[發(fā)明專利]一種有機發(fā)光顯示面板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810005616.6 | 申請日: | 2018-01-03 |
| 公開(公告)號: | CN108281465B | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 宋楠楠;李祖華;韓立靜;穆乃超;辛宇;楊閏 | 申請(專利權)人: | 上海天馬有機發(fā)光顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 發(fā)光 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,包括:
襯底基板;
多個發(fā)光器件,所述多個發(fā)光器件位于所述襯底基板上,任一所述發(fā)光器件用以發(fā)射單一顏色的光,且所述發(fā)光器件包括第一電極;
覆蓋層,所述覆蓋層位于所述多個發(fā)光器件的所述第一電極之上,其中,
所述覆蓋層的厚度沿第一方向漸變式變化,所述第一方向平行于所述襯底基板所在的平面;
驅(qū)動芯片,所述驅(qū)動芯片位于所述襯底基板上,所述第一方向為靠近驅(qū)動芯片的一端指向遠離驅(qū)動芯片的一端的方向。
2.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,
所述多個發(fā)光器件至少包括分別用以發(fā)射不同顏色的光的第一發(fā)光器件、第二發(fā)光器件和第三發(fā)光器件,其中,
所述第一發(fā)光器件發(fā)射紅光,所述第二發(fā)光器件發(fā)射綠光,所述第三發(fā)光器件發(fā)射藍光;
所述第一發(fā)光器件之上設置有第一覆蓋層,所述第二發(fā)光器件之上設置有第二覆蓋層,所述第三發(fā)光器件之上設置有第三覆蓋層。
3.如權利要求2所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,
所述第一覆蓋層、所述第二覆蓋層和所述第三覆蓋層中的至少兩個覆蓋層的厚度沿所述第一方向的漸變趨勢不相同。
4.如權利要求3所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,
所述第一覆蓋層的厚度和所述第二覆蓋層的厚度沿第一方向均逐漸增加,所述第三覆蓋層的厚度沿第一方向逐漸減小。
5.如權利要求4所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,
所述第一覆蓋層的厚度和所述第二覆蓋層的厚度沿第一方向均線性增加,所述第三覆蓋層的厚度沿第一方向線性減小。
6.如權利要求5所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,
所述第一覆蓋層的最小厚度和所述第二覆蓋層的最小厚度相等,所述第一覆蓋層的最大厚度和所述第二覆蓋層的最大厚度相等。
7.如權利要求6所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,
所述第一覆蓋層的最大厚度與所述第一覆蓋層的最小厚度的比值范圍為1.15~1.2。
8.如權利要求5所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,
所述第三覆蓋層的最大厚度和所述第三覆蓋層的最小厚度的比值范圍為1.12~1.5。
9.如權利要求2所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,
所述第一覆蓋層的厚度、所述第二覆蓋層的厚度和所述第三覆蓋層的厚度沿第一方向的漸變趨勢相同。
10.如權利要求9所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,
所述第一覆蓋層的厚度、所述第二覆蓋層的厚度和所述第三覆蓋層的厚度均沿第一方向逐漸增大。
11.如權利要求10所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,還包括:
電源信號線,所述電源信號線用以給所述發(fā)光器件提供電源信號,其中,
所述第三發(fā)光器件的電源信號線的線寬大于所述第一發(fā)光器件和所述第二發(fā)光器件的電源信號線的線寬。
12.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示面板,其特征在于,
所述發(fā)光器件還包括第二電極和有機功能層,所述有機功能層位于所述第二電極之上,所述第一電極位于所述有機功能層之上。
13.一種有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1~12任一項所述的有機發(fā)光顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





