[發(fā)明專利]一種存儲(chǔ)器電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810029754.8
• 申請(qǐng)日: 2018-01-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107993687B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊燕;王海時(shí);彭映杰;李英祥;王天寶;杜江;陳霞;王濱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都信息工程大學(xué)
• 主分類號(hào): G11C16/22
• 分類號(hào): G11C16/22;G11C16/26;G11C29/42
• 代理公司: 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214
• 代理人: 錢成岑

本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)器電路，包括存儲(chǔ)器陣列單元電路、行譯碼器電路、列譯碼器電路、頁(yè)緩存電路、邏輯控制電路以及IO接口電路。在MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器中嵌入ECC編解碼電路，對(duì)MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器編程操作時(shí)，編程的數(shù)據(jù)通過(guò)ECC編碼器編碼后將數(shù)據(jù)傳送至MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器陣列單元中；對(duì)MLC?NAND?Flsah存儲(chǔ)器讀取操作時(shí)，從MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器的陣列單元讀出的數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)ECC解碼器譯碼后讀出至I/O口。MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器中內(nèi)嵌ECC模塊，具備一定的糾正讀寫數(shù)據(jù)出錯(cuò)的能力，從而很大程度上解決了MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器編程和讀取操作中數(shù)據(jù)易出錯(cuò)的問(wèn)題，降低了外部NAND?Flash存儲(chǔ)控制器的設(shè)計(jì)復(fù)雜度，提高了MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器芯片的可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及閃存(Flash?Memory)存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種嵌入ECC(ErrorCorrecting?Code,錯(cuò)誤檢查和糾正)的MLC?NAND?Flash(Multi?Level?Cell，多層單元閃存)存儲(chǔ)器電路。

背景技術(shù)

隨著電子信息技術(shù)的飛速發(fā)展，移動(dòng)智能設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量呈現(xiàn)爆炸式的增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備容量的需求不斷帶動(dòng)著閃存存儲(chǔ)器快速地向更大規(guī)模、更高密度、更高可靠性的方向發(fā)展。NAND?Flash存儲(chǔ)器作為非易失性閃存芯片，其憑借著高密度、大容量等特點(diǎn)在電子系統(tǒng)、通信系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)等領(lǐng)域得到了廣泛的研究與應(yīng)用。然而，隨著集成電路工藝的特征尺寸不斷縮小，存儲(chǔ)設(shè)備容量的不斷擴(kuò)大，芯片的集成度更高，研究與開(kāi)發(fā)更大容量的NAND?Flash存儲(chǔ)器芯片成為存儲(chǔ)器發(fā)展的動(dòng)力。現(xiàn)階段，主流的NAND?Flash存儲(chǔ)器芯片包括SLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器和MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器兩種，SLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器芯片中每個(gè)器件只能存儲(chǔ)一比特?cái)?shù)據(jù)，所以更傾向于小容量、出錯(cuò)率小的應(yīng)用場(chǎng)合。雖然MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器芯片中數(shù)據(jù)的出錯(cuò)率大于SLC?NANDFlash存儲(chǔ)器芯片，但是MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器芯片中每個(gè)器件可以存儲(chǔ)兩比特?cái)?shù)據(jù)，所以，在相等面積和同數(shù)量器件的情況下，MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)容量是SLCNAND?Flash存儲(chǔ)器芯片的兩倍。由此可見(jiàn)，MLC?NAND?Flash的應(yīng)用場(chǎng)合更加廣泛。

在MLC?NAND?Flash中，由于其有四種閾值分布，故在對(duì)其編程、讀取過(guò)程中很容易出現(xiàn)數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)，造成數(shù)據(jù)讀、寫錯(cuò)誤。加之，針對(duì)航天航空領(lǐng)域、軍用領(lǐng)域等高性能要求的應(yīng)用領(lǐng)域，對(duì)MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器芯片具有更為苛刻的高可靠性要求，因此，開(kāi)發(fā)高可靠性的MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器芯片成為存儲(chǔ)器領(lǐng)域的重要研究。在提高存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)可靠性的同時(shí)，既要對(duì)芯片面積有一定的控制，又需要保證編程、讀取訪問(wèn)算法的高效執(zhí)行，成為MLCNAND?Flash存儲(chǔ)器領(lǐng)域的技術(shù)難點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種存儲(chǔ)器電路，在MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器芯片內(nèi)嵌入ECC編解碼電路，對(duì)MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器編程操作時(shí)，所要編程的數(shù)據(jù)通過(guò)ECC編碼器編碼后將數(shù)據(jù)傳送至MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器陣列中；對(duì)MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器讀取操作時(shí)，從MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器的陣列讀出的數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)ECC譯碼器譯碼后讀出至I/O口。MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器中內(nèi)嵌ECC編解碼模塊，具備一定的糾正讀寫數(shù)據(jù)出錯(cuò)的能力，從而很大程度上解決對(duì)MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器在編程和讀取操作中數(shù)據(jù)易出錯(cuò)的問(wèn)題，大大提高了MLC?NAND?Flash存儲(chǔ)器芯片的可靠性，降低了外部NAND?Flash存儲(chǔ)控制器的設(shè)計(jì)復(fù)雜度，很好地解決現(xiàn)有技術(shù)中存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)可靠性的技術(shù)瓶頸。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)器電路，包括：存儲(chǔ)器陣列單元電路、行譯碼器電路、列譯碼器電路、頁(yè)緩存電路、邏輯控制電路以及IO接口電路。

所述存儲(chǔ)器陣列單元電路分別連接行譯碼器電路和列譯碼器電路，存儲(chǔ)器陣列單元電路依次相連頁(yè)緩存電路、邏輯控制電路以及IO接口電路；