[發(fā)明專利]柔性基底結(jié)構(gòu)及其制備方法與柔性器件

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810054541.0
• 申請(qǐng)日: 2018-01-19
• 公開（公告）號(hào): CN108258057A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李陽;于鋒;楊海濤;劉玉成;劉曉佳;國天增
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 云谷（固安）科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L21/683
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 唐清凱

本發(fā)明公開了一種柔性基底結(jié)構(gòu)及其制備方法與柔性器件。該柔性基底結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置的第一柔性基底、阻隔層和第二柔性基底；所述第一柔性基底與所述阻隔層相接觸一側(cè)的表面形成第一凹凸面，所述阻隔層連續(xù)的覆蓋在所述第一柔性基底的第一凹凸面上，且所述阻隔層與所述第二柔性基底相接觸一側(cè)的表面形成第二凹凸面，所述第二柔性基底連續(xù)的覆蓋在所述阻隔層的第二凹凸面上。本發(fā)明還提供所述柔性基底結(jié)構(gòu)的制備方法和包括所述柔性基底結(jié)構(gòu)的柔性器件。本發(fā)明使得兩個(gè)立體結(jié)構(gòu)的柔性基底和立體結(jié)構(gòu)的阻隔層疊加成所述柔性基底結(jié)構(gòu)，并使立體結(jié)構(gòu)的柔性基底和阻隔層互為緩沖層，從而有效緩解和釋放柔性器件從硬性基底上剝離時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，特別是涉及一種柔性基底結(jié)構(gòu)及其制備方法，以及包括該柔性基底結(jié)構(gòu)的柔性器件。

背景技術(shù)

如圖1所示，在制備柔性半導(dǎo)體器件，例如柔性TFT時(shí)，通常在硬性基底1上設(shè)置聚酰亞胺層2作為柔性基底，并在聚酰亞胺層2上制備一層氮化硅層4來阻隔水氧對(duì)后續(xù)制備的各膜層的侵害，同時(shí)，由于氮化硅層4與聚酰亞胺層2的結(jié)合力較差，而氧化硅與氮化硅和聚酰亞胺的結(jié)合力均較好，因此，通常在氮化硅層4和聚酰亞胺層2之間設(shè)置一層氧化硅層3來提高氮化硅和聚酰亞胺的結(jié)合力。然而，上述聚酰亞胺層2、氧化硅層3和氮化硅層4彼此之間存在承受應(yīng)力不匹配的問題，容易使制備完成的柔性半導(dǎo)體器件從硬性基底上分離時(shí)發(fā)生卷曲，嚴(yán)重影響柔性半導(dǎo)體器件的正常工作。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是針對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種能夠緩解應(yīng)力的柔性基底結(jié)構(gòu)及其制備方法與包括該柔性基底結(jié)構(gòu)的柔性器件。

為此，在本發(fā)明中提供了一種柔性基底結(jié)構(gòu)，包括依次層疊設(shè)置的第一柔性基底、阻隔層和第二柔性基底；所述第一柔性基底與所述阻隔層相接觸一側(cè)的表面形成第一凹凸面，所述阻隔層連續(xù)的覆蓋在所述第一柔性基底的第一凹凸面上，且所述阻隔層與所述第二柔性基底相接觸一側(cè)的表面形成第二凹凸面，所述第二柔性基底連續(xù)的覆蓋在所述阻隔層的第二凹凸面上。

在其中一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述第二凹凸面中各凹部相應(yīng)的嵌套在各第一凹凸面中各凹部內(nèi)。

在其中一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述第一柔性基底遠(yuǎn)離所述阻隔層一側(cè)的表面為平坦面，和/或，所述第二柔性基底遠(yuǎn)離所述阻隔層一側(cè)的表面為平坦面。

在其中一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述第一凹凸面和/或所述第二凹凸面由凹凸部組成，所述凹凸部的形狀選自三角形、矩形、弧形和半圓形中的一種或幾種。

在其中一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述第一凹凸面和所述第二凹凸面均由矩形的凹凸部組成。

在其中一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述第一凹凸面的凹部的深度為所述第一柔性基底最大厚度的10％～90％；和/或，所述第二凹凸面的凹部的深度為所述第二柔性基底最大厚度的10％～90％。

在其中一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述第一凹凸面中凸部的寬度為凹部的寬度的10％～90％；和/或，所述第二凹凸面中凹部的寬度為凸部的寬度的10％～90％。

在其中一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述阻隔層的厚度小于所述第一凹凸面中凸部的高度，且連續(xù)覆蓋在所述第一凹凸面上的所述阻隔層具有與所述第一凹凸面相對(duì)應(yīng)的第二凹凸面。

在其中一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述阻隔層包括依次層疊設(shè)置的第一連接材料層、阻隔材料層和第二連接材料層，所述第一連接材料層設(shè)置于所述阻隔材料層與所述第一柔性基底之間，所述第二連接材料層設(shè)置于所述阻隔材料層與所述第二柔性基底之間。

在其中一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述第一柔性基底和所述第二柔性基底的材料為聚酰亞胺，所述阻隔材料層由氮化硅制成，所述第一連接材料層和所述第二連接材料層由氧化硅制成。

同時(shí)，在本發(fā)明中還提供了一種所述柔性基底結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：

提供硬性基底；