[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810029456.9
• 申請(qǐng)日: 2018-01-12
• 公開（公告）號(hào): CN109003955B
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李起洪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛(ài)思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/485
• 分類號(hào): H01L23/485;H01L23/488
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

1.一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括：

層疊結(jié)構(gòu)；

溝道層，所述溝道層穿過(guò)所述層疊結(jié)構(gòu)；

阱板，該阱板位于所述層疊結(jié)構(gòu)下方；

源極層，該源極層位于所述層疊結(jié)構(gòu)和所述阱板之間；

連接結(jié)構(gòu)，該連接結(jié)構(gòu)將所述溝道層彼此聯(lián)接，并且該連接結(jié)構(gòu)包括接觸所述源極層的第一觸點(diǎn)和接觸所述阱板的第二觸點(diǎn)；以及

隔離圖案，該隔離圖案將連接到每個(gè)所述溝道層的所述源極層和連接到每個(gè)所述溝道層的所述阱板彼此絕緣。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述隔離圖案被插置在所述阱板和所述源極層之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述連接結(jié)構(gòu)在讀操作期間提供從所述溝道層經(jīng)由所述第一觸點(diǎn)到所述源極層的電流路徑。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述連接結(jié)構(gòu)在擦除操作期間提供從所述阱板經(jīng)由所述第二觸點(diǎn)到所述溝道層的空穴移動(dòng)路徑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置還包括穿過(guò)所述層疊結(jié)構(gòu)并電聯(lián)接到所述源極層的源極拾取線。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述源極層包括：

第一源極層，該第一源極層接觸所述第一觸點(diǎn)；以及

第二源極層，該第二源極層將所述第一源極層電聯(lián)接到所述源極拾取線。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置還包括包圍所述源極拾取線的側(cè)壁的絕緣間隔物。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置還包括插置在所述源極拾取線和所述源極層之間的結(jié)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述隔離圖案包括：

第一區(qū)域，該第一區(qū)域沿著所述阱板的表面延伸；以及

第二區(qū)域，該第二區(qū)域聯(lián)接到所述第一區(qū)域并在所述連接結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上延伸。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述隔離圖案的所述第二區(qū)域被插置在所述第一觸點(diǎn)和所述第二觸點(diǎn)之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述隔離圖案包括：

第一區(qū)域，該第一區(qū)域沿著所述阱板的表面延伸；以及

第二區(qū)域，該第二區(qū)域與所述第一區(qū)域間隔開并接觸所述連接結(jié)構(gòu)的間隙填充絕緣層的側(cè)壁。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置還包括存儲(chǔ)器層，該存儲(chǔ)器層包圍所述溝道層和所述連接結(jié)構(gòu)并且包括暴露所述第一觸點(diǎn)和所述第二觸點(diǎn)的開口。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述連接結(jié)構(gòu)包括：

聯(lián)接圖案，該聯(lián)接圖案將所述溝道層彼此聯(lián)接；

第一接觸圖案，該第一接觸圖案將所述聯(lián)接圖案連接到所述源極層；

第二接觸圖案，該第二接觸圖案將所述聯(lián)接圖案連接到所述阱板；以及

間隙填充絕緣層，該間隙填充絕緣層位于所述聯(lián)接圖案中。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述隔離圖案接觸在所述第一接觸圖案和所述第二接觸圖案之間暴露的所述間隙填充絕緣層。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述層疊結(jié)構(gòu)包括彼此交替地層疊的導(dǎo)電層和絕緣層。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述連接結(jié)構(gòu)朝著所述層疊結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)突出并且與所述導(dǎo)電層當(dāng)中的至少一個(gè)最下方的導(dǎo)電層交疊。