[發明專利]非易失性存儲器

有效

• 申請號: 201810018183.8
• 申請日: 2018-01-09
• 公開（公告）號: CN108288483B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 景文澔;王世辰
• 申請（專利權）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08;G11C16/12;G11C16/24;G11C16/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王珊珊

1.非易失性存儲器，具有第一存儲單元，所述第一存儲單元包括：

第一晶體管，具有第一柵極、第一端與第二端；

第二晶體管，具有第二柵極、第三端與第四端；

第三晶體管，具有第三柵極、第五端與第六端；

第四晶體管，具有第四柵極、第七端與第八端；

第五晶體管，具有第五柵極、第九端與第十端；以及

第一電容器，連接于所述第三柵極與控制線之間；

其中，所述第三柵極為浮動柵極，所述第二端連接至所述第三端，所述第四端連接至所述第五端，所述第六端連接至所述第七端，所述第八端連接至所述第九端；

其中，所述第一端連接至位線，所述第十端連接至第一源極線，所述第一柵極連接至第一字線，所述第二柵極連接至第一輔助線，所述第四柵極連接至第二輔助線以及所述第五柵極連接至第二字線。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其中，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管與所述第五晶體管均為n型晶體管。

3.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其中，所述第一存儲單元還包括第二電容器，連接于所述第三柵極與抹除線之間。

4.根據權利要求3所述的非易失性存儲器，其中，所述第一電容器由第六晶體管所組成，所述第二電容器由第七晶體管所組成，所述第六晶體管具有第六柵極、第十一端與第十二端，所述第七晶體管具有第七柵極、第十三端與第十四端，所述第六柵極與所述第七柵極均連接至所述第三柵極，所述第十一端與所述十二端均連接至所述控制線，所述第十三端與所述第十四端均連接至所述抹除線。

5.根據權利要求4所述的非易失性存儲器，其中，所述第三晶體管、第六晶體管與所述第七晶體管的柵極氧化層均為第一厚度。

6.根據權利要求5所述的非易失性存儲器，其中，所述第一晶體管與所述第五晶體管的柵極氧化層均為第二厚度，所述第二晶體管與所述第四晶體管的柵極氧化層均為所述第一厚度，且所述第一厚度大于所述第二厚度。

7.根據權利要求3所述的非易失性存儲器，其中，于編程動作時，提供編程電壓至所述控制線與所述抹除線，提供第一電壓至所述第二字線，提供第二電壓至所述第二輔助線，提供第三電壓至所述第一字線，提供第四電壓至所述第一輔助線，提供接地電壓至所述位線與所述源極線，所述編程電壓大于所述第二電壓，所述第二電壓等于所述第四電壓，所述第一電壓等于所述第三電壓，所述第二電壓大于等于所述第一電壓，且所述第一電壓大于所述接地電壓。

8.根據權利要求3所述的非易失性存儲器，其中，于編程抑制動作時，提供編程電壓至所述控制線與所述抹除線，提供第一電壓至所述第二字線，提供第二電壓至所述第二輔助線，提供第三電壓至所述第一字線，提供第四電壓至所述第一輔助線，提供第五電壓至所述位線，提供第六電壓至所述源極線，所述編程電壓大于所述第二電壓，所述第二電壓等于所述第四電壓，所述第一電壓等于所述第三電壓，所述第五電壓等于所述第六電壓，所述第二電壓大于等于所述第一電壓，所述第一電壓大于等于所述第五電壓。

9.根據權利要求3所述的非易失性存儲器，其中，于抹除動作時，提供抹除電壓至所述抹除線，提供第一電壓至所述第二字線，提供第二電壓至所述第二輔助線，提供第三電壓至所述第一字線，提供第四電壓至所述第一輔助線，提供接地電壓至所述控制線、所述位線與所述源極線，所述抹除電壓大于所述第二電壓，所述第二電壓等于所述第四電壓，所述第一電壓等于所述第三電壓，所述第二電壓大于等于所述第一電壓，且所述第一電壓大于所述接地電壓。