[發明專利]利用氧化石墨烯基晶硅制絨添加劑制備硅太陽能電池絨面的方法

有效

• 申請號: 201810051182.3
• 申請日: 2018-01-18
• 公開（公告）號: CN108221057B
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 張鵬偉;張新鵬;馬生華;胡威;管丹;李俠
• 申請（專利權）人: 西安潤威光電科技有限公司
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10;C30B29/06;H01L31/0236
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 李紅媛

一種氧化石墨烯基晶硅制絨添加劑及制備方法和利用其制備硅太陽能電池絨面的方法，它涉及一種硅制絨添加劑及制備方法和利用其制備硅太陽能電池絨面的方法。本發明的目的是要解決現有金剛石切割硅片后進行酸制絨無法獲得理想的絨面，制備的硅太陽能電池絨面的反射率高的問題。一種氧化石墨烯基晶硅制絨添加劑按重量份數由94份～100份質量分數為0.1％～2％的氧化石墨烯水分散液和0份～6份有機試劑制備而成；方法：一、稱料；二、超聲分散。單晶硅太陽能電池絨面制備方法：一、制備反應液；二、加熱反應液；三、反應。多晶硅太陽能電池絨面制備方法：一、制備反應液；二、冷卻反應液；三、反應。本發明適用于制備硅太陽能電池絨面。

技術領域

本發明涉及一種硅制絨添加劑及制備方法和利用其制備硅太陽能電池絨面的方法。

背景技術

目前晶體硅太陽能電池片的切割主要由固體磨料金剛石線鋸切割逐漸取代砂漿多線切割技術。相對于傳統的砂漿多線切割，金剛線切割因具有切割硅片更薄，效率高、切割硅料易回收和環境清潔等優點，而成為當今光伏領域切割晶體硅主要切割技術。

然而，與現有砂漿多線切割技術不同，金剛石線切割多晶硅片表面損傷少，并且多晶硅片上形成切割紋，導致在制絨過程中，使用現有基于硅片表面損傷的擇優各向同性腐蝕的酸制絨技術難以消除切割紋，從而無法獲得理想的絨面，導致金剛石切割技術的應用推廣得到限制，從而使得制絨后硅片的反射率不能滿足工業生產要求等。

現有方法制備的硅太陽能電池絨面的反射率高，約為29％以上。

發明內容

本發明的目的是要解決現有金剛石切割硅片后進行酸制絨無法獲得理想的絨面，制備的硅太陽能電池絨面的反射率高的問題，而提供一種氧化石墨烯基晶硅制絨添加劑及制備方法和利用其制備硅太陽能電池絨面的方法。

一種氧化石墨烯基晶硅制絨添加劑按重量份數由94份～100份質量分數為0.1％～2％的氧化石墨烯水分散液和0份～6份有機試劑制備而成；

所述的有機試劑為季戊四醇、無水醋酸鈉、聚乙烯醇、聚乙二醇、異丙醇、無水乙醇、正丁醇、二乙二醇、異丁醇、乙二醇、正丙醇、乙二醇乙醚、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、P123三嵌段共聚物、三乙醇胺、酒石酸和硅烷偶聯劑中的一種或其中幾種的混合液。

一種氧化石墨烯基晶硅制絨添加劑的制備方法，具體是按以下步驟完成的：

一、稱料：

按重量份數稱取94份～100份質量分數為0.1％～2％的氧化石墨烯水分散液和0份～6份有機試劑；

二、超聲分散：

將步驟一中稱取的94份～100份質量分數為0.1％～2％的氧化石墨烯水分散液分散到0份～6份有機試劑中，再在超聲波頻率為100Hz～750Hz下超聲分散20min～200min，得到氧化石墨烯基晶硅制絨添加劑。

當硅太陽能電池絨面為單晶硅太陽能電池絨面時，利用氧化石墨烯基晶硅制絨添加劑制備硅太陽能電池絨面的方法，具體是按以下步驟完成的

一、將氧化石墨烯基晶硅制絨添加劑與堿溶液混合均勻，得到反應液；

步驟一中所述的堿溶液為質量分數為10％～20％的NaOH水溶液；

步驟一中所述的氧化石墨烯基晶硅制絨添加劑的質量與堿溶液的體積比為(0.5g～5g):100mL；

二、將反應液加入到恒溫槽中，再進行加熱，將反應液的溫度升溫至60℃～90℃；

三、將單晶硅片浸入到溫度為60℃～90℃的反應液中反應50s～300s，再將單晶硅片取出，使用蒸餾水對單晶硅片清洗3次～5次，得到單晶硅太陽能電池絨面，即完成利用氧化石墨烯基晶硅制絨添加劑制備硅太陽能電池絨面的方法。