[發明專利]像素單元及其制造方法以及成像裝置

在審

• 申請號: 201810052403.9
• 申請日: 2018-01-19
• 公開（公告）號: CN108257997A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 陳世杰;黃曉櫓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種像素單元，其特征在于，包括：

襯底，包括用于光電器件的第一部分和用于與所述光電器件耦合的晶體管的第二部分，其中

所述第一部分在所述襯底的表面處具有第一表面，并且所述第一部分包括第一摻雜區；

所述第二部分包括：

溝道形成區，與所述第一摻雜區相鄰，所述溝道形成區的導電類型與所述第一摻雜區的導電類型相反，以及

與溝道形成區相鄰的第二摻雜區；

在所述襯底之上且至少覆蓋所述第一表面的至少一部分的調節絕緣層。

2.如權利要求1所述的像素單元，其特征在于，其中所述調節絕緣層包括：

在所述第一表面之上的第一層，所述第一層由非高k材料的電介質材料形成；以及

在所述第一層之上的第二層，所述第二絕緣層由包含金屬元素的高k材料形成，并且

所述第二層與所述第一表面的至少一部分重疊。

3.如權利要求1或2所述的像素單元，其特征在于，其中所述第一部分還包括：

在第一摻雜區之下的第三摻雜區，

其中，所述第一摻雜區的導電類型與所述第三摻雜區的導電類型相同。

4.如權利要求1或2所述的像素單元，其特征在于，其中所述第一部分還包括：

在第一摻雜區之下的第三摻雜區，以及

在第一摻雜區之上的第四摻雜區，

其中，所述第一摻雜區的導電類型與第四摻雜區的導電類型相反，與所述第三摻雜區的導電類型相同。

5.如權利要求4所述的像素單元，其特征在于，所述第一部分還包括：

第五摻雜區，在所述第一摻雜區之上并在所述第四摻雜區和所述溝道形成區之間，

其中所述第五摻雜區與所述第四摻雜區導電類型相同。

6.如權利要求2所述的像素單元，其特征在于，還包括開口和絕緣填充部，所述開口露出所述第一表面的至少一部分，

其中，所述第一層形成在所述開口的側壁和所述第一表面的所述至少一部分上，

所述第二層包括在所述開口中的部分；以及

所述絕緣填充部形成在所述第二層上以填充所述開口。

7.如權利要求2所述的像素單元，其特征在于，還包括開口和絕緣填充部，所述開口露出所述第一層的至少一部分，

其中，所述第二層形成在所述開口的側壁和所述第一層的所述至少一部分上，

所述絕緣填充部形成在所述第二層上以填充所述開口。

8.如權利要求6或7所述的像素單元，其特征在于，還包括：

在所述開口外側的第三絕緣膜；或者

在所述開口的外側的偽隔離物和在偽隔離物外側的第三絕緣膜。

9.如權利要求1所述的像素單元，其特征在于，其中所述像素單元還包括在溝道形成區之上的柵極結構，所述柵極結構包括：

在所述溝道形成區之上的柵極絕緣層，

在所述柵極絕緣層之上的柵極，以及

用于柵極的隔離物。

10.如權利要求1所述的像素單元，其特征在于，其中：

所述第一摻雜區作為所述晶體管的源極區和漏極區中的一個，并且

所述第二摻雜區作為所述晶體管的源極區和漏極區中的另一個。