[發明專利]薄膜晶體管及制備方法、顯示裝置有效

申請號：	201810040934.6	申請日：	2018-01-16
公開（公告）號：	CN108258060B	公開（公告）日：	2022-02-08
發明（設計）人：	武曉娟;袁洪亮;王建	申請（專利權）人：	京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
主分類號：	H01L29/861	分類號：	H01L29/861;H01L21/336;H01L29/06
代理公司：	北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201	代理人：	趙天月
地址：	100015 ***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	薄膜晶體管制備方法顯示裝置
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【權利要求書】：

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

襯底；

柵極，所述柵極設置在所述襯底上；

柵絕緣層，所述柵絕緣層設置在所述柵極遠離所述襯底的一側；

屏蔽結構，所述屏蔽結構設置在所述柵絕緣層遠離所述柵極的一側；

有源層，所述有源層設置在所述屏蔽結構遠離所述柵絕緣層的一側，所述有源層具有溝道區；

源極以及漏極，所述源極以及所述漏極設置在所述有源層遠離所述屏蔽結構的一側，

其中，所述屏蔽結構包括金屬單元以及絕緣層，

其中，所述金屬單元設置在所述柵絕緣層遠離所述柵極的一側，

所述絕緣層設置在所述金屬單元遠離所述柵絕緣層的一側；

所述金屬單元進一步包括：

第一金屬單元，所述第一金屬單元靠近所述漏極設置；以及

第二金屬單元，所述第二金屬單元與所述第一金屬單元同層設置，且所述第二金屬單元靠近所述源極設置；

所述柵極在所述襯底上正投影和所述漏極在所述襯底上正投影之間的交疊區域，位于所述第一金屬單元在所述襯底上的正投影區域內；所述柵極在所述襯底上正投影和所述源極在所述襯底上正投影之間的交疊區域，位于所述第二金屬單元在所述襯底上的正投影區域內；

所述第一金屬單元具有相對的第一邊緣和第二邊緣，所述第二金屬單元具有相對的第三邊緣和第四邊緣，所述柵極具有相對的第五邊緣和第六邊緣，所述第五邊緣靠近所述漏極設置，所述第六邊緣靠近所述源極設置；所述第一邊緣在所述襯底上的正投影位于所述柵極的第五邊緣在所述襯底上的正投影遠離所述有源層中未被所述源極和所述漏極覆蓋的部分的一側，所述第二邊緣在所述襯底上的正投影位于所述有源層中未被所述源極和所述漏極覆蓋的部分在所述襯底上的正投影的范圍之內；

所述第三邊緣在所述襯底上的正投影位于所述有源層中未被所述源極和所述漏極覆蓋的部分在所述襯底上的正投影的范圍之內，所述第四邊緣在所述襯底上的正投影位于所述柵極的第六邊緣在所述襯底上的正投影遠離所述有源層中未被所述源極和所述漏極覆蓋的部分的一側。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一金屬單元以及所述第二金屬單元分別是由孤島狀的條形金屬形成的。

3.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1或2所述的薄膜晶體管。

4.一種制備薄膜晶體管的方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上設置柵極；

在所述柵極遠離所述襯底的一側設置柵絕緣層；

在所述柵絕緣層遠離所述柵極的一側設置屏蔽結構；

在所述屏蔽結構遠離所述柵絕緣層的一側設置有源層，所述有源層具有溝道區；

在所述有源層遠離所述屏蔽結構的一側設置源極以及漏極，

其中，

所述屏蔽結構包括金屬單元以及絕緣層，其中，所述金屬單元設置在所述柵絕緣層遠離所述柵極的一側，