[發明專利]一種無卷氣鎂-碳化硅半固態漿料的高效攪拌方法及裝置

在審

• 申請號: 201810012134.3
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN108144521A
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 杜云慧;張偉一;張鵬;王玉潔
• 申請（專利權）人: 北京交通大學
• 主分類號: B01F13/08
• 分類號: B01F13/08;F27D27/00;C22C1/10;C22C23/00;C22C32/00
• 代理公司: 北京衛平智業專利代理事務所(普通合伙) 11392
• 代理人: 謝建玲;郝亮

本發明公開了一種無卷氣鎂?碳化硅半固態漿料的高效攪拌方法及裝置，屬于冶金、鑄造等材料加工研究領域，本發明采用內壁布有直葉片的變體積石墨坩堝與高速電磁攪拌相結合方式對鎂?碳化硅半固態漿料進行攪拌；利用變體積石墨坩堝，排空半固態漿料上部的全部氣體，進而在與外界氣體完全隔絕的條件下，利用高速電磁攪拌，產生周向高速攪拌運動，利用石墨坩堝內壁上的直葉片，阻止碳化硅顆粒的向下沉淀和離心偏聚運動，從而高效率地得到無卷氣的碳化硅顆粒均勻分布的鎂?碳化硅半固態漿料，攪拌時間可縮短到2分鐘，解決了鎂?碳化硅半固態漿料攪拌中存在的卷氣和攪拌效率低技術問題。

技術領域

本發明屬于冶金、鑄造等材料加工研究領域，特別涉及一種無卷氣鎂-碳化硅半固態漿料的高效攪拌方法及裝置。

背景技術

在冶金、鑄造等材料加工研究領域中，常常需要對各種熔體進行攪拌，比如金屬半固態漿料、添加顆粒熔體的攪拌等等，目的是使熔體的溫度、成分、組織等均勻化。攪拌效率通常取決于攪拌強度，攪拌強度越大，形成的剪切和紊流越強，熔體實現溫度、成分、組織等均勻化的攪拌時間就越短，攪拌效率越高。然而，強烈的攪拌會導致熔體的卷氣問題，極易造成高溫熔體氧化、形成夾雜組織等，即便采用保護性氣氛，卷氣也會使熔體中散布氣孔，導致材料性能惡化，可見，卷氣問題束縛了熔體的攪拌強度，降低了攪拌效率。鎂-碳化硅復合材料含有6wt％左右的鋅和15wt％左右的碳化硅顆粒，兼有鎂基體的高比強度、高比剛度、減振性好、熱疲勞性能好、電磁屏蔽能力強和碳化硅顆粒的硬度高、熱穩定性好、耐磨損等優點，廣泛應用于航空航天、電子行業、汽車工業等領域。由于碳化硅的熔點2700℃高于鎂的熔點648℃，因此碳化硅在鎂液體中是以固態顆粒的形式存在的，另外，由于碳化硅的密度3.0～3.2g/cm³大于鎂的密度1.7～1.9g/cm³，所以，在鎂-碳化硅熔體的常規鑄造過程中，碳化硅顆粒容易發生沉淀。如果將鎂-碳化硅熔體制成半固態漿料，則半固態漿料的高粘度和初生固相顆粒會有效阻止碳化硅顆粒沉淀，但是，半固態漿料的高粘度和初生固相顆粒同樣也會阻礙碳化硅顆粒的分散，因此，要想高效率地制備碳化硅顆粒均勻分布的鎂-碳化硅半固態漿料進而得到高性能的鎂-碳化硅復合材料，就必須加大對半固態漿料的攪拌強度，這樣卷氣問題就更加突出了。授權公告號CN105436436B、授權公告號CN103307900B等發明專利通過“收窄攪拌腔內的熔體液面”、“設置熔體擾動隔離器”等方法來阻隔攪動向熔體液面傳遞、避免熔體卷氣。本發明從熔體與氣體完全隔絕的角度出發，進行半固態漿料攪拌方面的創造發明，擺脫了卷氣對攪拌強度和攪拌效率的束縛，可高效率地制備無卷氣的碳化硅顆粒均勻分布的鎂-碳化硅半固態漿料。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是，鎂-碳化硅半固態漿料攪拌中存在的卷氣和攪拌效率低問題，提供一種無卷氣鎂-碳化硅半固態漿料的高效攪拌方法及裝置。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：

采用內壁布有直葉片的變體積石墨坩堝與高速電磁攪拌相結合方式對鎂-碳化硅半固態漿料進行攪拌；利用變體積石墨坩堝，通過減小石墨坩堝的體積，排空石墨坩堝中半固態漿料上部的全部氣體，并且在半固態漿料與外界氣體完全隔絕的條件下，即沒有氣體源的條件下，進行半固態漿料的攪拌，進而從根源上避免半固態漿料卷氣；利用高速電磁攪拌，在無卷氣束縛的情況下，使鎂-碳化硅半固態漿料產生周向高速攪拌運動，利用石墨坩堝內壁上的直葉片，不斷地將周圍的鎂-碳化硅半固態漿料移到內部、將下部的鎂-碳化硅半固態漿料移到上部，進而阻止碳化硅顆粒的向下沉淀和離心偏聚運動，從而高效率地得到無卷氣的碳化硅顆粒均勻分布的鎂-碳化硅半固態漿料。

本發明的有益效果是：利用本發明，對鎂-碳化硅半固態漿料進行攪拌，可以直接制備出無卷氣、碳化硅顆粒分布均勻的鎂-碳化硅半固態漿料，攪拌時間可縮短到2分鐘，攪拌效率比文獻“龍前生，王偉偉，任廣笑，王紅霞，李黎忱.納米SiC顆粒增強鎂基復合材料半固態攪拌法制備工藝優化.鑄造技術，2016，37(5)：848-852”報道的15分鐘提高了650％，解決了鎂-碳化硅半固態漿料攪拌中存在的卷氣和攪拌效率低技術問題。