[發(fā)明專利]引線框的制造方法和引線框

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810045059.0
• 申請(qǐng)日: 2018-01-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108364873B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石橋貴弘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社三井高科技
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L23/495
• 代理公司: 北京奉思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11464
• 代理人: 劉欣欣;張潤(rùn)華

一種引線框的制造方法，包括：在金屬板上形成圖案的圖案形成步驟，其中，圖案包括：芯片焊盤(pán)、設(shè)置在芯片焊盤(pán)的周圍的多條引線、設(shè)置為遮斷多條引線與芯片焊盤(pán)的面對(duì)該多條引線的側(cè)面之間的空間的虛設(shè)焊盤(pán)；在圖案形成步驟之后利用鍍層掩膜覆蓋金屬板的前表面的掩膜步驟，其中，鍍層掩膜覆蓋芯片焊盤(pán)的全部和虛設(shè)焊盤(pán)的至少一部分，并且包括形成為使多條引線的在芯片焊盤(pán)側(cè)處的末端部露出的開(kāi)口部；以及在掩膜步驟之后經(jīng)由鍍層掩膜的開(kāi)口部在多條引線的末端部中形成鍍膜的鍍層步驟。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)的實(shí)施例涉及引線框的制造方法和引線框。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有技術(shù)的引線框中，為了提高與鍵合線的附著性，已知在形成于芯片焊盤(pán)(die?pad)的四周的多條引線的末端部上形成諸如Ag鍍層這樣的鍍膜的技術(shù)(例如，參見(jiàn)專利文獻(xiàn)1)。

專利文獻(xiàn)1:JP-A-11-340399

發(fā)明內(nèi)容

然而，在現(xiàn)有技術(shù)的引線框中，當(dāng)在利用由樹(shù)脂板等構(gòu)成的鍍層掩膜覆蓋引線框的同時(shí)在引線的末端部上形成鍍膜時(shí)，鍍層成分從鍍層掩膜的露出引線的末端部的開(kāi)口部擴(kuò)散到芯片焊盤(pán)側(cè)，并且可能在芯片焊盤(pán)的側(cè)面上形成鍍膜。

這里，在利用這樣的引線框構(gòu)成其中芯片焊盤(pán)的底面從密封樹(shù)脂露出這樣的露出焊盤(pán)型半導(dǎo)體裝置的情況下，芯片焊盤(pán)與密封樹(shù)脂之間的附著性由于形成在芯片焊盤(pán)的側(cè)面上的鍍膜而降低。因此，擔(dān)心在芯片焊盤(pán)的側(cè)面上發(fā)生密封樹(shù)脂的剝落或破裂。

鑒于以上描述做出了實(shí)施例的方面，并且其目的是提供引線框的制造方法和引線框，其能夠抑制芯片焊盤(pán)的側(cè)面上的密封樹(shù)脂的剝落或破裂。

根據(jù)實(shí)施例的方面的引線框的制造方法包括：圖案形成步驟、掩膜步驟和鍍層步驟。圖案形成步驟在金屬板上形成圖案，其中，所述圖案包括：芯片焊盤(pán)；多條引線，該多條引線設(shè)置在所述芯片焊盤(pán)的周圍；虛設(shè)焊盤(pán)，該虛設(shè)焊盤(pán)設(shè)置為遮斷所述多條引線與所述芯片焊盤(pán)的面對(duì)所述多條引線的側(cè)面之間的空間。在所述圖案形成步驟之后，掩膜步驟利用鍍層掩膜覆蓋所述金屬板的前表面，其中，所述鍍層掩膜覆蓋所述芯片焊盤(pán)的全部和所述虛設(shè)焊盤(pán)的至少一部分，并且包括形成為用于使所述多條引線的在芯片焊盤(pán)側(cè)的末端部露出的開(kāi)口部。在所述掩膜步驟之后，鍍層步驟經(jīng)由所述鍍層掩膜的開(kāi)口部在所述多條引線的末端部中形成鍍膜。

根據(jù)實(shí)施例的方面，能夠提供能夠抑制在芯片焊盤(pán)的側(cè)面上發(fā)生密封樹(shù)脂的剝落或破裂的引線框的制造方法和引線框。

附圖說(shuō)明

在附圖中：

圖1是圖示出根據(jù)第一實(shí)施例的引線框的各個(gè)制造步驟的放大平面圖和截面圖；

圖2A是通過(guò)使用根據(jù)第一實(shí)施例的引線框而構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置的透視平面圖；

圖2B是沿著圖2A所示的線IIB-IIB截取的截面圖；

圖3A是圖示出根據(jù)第一實(shí)施例的變形例1的圖案形成步驟的放大平面圖；

圖3B是圖示出根據(jù)第一實(shí)施例的變形例2的圖案形成步驟的放大平面圖；

圖3C是圖示出根據(jù)第一實(shí)施例的變形例3的圖案形成步驟的放大平面圖；

圖3D是圖示出根據(jù)第一實(shí)施例的變形例4的圖案形成步驟的放大平面圖；

圖4A是通過(guò)使用根據(jù)第二實(shí)施例的引線框而構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置的透視平面圖；

圖4B是沿著圖4A所示的線IVB-IVB截取的截面圖；和

圖5是圖示出根據(jù)第二實(shí)施例的彎曲步驟的放大平面圖和截面圖。

與本公開(kāi)的實(shí)施例的元件對(duì)應(yīng)的參考標(biāo)記列出如下：

1：引線框

10：芯片焊盤(pán)