[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201810054537.4
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN108428718B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發明（設計）人: 金宰范;金歲玲;林俊亨;金兌相
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H10K59/12
• 分類號: H10K59/12;H10K59/124;H01L21/77
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;宋志強

1.一種半導體裝置，包括：

基底基板；

布置在所述基底基板上的第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管包括第一輸入電極、第一輸出電極、布置在第一絕緣層下方的第一半導體圖案和布置在所述第一絕緣層上且第二絕緣層下方的第一控制電極；以及

第二薄膜晶體管，包括第二輸入電極、第二輸出電極、布置在所述第二絕緣層上的第二半導體圖案和布置在絕緣圖案上的第二控制電極，所述絕緣圖案被形成在所述第二半導體圖案上并且暴露所述第二半導體圖案的一部分，

其中所述第一半導體圖案包括晶體半導體材料，

其中所述第二半導體圖案包括氧化物半導體材料，并且

其中所述第一半導體圖案、所述第一控制電極、所述第二半導體圖案和所述第二控制電極都彼此重疊。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第二輸入電極和所述第二輸出電極被布置在所述第一輸入電極和所述第一輸出電極之間。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，進一步包括第三絕緣層，所述第三絕緣層被布置在所述第二絕緣層上并且覆蓋所述第二半導體圖案、所述絕緣圖案和所述第二控制電極，

其中所述第一輸入電極和所述第一輸出電極分別通過第一通孔和第二通孔與所述第一半導體圖案接觸，所述第一通孔和所述第二通孔貫穿所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述第三絕緣層并且彼此隔開，

所述第二輸入電極和所述第二輸出電極分別通過第三通孔和第四通孔與所述第二半導體圖案接觸，所述第三通孔和所述第四通孔貫穿所述第三絕緣層并且彼此隔開，并且

所述第三通孔和所述第四通孔每個被布置在所述第一通孔和所述第二通孔之間。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，進一步包括布置在所述基底基板上的第一電容器，

其中所述第一電容器包括：

與所述第一控制電極布置在同一層上的第一電極；以及

與所述第二半導體圖案布置在同一層上的第二電極，并且

所述第二絕緣層被布置在所述第一電極和所述第二電極之間。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中所述第二絕緣層在所述第一電極和所述第二電極之間的厚度大于在所述第一控制電極和所述第二半導體圖案之間的厚度。

6.根據權利要求4所述的半導體裝置，所述第一電容器進一步包括布置在所述第二絕緣層和所述第二電極之間的第三半導體圖案，

其中所述第三半導體圖案包括所述第二半導體圖案的氧化物半導體，并且

所述第二電極和所述第三半導體圖案彼此接觸。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，進一步包括布置在所述第一控制電極和所述第二半導體圖案之間的第一導電圖案，

其中所述第二絕緣層包括：

布置在所述第一導電圖案下方并且覆蓋所述第一控制電極的第一子絕緣層；以及

布置在所述第一導電圖案上并且覆蓋所述第一導電圖案的第二子絕緣層。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第一控制電極和所述第一導電圖案是第二電容器的部分。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第一導電圖案被配置為接收接地信號。

10.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第一導電圖案和所述第二控制電極被配置為接收相同的信號。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一控制電極被配置為接收第一控制信號，并且

所述第二控制電極被配置為接收第二控制信號，所述第二控制信號獨立于所述第一控制信號。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置，進一步包括連接到所述第一薄膜晶體管的發光二極管。