[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810007811.2
• 申請(qǐng)日: 2018-01-04
• 公開（公告）號(hào): CN108281114B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 全相鎮(zhèn);金瞳祐;任祥旭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/3233
• 分類號(hào): G09G3/3233
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 郭艷芳;王琦

1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括：

有機(jī)發(fā)光二極管，包括陽(yáng)極以及被配置為接收參考電壓的陰極；

開關(guān)晶體管，包括被配置為接收第n掃描信號(hào)的柵電極以及被配置為接收數(shù)據(jù)信號(hào)的源電極，所述開關(guān)晶體管是NMOS晶體管，n是自然數(shù)；

第一發(fā)光控制晶體管，包括被配置為接收發(fā)光控制信號(hào)的柵電極，所述第一發(fā)光控制晶體管被配置為在接收到所述發(fā)光控制信號(hào)時(shí)導(dǎo)通，以確定驅(qū)動(dòng)電流流向所述有機(jī)發(fā)光二極管的時(shí)序，所述第一發(fā)光控制晶體管是PMOS晶體管；

驅(qū)動(dòng)晶體管，連接至所述開關(guān)晶體管和所述第一發(fā)光控制晶體管，并且被配置為向所述有機(jī)發(fā)光二極管提供所述驅(qū)動(dòng)電流；以及

輔助電極，所述輔助電極與所述開關(guān)晶體管的所述柵電極設(shè)置在同一層上，并且與所述第一發(fā)光控制晶體管的所述柵電極重疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一發(fā)光控制晶體管被配置為在所述發(fā)光控制信號(hào)具有低電平的發(fā)光時(shí)段期間導(dǎo)通。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述驅(qū)動(dòng)晶體管是PMOS晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，進(jìn)一步包括：

第二發(fā)光控制晶體管，包括被配置為接收所述發(fā)光控制信號(hào)的柵電極、連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源電極以及連接至所述有機(jī)發(fā)光二極管的所述陽(yáng)極的漏電極，所述第二發(fā)光控制晶體管被配置為在接收到所述發(fā)光控制信號(hào)時(shí)導(dǎo)通，以與所述第一發(fā)光控制晶體管一起確定所述驅(qū)動(dòng)電流流向所述有機(jī)發(fā)光二極管的時(shí)序，所述第二發(fā)光控制晶體管是PMOS晶體管，

其中所述第一發(fā)光控制晶體管進(jìn)一步包括被配置為接收電源電壓的源電極以及連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，

其中所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述第一發(fā)光控制晶體管和所述第二發(fā)光控制晶體管中的每一個(gè)進(jìn)一步包括具有多晶硅的半導(dǎo)體有源層，并且

其中所述開關(guān)晶體管進(jìn)一步包括具有氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體有源層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體包括包含鋅、銦、鎵、錫和鈦中的至少一種的金屬的氧化物或者包含鋅、銦、鎵、錫和鈦中的至少一種的金屬及其氧化物的混合物。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一發(fā)光控制晶體管的所述柵電極設(shè)置在所述第一發(fā)光控制晶體管的所述半導(dǎo)體有源層上。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，

其中所述開關(guān)晶體管的所述半導(dǎo)體有源層設(shè)置在所述第一發(fā)光控制晶體管的所述半導(dǎo)體有源層和所述第一發(fā)光控制晶體管的所述柵電極上，并且

其中所述開關(guān)晶體管的所述柵電極設(shè)置在所述開關(guān)晶體管的所述半導(dǎo)體有源層上。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，

其中所述開關(guān)晶體管的所述柵電極設(shè)置在所述第一發(fā)光控制晶體管的所述半導(dǎo)體有源層和所述第一發(fā)光控制晶體管的所述柵電極上，并且

其中所述開關(guān)晶體管的所述半導(dǎo)體有源層設(shè)置在所述開關(guān)晶體管的所述柵電極上。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，進(jìn)一步包括：

補(bǔ)償晶體管，包括用于接收所述第n掃描信號(hào)的柵電極、連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏電極的源電極以及連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極的漏電極；

初始化晶體管，包括用于接收第(n-1)掃描信號(hào)的柵電極、連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵電極的源電極以及用于接收初始化電壓的漏電極；以及

旁路晶體管，包括用于接收第(n+1)掃描信號(hào)的柵電極、連接至所述第二發(fā)光控制晶體管的所述漏電極的源電極以及連接至所述初始化晶體管的所述漏電極的漏電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述補(bǔ)償晶體管、所述初始化晶體管和所述旁路晶體管中的每一個(gè)是NMOS晶體管。