[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810029456.9
• 申請(qǐng)日: 2018-01-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109003955B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李起洪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/485
• 分類號(hào): H01L23/485;H01L23/488
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

半導(dǎo)體裝置及其制造方法。一種半導(dǎo)體裝置包括：層疊結(jié)構(gòu)；溝道層，其穿過(guò)層疊結(jié)構(gòu)；阱板，其位于層疊結(jié)構(gòu)下方；源極層，其位于層疊結(jié)構(gòu)和阱板之間；連接結(jié)構(gòu)，其將溝道層彼此聯(lián)接，并且包括接觸源極層的第一觸點(diǎn)和接觸阱板的第二觸點(diǎn)；以及隔離圖案，其將源極層和阱板彼此絕緣。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的各種實(shí)施方式總體上涉及電子裝置，更具體地，涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

非易失性存儲(chǔ)器裝置用于存儲(chǔ)即使沒(méi)有供電也需要維持的數(shù)據(jù)。近來(lái)，在基板上按照單個(gè)層形成存儲(chǔ)器單元的二維非易失性存儲(chǔ)器裝置的集成密度的增加受到限制。因此，已提出了在基板上在垂直方向上層疊存儲(chǔ)器單元的三維非易失性存儲(chǔ)器裝置。

三維非易失性存儲(chǔ)器裝置可包括彼此交替地層疊的層間絕緣層和柵極以及穿過(guò)所述層間絕緣層和所述柵極的溝道層，并且存儲(chǔ)器單元可沿著溝道層層疊。已開(kāi)發(fā)出各種結(jié)構(gòu)和制造方法以改進(jìn)三維非易失性存儲(chǔ)器裝置的操作可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

各種實(shí)施方式涉及一種具有容易的制造工藝、穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)和改進(jìn)的特性的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

根據(jù)實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體裝置可包括：層疊結(jié)構(gòu)；溝道層，其穿過(guò)層疊結(jié)構(gòu)；阱板，其位于層疊結(jié)構(gòu)下方；源極層，其位于層疊結(jié)構(gòu)和阱板之間；連接結(jié)構(gòu)，其將溝道層彼此聯(lián)接并且包括接觸源極層的第一觸點(diǎn)和接觸阱板的第二觸點(diǎn)；以及隔離圖案，其將源極層和阱板彼此絕緣。

根據(jù)實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體裝置可包括：層疊結(jié)構(gòu)；溝道層，其穿過(guò)層疊結(jié)構(gòu)；阱板，其位于層疊結(jié)構(gòu)下方；源極層，其位于層疊結(jié)構(gòu)和阱板之間；連接結(jié)構(gòu)，其位于層疊結(jié)構(gòu)下方，并且包括將溝道層彼此聯(lián)接的聯(lián)接圖案、將聯(lián)接圖案電聯(lián)接到源極層的第一接觸圖案以及將聯(lián)接圖案電聯(lián)接到阱板的第二接觸圖案；以及隔離圖案，其將源極層和阱板彼此絕緣并且將第一接觸圖案和第二接觸圖案彼此絕緣。

根據(jù)實(shí)施方式，一種制造半導(dǎo)體裝置的方法可包括以下步驟：在阱板上形成犧牲結(jié)構(gòu)；在犧牲結(jié)構(gòu)上形成層疊結(jié)構(gòu)；形成穿過(guò)層疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層；形成穿過(guò)層疊結(jié)構(gòu)的狹縫以暴露犧牲結(jié)構(gòu)；通過(guò)穿過(guò)狹縫去除犧牲結(jié)構(gòu)來(lái)形成開(kāi)口；在通過(guò)開(kāi)口暴露的阱板上形成隔離圖案；以及在開(kāi)口中形成第一源極層，其中，第一源極層通過(guò)隔離圖案與阱板絕緣。

附圖說(shuō)明

圖1A至圖1F是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖；

圖2A至圖2D是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的橫截面圖；

圖3A至圖3I是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的橫截面圖；

圖4A至圖4D是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的橫截面圖；

圖5A至圖5F是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的橫截面圖；

圖6A至圖6E是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的橫截面圖；

圖7A至圖7C是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的橫截面圖；

圖8A至圖8H是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的橫截面圖；

圖9和圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的配置的框圖；以及

圖11和圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的計(jì)算系統(tǒng)的配置的框圖。

具體實(shí)施方式

以下，將參照附圖詳細(xì)描述各種示例性實(shí)施方式。在附圖中，為了例示方便，可能夸大組件的厚度和長(zhǎng)度。在以下描述中，為了簡(jiǎn)單和簡(jiǎn)明，可省略相關(guān)功能和構(gòu)造的詳細(xì)描述。貫穿說(shuō)明書(shū)和附圖，相似的標(biāo)號(hào)指代相似的元件。