[發(fā)明專利]一種圖像傳感器及其形成方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810010929.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108281435A | 公開(公告)日: | 2018-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王月;陳世杰;黃曉櫓 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 張振軍;吳敏 |
| 地址: | 223302 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像傳感器 路徑調(diào)節(jié) 襯底 半導(dǎo)體 光電二極管 像素區(qū) 半導(dǎo)體襯底表面 靈敏度 像素 | ||
一種圖像傳感器及其形成方法,所述圖像傳感器包括:半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有光電二極管,所述半導(dǎo)體襯底包括多個(gè)像素區(qū),每個(gè)像素區(qū)包含至少一個(gè)光電二極管;路徑調(diào)節(jié)層,所述路徑調(diào)節(jié)層位于所述半導(dǎo)體襯底表面,在感應(yīng)不同顏色的像素區(qū)內(nèi),所述路徑調(diào)節(jié)層具有不同的厚度。通過本發(fā)明提供的方案能夠有效改善圖像傳感器的靈敏度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種圖像傳感器及其形成方法。
背景技術(shù)
圖像傳感器是將光學(xué)圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。在種類繁多的圖像傳感器中,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,簡稱CMOS)圖像傳感器因其體積小、功耗低、價(jià)格低廉的優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛應(yīng)用。
現(xiàn)有的CMOS圖像傳感器主要包括前照式(Front-side Illumination,簡稱FSI)CMOS圖像傳感器和后照式(Back-side Illumination,簡稱BSI)CMOS圖像傳感器兩種。其中,后照式CMOS圖像傳感器因其更好的光電轉(zhuǎn)換效果而獲得的更廣泛的應(yīng)用,所述后照式CMOS圖像傳感器也可以稱為背照式CMOS圖像傳感器。
但是,現(xiàn)有的圖像傳感器仍存在缺陷。例如,以背照式CMOS圖像傳感器為例,現(xiàn)有的背照式CMOS圖像傳感器的厚度一般為2-3微米,可以完全吸收波長較短的藍(lán)光。但是,對(duì)于波長較長的紅光,一般需要5-6微米才能被完全吸收,所以,現(xiàn)有的圖像傳感器無法充分吸收紅光,嚴(yán)重影響器件的靈敏度。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是如何改善圖像傳感器的靈敏度。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實(shí)施例提供一種圖像傳感器,包括:半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有光電二極管,所述半導(dǎo)體襯底包括多個(gè)像素區(qū),每個(gè)像素區(qū)包含至少一個(gè)光電二極管;路徑調(diào)節(jié)層,所述路徑調(diào)節(jié)層位于所述半導(dǎo)體襯底表面,在感應(yīng)不同顏色的像素區(qū)內(nèi),所述路徑調(diào)節(jié)層具有不同的厚度。
可選的,所述圖像傳感器還包括:濾色鏡,所述濾色鏡位于所述路徑調(diào)節(jié)層表面,所述濾色鏡的位置與所述像素區(qū)的位置一一對(duì)應(yīng)。
可選的,所述多個(gè)像素區(qū)包括感應(yīng)紅色的紅色像素區(qū)、感應(yīng)綠色的綠色像素區(qū)和感應(yīng)藍(lán)色的藍(lán)色像素區(qū)。
可選的,在紅色像素區(qū)內(nèi)的路徑調(diào)節(jié)層的厚度最大,在藍(lán)色像素區(qū)內(nèi)的路徑調(diào)節(jié)層的厚度最小。
本發(fā)明實(shí)施例還提供一種圖像傳感器的形成方法,包括:提供半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有光電二極管,所述半導(dǎo)體襯底包括多個(gè)像素區(qū),每個(gè)像素區(qū)包含至少一個(gè)光電二極管;對(duì)所述半導(dǎo)體襯底的表面進(jìn)行處理,以形成路徑調(diào)節(jié)層,在感應(yīng)不同顏色的像素區(qū)內(nèi),所述路徑調(diào)節(jié)層具有不同的厚度。
可選的,所述形成方法還包括:在所述路徑調(diào)節(jié)層表面設(shè)置濾色鏡,所述濾色鏡的位置與所述像素區(qū)的位置一一對(duì)應(yīng)。
可選的,所述對(duì)所述半導(dǎo)體襯底的表面進(jìn)行處理,以形成路徑調(diào)節(jié)層包括:對(duì)所述半導(dǎo)體襯底的表面進(jìn)行刻蝕,以形成對(duì)應(yīng)于各個(gè)像素區(qū)的凹槽,其中,在感應(yīng)不同顏色的像素區(qū)內(nèi),所述凹槽具有不同的深度。
可選的,所述對(duì)所述半導(dǎo)體襯底的表面進(jìn)行處理,以形成路徑調(diào)節(jié)層包括:在所述半導(dǎo)體襯底表面形成保護(hù)介質(zhì)層;對(duì)所述保護(hù)介質(zhì)層進(jìn)行離子注入,其中,在感應(yīng)不同顏色的像素區(qū)內(nèi),對(duì)所述保護(hù)介質(zhì)層的離子注入劑量不同;對(duì)離子注入后的保護(hù)介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕以形成對(duì)應(yīng)于各個(gè)像素區(qū)的凹槽,其中,在感應(yīng)不同顏色的像素區(qū)內(nèi),所述凹槽具有不同的深度。
可選的,所述多個(gè)像素區(qū)包括感應(yīng)紅色的紅色像素區(qū)、感應(yīng)綠色的綠色像素區(qū)和感應(yīng)藍(lán)色的藍(lán)色像素區(qū)。
可選的,在紅色像素區(qū)內(nèi),所述凹槽的深度最?。辉谒{(lán)色像素區(qū)內(nèi),所述凹槽的深度最大。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下有益效果:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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