[發(fā)明專利]一種磁控濺射生長大面積、高度有序納米顆粒的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810042756.0
• 申請日: 2018-01-17
• 公開（公告）號: CN108374153B
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發(fā)明（設計）人: 卞岳;湯琨;許鐘華;沈洋;葉建東;朱順明;顧書林
• 申請（專利權(quán)）人: 南京大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58;B82Y30/00
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 陳建和

1.一種磁控濺射生長大面積、高度有序納米顆粒的方法，其特征是，步驟如下：對襯底進行清洗處理，襯底進行清洗處理指依次采用丙酮、酒精、去離子水對襯底進行清洗；對襯底采用小功率氧氣等離子體、采用氫氟酸溶液浸泡或采用紫外光表面處理機對清洗干凈的襯底進行親水處理；

將聚甲基丙烯酸支撐的多孔氧化鋁薄膜模板PMMA/AAO轉(zhuǎn)移至丙酮溶液中去除超薄多孔氧化鋁的PMMA支撐層；將去除了PMMA支撐層的超薄多孔氧化鋁轉(zhuǎn)移至30wt%過氧化氫溶液中室溫浸泡2至10小時進行親水處理；將親水處理后的超薄多孔氧化鋁轉(zhuǎn)移至丙酮溶液中，在丙酮溶液中將超薄多孔氧化鋁轉(zhuǎn)移至經(jīng)親水處理的襯底上并室溫風干；將覆蓋有多孔氧化鋁的襯底固定于平行對著磁控濺射濺射源的襯底托上；采用磁控濺射生長相應金屬材料；磁控濺射生長完成金屬材料后，采用聚酰亞胺高溫膠帶揭除或采用5~10 wt %的NaOH去除多孔氧化鋁，獲得大面積、高度有序納米顆粒；

所述多孔氧化鋁的孔直徑與膜厚比例為1:3~1:6；

制備的納米顆粒間隔在1nm至500nm之間；

制備的納米顆粒高度在1nm至30nm之間；

所制備的納米顆粒包括金屬和合金納米顆粒，包括氮化鈦、鎳、鈦、鋅、鉻、鎂、鈮、錫、鋁、銦、鐵、鋯鋁、鈦鋁、鋯、鋁硅、銅、鉭、鍺、銀、鈷、金、釓、鑭、釔、鈰、鎢、不銹鋼、鎳鉻、鉿、鉬或鐵鎳。

2.根據(jù)要求1所述的磁控濺射生長大面積、高度有序納米顆粒的方法，其特征是，所制備的納米顆粒包括半導體納米顆粒，即包括硅、碳化硅、氮化硅、氧化鋅、硫化鋅、碲化鋅、鋅鎂氧、氧化鎵或二氧化鈦。

3.根據(jù)要求1所述的磁控濺射生長大面積、高度有序納米顆粒的方法，其特征是，所制備的納米顆粒包括金屬氧化物絕緣體納米顆粒，即包括氧化鋁或二氧化硅。

4.根據(jù)要求1所述的磁控濺射生長大面積、高度有序納米顆粒的方法，其特征是，所制備的納米顆粒包括超導體納米顆粒，即包括二硒化碳或鐵碲錫。