[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備、驅(qū)動方法、顯示面板和顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810005955.4
• 申請日: 2018-01-03
• 公開（公告）號: CN108153074A
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪銳;李少茹;馬曉峰;尚飛
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

由柵線和信號線劃分出的多個像素單元，其中所述信號線包括第一信號線和第二信號線，各所述像素單元均包括一個像素電極和一個公共電極；

所述像素單元包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第二薄膜晶體管的柵極連接同一條所述柵線；所述第一薄膜晶體管的第一極與所述第一信號線連接，第二極與所述像素電極連接；所述第二薄膜晶體管的第一極與所述第二信號線連接，第二極與所述公共電極連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管上覆蓋有鈍化層，所述像素電極設(shè)置在所述鈍化層上，所述像素電極通過設(shè)置在所述鈍化層上的過孔與所述第一薄膜晶體管的第二極耦接；

所述像素單元對應(yīng)的公共電極與所述第二薄膜晶體管的有源層同層設(shè)置，所述第二薄膜晶體管的第二極部分覆蓋所述公共電極與所述公共電極耦接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管上覆蓋有鈍化層，所述像素單元對應(yīng)的公共電極設(shè)置在所述鈍化層上，所述公共電極通過設(shè)置在所述鈍化層上的過孔與所述第二薄膜晶體管的第二極耦接；

所述像素電極與所述第一薄膜晶體管的有源層同層設(shè)置，所述第一薄膜晶體管的第二極部分覆蓋所述像素電極與所述像素電極耦接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為雙柵結(jié)構(gòu)。

5.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權(quán)利要求1至4任一項所述的陣列基板。

6.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求5所述的顯示面板。

7.一種陣列基板的驅(qū)動方法，應(yīng)用于權(quán)利要求1至4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述驅(qū)動方法包括：

調(diào)節(jié)柵線電壓，控制第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管同時開啟；

第一信號線向像素電極充電，第二信號線向公共電極充電，以使所述像素電極與所述公共電極的壓差達(dá)到預(yù)設(shè)值。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的驅(qū)動方法，其特征在于，所述第一信號線向像素電極充電，第二信號線向公共電極充電，以使所述像素電極與所述公共電極的壓差達(dá)到預(yù)設(shè)值的步驟，包括：

所述第一信號線向所述像素電極充入正電壓，所述第二信號線向所述公共電極充入負(fù)電壓，所述像素電極與所述公共電極的壓差為正壓差；

所述第一信號線向所述像素電極充入負(fù)電壓，所述第二信號線向所述公共電極充入正電壓，所述像素電極與所述公共電極的壓差為負(fù)壓差。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的驅(qū)動方法，其特征在于，所述像素電極和所述公共電極的電壓調(diào)節(jié)范圍均為-2-2V。

10.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供基板；

在所述基板上形成由柵線和信號線劃分出的多個像素單元，其中所述信號線包括第一信號線和第二信號線，各所述像素單元均包括一個像素電極和一個公共電極；所述像素單元包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第二薄膜晶體管的柵極連接同一條所述柵線；所述第一薄膜晶體管的第一極與所述第一信號線連接，第二極與所述像素電極連接；所述第二薄膜晶體管的第一極與所述第二信號線連接，第二極與所述公共電極連接。