[發明專利]半導體元件的精細島狀圖案形成方法

有效

• 申請號: 201810062075.0
• 申請日: 2018-01-23
• 公開（公告）號: CN109427560B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 施江林;施信益
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279
• 代理人: 席勇;周勇

1.一種半導體元件的精細島狀圖案形成方法，其特征在于，包含：

在基材上的硬遮罩層上形成多個第一遮罩柱；

在所述硬遮罩層上方形成上緩沖遮罩層以覆蓋所述多個第一遮罩柱；

通過至少一個圖案化工藝在所述上緩沖遮罩層上形成多個第一線性圖案各沿著第一方向延伸、多個第二線性圖案各沿著第二方向延伸以及多個第三線性圖案各沿著第三方向延伸；

蝕刻所述上緩沖遮罩層以在所述硬遮罩層上形成多個第二遮罩柱；

蝕刻所述硬遮罩層由所述多個第一遮罩柱與所述多個第二遮罩柱所暴露出的暴露部位直至所述基材的部位被蝕刻；以及

移除所述多個第一遮罩柱、所述多個第二遮罩柱與所述硬遮罩層的殘留部位。

2.如權利要求1所述的半導體元件的精細島狀圖案形成方法，其特征在于，所述多個第一線性圖案中的一個、所述多個第二線性圖案中的一個與所述多個第三線性圖案中的一個的路口的垂直投影與所述多個第一遮罩柱中的一個對應者對齊。

3.如權利要求1所述的半導體元件的精細島狀圖案形成方法，其特征在于，所述形成所述多個第一遮罩柱包含：

基于由分別平行于所述第一方向與所述第二方向的第一維度以及第二維度所構成的陣列形成所述多個第一遮罩柱。

4.如權利要求3所述的半導體元件的精細島狀圖案形成方法，其特征在于，所述形成所述多個第一遮罩柱包含：

基于所述陣列等距地形成所述多個第一遮罩柱。

5.如權利要求4所述的半導體元件的精細島狀圖案形成方法，其特征在于，所述第一方向與所述第二方向之間的角度為60度，所述第一方向與所述第三方向之間的角度為60度，且所述第二方向與所述第三方向之間的角度為60度。

6.如權利要求1所述的半導體元件的精細島狀圖案形成方法，其特征在于，所述多個第一線性圖案中的一個的寬度、所述多個第二線性圖案中的一個的寬度與所述多個第三線性圖案中的一個的寬度相等。

7.如權利要求1所述的半導體元件的精細島狀圖案形成方法，其特征在于，所述多個第一遮罩柱中的一個的寬度與所述多個第一線性圖案中的一個的寬度、所述多個第二線性圖案中的一個的寬度與所述多個第三線性圖案中的一個的寬度中的至少一個相等。

8.如權利要求1所述的半導體元件的精細島狀圖案形成方法，其特征在于，所述形成所述多個第一遮罩柱包含：

在所述硬遮罩層上形成一下緩沖遮罩層；

在所述下緩沖遮罩層形成多個通孔；

以遮罩材料填充所述多個通孔，以形成所述多個第一遮罩柱；以及

移除所述下緩沖遮罩層。

9.如權利要求8所述的半導體元件的精細島狀圖案形成方法，其特征在于，進一步包含：

在所述填充之前于所述多個通孔的內壁上形成第一間隔物。

10.如權利要求9所述的半導體元件的精細島狀圖案形成方法，其特征在于，進一步包含：

在所述蝕刻所述上緩沖遮罩層之后以及在所述蝕刻所述硬遮罩層的所述暴露部位之前，移除所述多個第一間隔物。

11.如權利要求9所述的半導體元件的精細島狀圖案形成方法，其特征在于，所述形成所述多個第一間隔物包含：

在所述下緩沖遮罩層的頂面上、所述多個通孔的所述多個內壁上以及所述硬遮罩層的頂面上形成第一間隔層；以及

移除所述第一間隔層位于所述下緩沖遮罩層上與所述硬遮罩層的所述多個頂面上的部位，以保留所述第一間隔層位于所述多個通孔的所述多個內壁上的部位。

12.如權利要求9所述的半導體元件的精細島狀圖案形成方法，其特征在于，進一步包含：

在所述形成所述上緩沖遮罩層之前，在所述多個第一間隔物的外壁上形成第二間隔物。