[發(fā)明專利]一種磷化硼一維納米材料的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810061559.3 | 申請日： | 2018-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN108046225B | 公開（公告）日： | 2019-08-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 許軍旗;王其尚;付燦;許靖 | 申請（專利權(quán)）人： | 信陽師范學院 |
| 主分類號： | C01B25/08 | 分類號： | C01B25/08 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 饒欣 |
| 地址： | 河南省信陽*** | 國省代碼： | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 磷化 硼一維 納米 材料 制備 方法 | ||
1.一種磷化硼一維納米材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：清洗Si襯底，烘干后鍍上催化劑備用；
S2：將有催化劑的Si襯底置于管式爐石英管中部；
S3：將管式爐密封后充滿惰性保護氣體，然后對其抽真空；
S4：抽真空排除O2之后，在惰性氣體保護下加熱石英管，待其升溫至900～1000℃時，通入硼源前驅(qū)體和磷源前驅(qū)體；
S5：反應30～90min后，停止通入硼源和磷源前驅(qū)體，在惰性保護氣體氣氛下自動降溫；硼源包括95％的Ar和5％的B2H6，磷源包括99.5％的H2和0.5％的PH3，硼源和磷源的流量分別為1～5sccm和20～100sccm；
S6：管式爐降溫至室溫，關(guān)閉惰性保護氣體，開爐取出Si襯底，襯底上淺黃色的沉積物即為磷化硼一維納米材料；
步驟S3-S5中，惰性保護氣為99.9999％純度的Ar。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷化硼一維納米材料的制備方法，其特征在于：步驟S1中的催化劑為Au。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種磷化硼一維納米材料的制備方法，其特征在于：催化劑為Au薄膜，Au薄膜厚度為5～15nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷化硼一維納米材料的制備方法，其特征在于：步驟S1中，Si襯底依次通過丙酮、乙醇、超純水在超聲波清洗機中清洗20min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷化硼一維納米材料的制備方法，其特征在于：步驟S5中，硼源和磷源分別為B2H6和PH3。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷化硼一維納米材料的制備方法，其特征在于：步驟S4中，在真空條件下以15～25℃/min的速率加熱石英管至900～1000℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷化硼一維納米材料的制備方法，其特征在于：步驟S4中惰性氣體的流速為10sccm。
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