[發明專利]一種多晶硅鑄錠的制備方法在審
| 申請號： | 201810008373.1 | 申請日： | 2018-01-04 |
| 公開（公告）號： | CN108315813A | 公開（公告）日： | 2018-07-24 |
| 發明（設計）人： | 毛亮亮;楊津玫;唐碧見;冷金標;雷鳴;龍昭欽;周慧敏;徐志群 | 申請（專利權）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 334100 江西*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 預設 爐內 氣壓 多晶硅鑄錠 純化物 制備 熔化 退火 分布均勻性 爐內壓力 轉換效率 抽真空 硅原料 鑄錠爐 硅錠 加熱 少子 冷卻 取出 | ||
1.一種多晶硅鑄錠的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
向鑄錠爐內加入硅原料后，持續抽真空第一預設時間，直至爐內的氣壓為第一預設氣壓；
繼續加熱第二預設時間，直至爐內溫度為第一預設溫度；
將爐內溫度升高至第二預設溫度，氣壓回升至第二預設氣壓，進行熔化作業第三預設時間；
向爐內通入含氫純化物，并將爐內的溫度設為第三預設溫度，進行長晶作業第四預設時間；
繼續通入所述含氫純化物，將爐內的溫度設為第四預設溫度，進行退火作業第五預設時間；
將爐內溫度冷卻至第五預設溫度，將爐內壓力回升至第三預設氣壓后，取出爐內成品以得到所述多晶硅鑄錠。
2.根據權利要求1所述的多晶硅鑄錠的制備方法，其特征在于，所述第一預設時間為0.5～1h，所述第一預設氣壓小于0.1mbar，進行抽真空時所述鑄錠爐內的溫度低于300℃。
3.根據權利要求2所述的多晶硅鑄錠的制備方法，其特征在于，所述第二預設時間為4～8h，所述第一預設溫度為1100℃～1300℃。
4.根據權利要求3所述的多晶硅鑄錠的制備方法，其特征在于，所述第二預設溫度為1400℃～1600℃，所述第二預設氣壓為400～600mbar，所述第三預設時間為12～18h。
5.根據權利要求1所述的多晶硅鑄錠的制備方法，其特征在于，所述含氫純化物為氫氣、硅烷、烷烴或氨氣中的至少一種。
6.根據權利要求5所述的多晶硅鑄錠的制備方法，其特征在于，所述第三預設溫度為1400℃～1420℃，所述第四預設時間為30～40h。
7.根據權利要求1所述的多晶硅鑄錠的制備方法，其特征在于，所述第四預設溫度為1300℃～1370℃，所述第五預設時間為2～4h。
8.根據權利要求1所述的多晶硅鑄錠的制備方法，其特征在于，所述第五預設溫度為300℃～500℃，所述第三預設氣壓為950～1000mbar。
9.根據權利要求1所述的多晶硅鑄錠的制備方法，其特征在于，所述將氣壓回升至第二預設氣壓的方法包括如下步驟：
向所述鑄錠爐內通入惰性氣體，所述惰性氣體至少包括氬氣。
10.根據權利要求9所述的多晶硅鑄錠的制備方法，其特征在于，通入的所述含氫純化物與所述氬氣的體積比為1：550～650。
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