[發(fā)明專利]可變速比隧道式濺射鍍膜機在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810048979.8 | 申請日: | 2018-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN108359943A | 公開(公告)日: | 2018-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李可峰;許仁;符東浩;虞文韜;王偉 | 申請(專利權(quán))人: | 維達力實業(yè)(深圳)有限公司;萬津科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;C23C14/50 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 鄭彤 |
| 地址: | 518129 廣東省深圳市龍崗區(qū)坂田街*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鍍膜 掛架 鍍膜腔 內(nèi)筒 外筒 濺射鍍膜機 可變速比 隧道式 內(nèi)壁 射頻離子源 驅(qū)動部件 掛桿 封閉連接 環(huán)狀排列 封閉狀 靶槽 產(chǎn)能 轉(zhuǎn)動 平行 驅(qū)動 | ||
本發(fā)明公開了一種可變速比隧道式濺射鍍膜機。該可變速比隧道式濺射鍍膜機包括鍍膜筒、射頻離子源、鍍膜掛架以及掛架驅(qū)動部件,鍍膜筒包括內(nèi)筒以及外筒,內(nèi)筒以及外筒之間具有間隔且該間隔形成鍍膜腔,內(nèi)筒的兩端以及外筒的兩端對應(yīng)封閉連接使得鍍膜腔呈封閉狀,外筒的朝向鍍膜腔的內(nèi)壁上或者內(nèi)筒朝向鍍膜腔的內(nèi)壁上設(shè)有多個鍍膜靶槽,射頻離子源連接在外筒的朝向鍍膜腔的內(nèi)壁上或者內(nèi)筒朝向鍍膜腔的內(nèi)壁上,鍍膜掛架呈環(huán)狀,鍍膜掛架位于鍍膜腔內(nèi)且鍍膜掛架套設(shè)于內(nèi)筒,鍍膜掛架上連接有多個掛桿,多個掛桿平行且呈環(huán)狀排列,掛架驅(qū)動部件連接于鍍膜掛架以用于驅(qū)動鍍膜掛架轉(zhuǎn)動。該可變速比隧道式濺射鍍膜機能夠有效提升產(chǎn)能以及效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種可變速比隧道式濺射鍍膜機。
背景技術(shù)
在鍍膜領(lǐng)域,目前使用的度鍍膜機的線長較長、占用空間大,成本較高并且存在小腔室掛量少、產(chǎn)能低、抽空時間長、加熱時間長以及產(chǎn)能提升幅度有限的問題,甚至存在不同種類靶材間交叉污染的問題。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要提供一種能夠有效提升產(chǎn)能以及效率的可變速比隧道式濺射鍍膜機。
一種可變速比隧道式濺射鍍膜機,包括鍍膜筒、射頻離子源、鍍膜掛架、掛架驅(qū)動部件以及自轉(zhuǎn)驅(qū)動部件,所述鍍膜筒包括內(nèi)筒以及外筒,所述內(nèi)筒以及所述外筒之間具有間隔且該間隔形成鍍膜腔,所述鍍膜腔的兩端封閉,所述外筒朝向所述鍍膜腔的內(nèi)壁上或者所述內(nèi)筒朝向所述鍍膜腔的外壁上設(shè)有多個鍍膜靶槽,所述射頻離子源連接在所述外筒朝向所述鍍膜腔的內(nèi)壁上或者所述內(nèi)筒朝向所述鍍膜腔的外壁上,所述鍍膜掛架呈環(huán)狀,所述鍍膜掛架位于所述鍍膜腔內(nèi)且所述鍍膜掛架套設(shè)于所述內(nèi)筒,所述鍍膜掛架上連接有多個用于供待鍍基材放置的掛桿,多個所述掛桿平行且呈環(huán)狀排列,所述掛架驅(qū)動部件連接于所述鍍膜掛架以用于驅(qū)動所述鍍膜掛架轉(zhuǎn)動,所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動部件的數(shù)量與所述掛桿的數(shù)量一致,各個所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動部件均連接在所述鍍膜掛架上,各個所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動部件上分別連接有一個所述掛桿,所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動部件用于驅(qū)動所述掛桿相對于所述鍍膜掛架轉(zhuǎn)動。
在其中一個實施例中,還包括靶槽擋板,所述靶槽擋板的數(shù)量與所述鍍膜靶槽的數(shù)量一致,多個所述靶槽擋板與多個所述鍍膜靶槽一一對應(yīng),所述靶槽擋板連接在所述外筒的朝向所述鍍膜腔的內(nèi)壁上或者所述內(nèi)筒朝向所述鍍膜腔的外壁上,所述鍍膜擋板用于打開或者關(guān)閉所述鍍膜靶槽。
在其中一個實施例中,所述外筒朝向所述鍍膜腔的內(nèi)壁上設(shè)有多個鍍膜靶槽,所述射頻離子源連接在所述內(nèi)筒朝向所述鍍膜腔的外壁上;或者,所述內(nèi)筒朝向所述鍍膜腔的外壁上設(shè)有多個鍍膜靶槽,所述射頻離子源連接在所述外筒朝向所述鍍膜腔的內(nèi)壁上。
在其中一個實施例中,所述射頻離子源的數(shù)量為多個。
在其中一個實施例中,所述內(nèi)筒呈圓柱狀,所述外筒呈圓柱狀,所述鍍膜掛架呈圓環(huán)狀,所述內(nèi)筒、所述外筒以及所述鍍膜掛架共軸。
在其中一個實施例中,還包括第一鍍膜遮擋件,所述第一鍍膜遮擋件呈筒形,所述第一鍍膜遮擋件位于所述鍍膜掛架以及所述內(nèi)筒之間,所述第一鍍膜遮擋件套設(shè)于所述內(nèi)筒,所述第一鍍膜遮擋件連接于所述掛架驅(qū)動部件,所述第一鍍膜遮擋件與所述鍍膜掛架相對靜止,所述第一鍍膜遮擋件的側(cè)壁上具有多個第一鍍膜通孔,多個所述第一鍍膜通孔與多個所述掛桿一一對應(yīng)。
在其中一個實施例中,還包括第二鍍膜遮擋件,所述第二鍍膜遮擋件呈筒形,所述第二鍍膜遮擋件位于所述鍍膜掛架以及所述外筒之間,所述第二鍍膜遮擋件套設(shè)于所述鍍膜掛架,所述第二鍍膜遮擋件連接于所述掛架驅(qū)動部件,所述第二鍍膜遮擋件與所述鍍膜掛架能夠同步運動,所述第二鍍膜遮擋件的側(cè)壁上具有多個第二鍍膜通孔,多個所述第二鍍膜通孔與多個所述掛桿一一對應(yīng)。
在其中一個實施例中,還包括預(yù)進料室,所述外筒的側(cè)壁具有進料口,所述預(yù)進料室位于所述外筒的外部且連接于所述外筒,所述預(yù)進料室通過所述進料口連通于所述鍍膜腔。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于維達力實業(yè)(深圳)有限公司;萬津科技有限公司,未經(jīng)維達力實業(yè)(深圳)有限公司;萬津科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810048979.8/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





