[發明專利]線圈電子組件及其制造方法有效
| 申請號: | 201810042232.1 | 申請日: | 2018-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN108573791B | 公開(公告)日: | 2020-10-09 |
| 發明(設計)人: | 金材勛 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01F17/04 | 分類號: | H01F17/04;H01F27/28;H01F27/32;H01F27/30;H01F41/04 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 馬金霞;馬翠平 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 線圈 電子 組件 及其 制造 方法 | ||
本發明提供一種線圈電子組件及其制造方法。所述線圈電子組件包括支撐構件和由支撐構件支撐的多個絕緣圖案。所述多個絕緣圖案中的每個包括與支撐構件的通孔相鄰的最內絕緣圖案、位于最內絕緣圖案的相對側上的最外絕緣圖案以及位于所述最內絕緣圖案與所述最外絕緣圖案之間的多個中心絕緣圖案。所述多個中心絕緣圖案中的至少一個在其與支撐構件接觸的下表面處具有其最大的寬度。
本申請要求于2017年3月7日提交的第10-2017-0028671號韓國專利申請以及于2017年3月16日提交的第10-2017-0033269號韓國專利申請的優先權的權益,該兩個韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。
技術領域
本公開涉及一種線圈電子組件,更具體地,涉及一種具有小尺寸和高電感的功率電感器。
背景技術
根據信息技術(IT)的發展,電子裝置和電子組件已經被快速地小型化并變薄。因此,已經增大了對小、薄裝置的市場需求。
根據獲得具有均勻厚度和高的厚寬比的線圈的電感器的技術趨勢,韓國專利公開第10-1999-0066108號提供了一種功率電感器,該功率電感器包括具有通路孔(via hole)的基板以及設置在基板的相對的表面上并通過基板中的通路孔彼此電連接的線圈。然而,制造工藝仍然限制了獲得均勻厚度和高的厚寬比的能力。
發明內容
本公開的一方面可提供一種電感器,所述電感器雖然包括具有高的厚寬比的線圈但是能夠克服以上描述的限制并在整體結構方面穩定且可靠。
根據本公開的一方面,一種線圈電子組件可包括主體和設置在所述主體的外表面上的外部電極。所述主體可包括多個線圈圖案、位于所述多個線圈圖案中的相鄰線圈圖案之間的多個絕緣圖案、與所述多個線圈圖案的上表面接觸的絕緣涂覆部以及支撐所述多個線圈圖案和所述多個絕緣圖案的支撐構件。所述多個絕緣圖案中的每個可包括最外絕緣圖案、最內絕緣圖案和位于所述最外絕緣圖案與所述最內絕緣圖案之間的多個中心絕緣圖案。在厚度方向的截面圖中,所述多個中心絕緣圖案中的一個或更多個中心絕緣圖案可在所述一個或更多個中心絕緣圖案與所述支撐構件接觸的地方具有最大寬度。所述一個或更多個中心絕緣圖案可包括位于所述一個或更多個中心絕緣圖案的最上表面與最下表面之間寬度改變的改變部。
根據本公開的另一方面,一種線圈電子組件可包括支撐構件、由所述支撐構件支撐并彼此連接的多個線圈圖案以及由所述支撐構件支撐并涂覆所述多個線圈圖案的側表面和上表面兩者的絕緣部。涂覆所述多個線圈圖案的側表面的側表面絕緣部可與涂覆所述多個線圈圖案的所述上表面的上表面絕緣部一體地構造。所述側表面絕緣部的下表面的寬度可以在所述側面絕緣部與所述支撐構件接觸處最大。
根據本公開的另一方面,一種線圈電子組件可包括:支撐構件,包括通孔;線圈,圍繞所述通孔以線圈形狀位于所述支撐構件的表面上,并包括彼此連接的多個線圈圖案,其中,在厚度方向的截面圖中,相鄰的線圈圖案彼此分開;最內絕緣圖案,位于所述線圈的與所述通孔相鄰的內側表面上;最外絕緣圖案,位于所述線圈的在所述線圈的外圍側上的外側表面上;多個中心絕緣圖案,位于所述線圈的相鄰的線圈圖案之間,包括:下中心絕緣部,與所述支撐構件接觸并具有沿所述厚度方向大體上恒定的第一寬度;上中心絕緣部,位于所述下中心絕緣部上方,并具有沿所述厚度方向大體上恒定的第二寬度;絕緣涂覆部,位于所述多個線圈圖案的上表面上并位于所述多個中心絕緣圖案的上表面上;磁性主體,填充所述通孔并封裝所述線圈;以及外電極,位于所述磁性主體的在與所述厚度方向垂直的長度方向上彼此相對的相應的側表面上,其中,所述第一寬度比所述第二寬度大。
根據本公開的另一方面,一種制造線圈電子組件的方法可包括:在支撐構件上形成中心絕緣圖案的下部;在所述支撐構件上形成最內絕緣圖案和最外絕緣圖案;在所述中心絕緣圖案的所述下部上形成所述中心絕緣圖案的上部;以及在所述最內絕緣圖案、所述最外絕緣圖案和所述中心絕緣圖案之間的區域中形成線圈圖案。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星電機株式會社,未經三星電機株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810042232.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:基于IGBT控制的單相節能型三角形脈沖磁場發生器
- 下一篇:共模扼流圈





