[發(fā)明專利]一種阻變存儲器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810013102.5
• 申請日: 2018-01-07
• 公開（公告）號: CN108269916A
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周立偉
• 申請（專利權(quán)）人: 周立偉
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種阻變存儲器件，該阻變存儲器包括下電極、阻變材料層、上電極，其特征在于所述阻變材料層包括第一阻變材料層和第二阻變材料層，所述第一阻變材料層中包括采用電學(xué)初始化的方法形成的導(dǎo)電細(xì)絲。

2.如權(quán)利要求1所述的阻變存儲器件，其特征在于所述第一阻變材料層和第二阻變材料層采用不同材料的固態(tài)電解液材料。

3.如權(quán)利要求2所述的阻變存儲器件，所述下電極為惰性電極，所述上電極為活性電極。

4.如權(quán)利要求1所述的阻變存儲器件，所述導(dǎo)電細(xì)絲的形成方法為在第一阻變材料層上形成中間電極，然后采用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀電學(xué)forming的方法形成所述導(dǎo)電細(xì)絲。

5.如權(quán)利要求1所述的阻變存儲器件，去除所述中間電極后在所述第一阻變材料層上形成所述第二阻變材料層，在所述第二阻變材料層上形成所述上電極。

6.如權(quán)利要求3所述的阻變存儲器件，其特征在于所述下電極為Pt，所述上電極為Cu或Ag。

7.一種阻變存儲器件的形成方法，包括以下步驟：

步驟1，形成下電極，接著形成第一阻變材料層，然后形成中間電極；步驟2，采用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀在中間電極上施加電壓、下電極接地進(jìn)行初始化操作，也就是forming操作，形成導(dǎo)電細(xì)絲；

步驟3，采用干法或者濕法的方式刻蝕去除所述中間電極；

步驟4，繼續(xù)形成第二阻變層以及上電極。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述第一阻變材料層和所述第二阻變材料層采用不同材料的固態(tài)電解液材料。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于所述下電極為Pt，上電極為Cu或Ag。