[發(fā)明專利]在存儲器編程期間斜變抑制電壓

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810022406.8
• 申請日: 2015-03-27
• 公開（公告）號: CN107886988B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設計）人: S.拉瓦德;P.卡拉瓦德;N.米爾克;K.帕拉特;S.S.拉胡納桑
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐紅燕;申屠偉進

1.一種存儲器設備，包括：

一個或多個非易失性存儲器單元陣列；以及

對一個或多個非易失性存儲器單元陣列執(zhí)行讀取和程序操作的電路，該電路用于：

向所選字線施加程序電壓脈沖（Vpgm）；以及

向相鄰未選字線施加第一電壓并且在所選字線被偏置到Vpgm的同時連續(xù)地以恒定的速率從第一電壓斜升到第二電壓；

其中向所選字線施加Vpgm之前斜升開始并且繼續(xù)直到至少程序電壓脈沖結(jié)束。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設備，其中所述電路施加第一電壓并且在相鄰所選字線的多個字線上連續(xù)地斜升到第二電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設備，其中第一和第二電壓具有低于Vpgm的幅值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設備，其中第一電壓具有大于0的幅值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設備，其中所述電路在向所選的字線施加程序電壓之前開始從第一電壓斜升。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設備，其中存儲器設備包括NAND存儲器設備。

7.一種在存儲器編程期間斜變抑制電壓的系統(tǒng)，包括：

存儲器設備，包括：

一個或多個非易失性存儲器單元陣列；以及

對一個或多個非易失性存儲器單元陣列執(zhí)行讀取和程序操作的電路，該電路用于：

向所選字線施加程序電壓脈沖（Vpgm）；以及

向相鄰未選字線施加第一電壓并且在所選字線被偏置到Vpgm的同時連續(xù)地以恒定速率從第一電壓斜升到第二電壓，其中向所選字線施加Vpgm之前斜升開始并且繼續(xù)直到至少程序電壓脈沖結(jié)束；以及

電壓供應，用于向存儲器設備提供一個或多個電壓電平以使能讀取和程序操作的執(zhí)行。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中電壓供應用于提供程序電壓（Vpgm）和第一電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中電壓供應包括可變控制邏輯，用于在相鄰未選字線上從第一電壓連續(xù)斜升到第二電壓。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中所述電路用于施加第一電壓并且在相鄰所選字線的多個字線上連續(xù)地斜升到第二電壓。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中第一和第二電壓具有低于Vpgm的幅值。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中第一電壓具有大于0的幅值。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中所述電路在向所選的字線施加程序電壓之前開始從第一電壓斜升。

14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，還包括存儲器控制器，用于向存儲器設備發(fā)送命令以執(zhí)行讀取和程序操作。

15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中存儲器設備包括NAND存儲器設備。

16.一種在存儲器編程期間斜變抑制電壓的方法，包括：

向非易性存儲器單元陣列的所選字線施加程序電壓脈沖（Vpgm）；

向相鄰未選字線施加第一電壓；

在所選字線被偏置到Vpgm的同時連續(xù)地以恒定速率從第一電壓斜升到第二電壓；

其中向所選字線施加Vpgm之前斜升開始并且繼續(xù)直到至少程序電壓脈沖結(jié)束。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括：

向相鄰所選字線的多個字線施加第一電壓；以及

在相鄰所選字線的多個字線上從第一電壓連續(xù)斜升到第二電壓。