[發明專利]閃存存儲裝置用閾值電壓參數排序方法及裝置在審
| 申請號: | 201810049744.0 | 申請日: | 2018-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN108320774A | 公開(公告)日: | 2018-07-24 |
| 發明(設計)人: | 黃中柱;李庭育;施朱美;許豪江 | 申請(專利權)人: | 江蘇華存電子科技有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/34 | 分類號: | G11C16/34;G11C16/26 |
| 代理公司: | 蘇州廣正知識產權代理有限公司 32234 | 代理人: | 張漢欽 |
| 地址: | 226300 江蘇省南通市高新*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 閃存數據 閾值電壓參數 閾值電壓 閃存存儲裝置 成功率 讀取 重新讀取 參數組 組參數 排序 閾值電壓調整 錯誤發生 讀取單元 降序排列 排序單元 排序裝置 偵測單元 偏移 閃存 偵測 更新 記錄 | ||
1.一種閃存存儲裝置用閾值電壓參數排序方法,其特征在于,包括:
讀取步驟,從閃存中初次讀取閃存數據;
偵錯步驟,偵測到閃存數據有錯誤發生;
重讀步驟,依序透過閾值電壓參數列表中某一組參數設定改變閾值電壓的偏移值,利用調整后的閾值電壓重新讀取閃存數據,當讀取閃存數據正確或達到參數列表中參數組數的上限為止;
成功率更新及排序步驟,對重新讀取閃存數據正確的閾值電壓所對應的某一組參數,更新其成功率記錄,并按各組參數的成功率做降序排列。
2.根據權利要求1所述的閃存存儲裝置用閾值電壓參數排序方法,其特征在于,閾值電壓參數列表包括參數0-參數n,n≥1且為正整數;初次讀取閃存數據的閾值電壓對應參數列表中的參數0;
所述重讀步驟包括:
利用公式m=m+1對m重新賦值,m的初始值為0;
判斷m是否大于n,若是,結束重讀步驟;若否,進入下一步;
設定第m組參數來調整閾值電壓,并用調整后的閾值電壓重新讀取閃存數據;
判斷第m組參數調整后的閾值電壓重讀的閃存數據是否正確,若是,進入成功率更新及排序步驟;若否,重新開始重讀步驟。
3.一種閃存存儲裝置用閾值電壓參數排序裝置,其特征在于,包括讀取單元、偵測單元、參數組數選定單元、閾值電壓調整單元和成功率排序單元,其中,
所述偵測單元對所述讀取單元從閃存中初次讀取的閃存數據進行偵測,偵測到錯誤時,發送錯誤信號給所述參數組數選定單元;
所述參數組數選定單元按照閾值電壓參數列表的排序,依次選定某一組參數發送給所述閾值電壓調整單元,直至參數列表中參數組數的上限為止;
所述閾值電壓調整單元根據接收的一組參數改變閾值電壓的偏移值,并將偏移值發送給所述讀取單元以重新讀取閃存數據;
所述偵測單元對重新讀取的閃存數據進行偵測,閃存數據錯誤時,發送錯誤信號給所述參數組數選定單元以進入下一個循環;閃存數據正確時,發送包含有正確信號給所述成功率排序單元;該正確信號包含重新讀取閃存數據正確的閾值電壓所對應的參數的組數;
所述成功率排序單元對重新讀取閃存數據正確的閾值電壓所對應的某一組參數,更新其成功率記錄,并按各組參數的成功率做降序排列。
4.根據權利要求3所述的閃存存儲裝置用閾值電壓參數排序裝置,其特征在于,閾值電壓參數列表包括參數0-參數n,n≥1且為正整數;初次讀取閃存數據的閾值電壓對應參數列表中的參數0;
所述參數組數選定單元利用公式m=m+1對m重新賦值,m的初始值為0;然后,判斷m是否大于n,若是,結束;若否,將第m組參數發送給所述閾值電壓調整單元。
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