醇、去離子水中超聲清洗10-15分鐘,然后置入濃H2SO4/H2O2混合溶液中并加溫至100-110℃保持50-70分鐘,接著用去離子水沖洗所述n型硅片,并用氮氣吹干以備用;
(2)在所述n型硅片的上表面制備金字塔結構絨面層:將步驟(1)得到的所述n型硅片置于NaOH和乙醇的混合溶液中,其中所述混合溶液中,所述NaOH的質量分數為4-5%,所述乙醇的體積分數為12-15%在80-90℃下刻蝕40-50分鐘以得到所述金字塔結構絨面層,然后將所述n型硅片置于鹽酸溶液中浸泡2-3小時,接著用去離子水沖洗所述n型硅片,接著將所述n型硅片在氫氟酸溶液中浸泡5-10分鐘,并用氮氣吹干以備用
(3)在所述金字塔結構絨面層中的金字塔結構的表面制備硅納米線:將步驟(2)得到的所述n型硅片置于硝酸銀/氫氟酸混合溶液中,其中所述硝酸銀/氫氟酸混合溶液中氫氟酸的摩爾濃度為4.8mol/l,硝酸銀的摩爾濃度為0.02mol/l,并在室溫下刻蝕10-15分鐘,將刻蝕過的所述n型硅片取出后,用去離子水沖洗,然后浸入濃硝酸中保持50-60分鐘,接著用去離子水清洗硅片,并用氮氣吹干以備用;
(4)對所述n型硅片進行鈍化處理:將步驟(3)得到n型硅片在氫氟酸溶液中浸泡5-10分鐘,接著在所述n型硅片的上表面滴加含有氫氧化鉀和三乙醇鋁的混合溶液并靜置2-5分鐘,接著在1500-2000轉/分鐘的條件下旋涂1-3分鐘,并在300-400℃的溫度下退火40-60分鐘,以鈍化所述n型硅片的上表面,然后在所述n型硅片的下表面滴加含有氫氧化鉀和三乙醇鋁的混合溶液并靜置2-5分鐘,接著在1500-2000轉/分鐘的條件下旋涂1-3分鐘,并在300-400℃的溫度下退火40-60分鐘,以鈍化所述n型硅片的下表面;
(5)硒化鉬納米顆粒/Spiro-OMeTAD層的制備:在步驟(4)得到的n型硅片的上表面旋涂含有硒化鉬納米顆粒的Spiro-OMeTAD溶液,旋涂的轉速為2000-4000轉/分鐘以及時間為1-5分鐘,然后在氮氣環境中,并在100-110℃的溫度下退火5-10分鐘,形成所述硒化鉬納米顆粒/Spiro-OMeTAD層;
(6)PEDOT:PSS層的制備:在所述硒化鉬納米顆粒/Spiro-OMeTAD層表面旋涂PEDOT:PSS溶液;旋涂的轉速為4000-5000轉/分鐘以及時間為1-4分鐘,然后在氮氣環境中,并在110-130℃的溫度下退火20-30分鐘,以形成所述PEDOT:PSS層;
(7)正面銀柵電極的制備;
(8)背面鋁電極的制備。
2.根據權利要求1所述的異質結光伏電池的制備方法,其特征在于:在所述步驟(1)中,所述濃H2SO4/H2O2混合溶液中H2SO4與H2O2體積比為3:1
3.根據權利要求1所述的異質結光伏電池的制備方法,其特征在于:在所述步驟(4)中,所述含有氫氧化鉀和三乙醇鋁的混合溶液中氫氧化鉀的濃度為0.2-0.5mg/ml,三乙醇鋁的濃度為1-3mg/ml。
4.根據權利要求1所述的異質結光伏電池的制備方法,其特征在于:在所述步驟(5)中,所述含有硒化鉬納米顆粒的Spiro-OMeTAD溶液中硒化鉬納米顆粒的濃度為1-2mg/ml,SPIRO-OMETAD的濃度為20-30mg/ml。
5.根據權利要求1所述的異質結光伏電池的制備方法,其特征在于:所述PEDOT:PSS層的厚度為10-20nm。
6.根據權利要求1所述的異質結光伏電池的制備方法,其特征在于:在所述步驟(7)中通過熱蒸鍍法形成所述正面銀柵電極,所述正面銀柵電極的厚度為150-250nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





