[發(fā)明專利]析出硬化型Ag-Pd-Cu-In-B系合金有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780097805.4 | 申請日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN111511939B | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宍野龍 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社德力本店 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;C22C5/04;C22C30/02;G01R1/067 |
| 代理公司: | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 紀(jì)秀鳳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 析出 硬化 ag pd cu in 合金 | ||
提供一面維持至少與現(xiàn)有的Ag?Pd?Cu合金同等程度的低電阻率,一面具有良好的接觸電阻穩(wěn)定性(耐氧化性)和塑性加工性,且為目前以上的高硬度的總體平衡性優(yōu)異合金。在本發(fā)明的析出硬化型合金中,Ag為17~23.6at%,B為0.5~1.1at%,Pd和Cu合計含74.9~81.5at%,所述Pd與Cu的at%比為1:1~1:1.2,剩余部分由In和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及適用于電氣及/或電子設(shè)備用途的構(gòu)件及/或部件例如連接器、端子、電氣接點(diǎn)、接觸探針等的合金。
背景技術(shù)
IC測試底座(IC test socket)由排列于基板的多個接觸探針銷構(gòu)成。IC測試底座擔(dān)當(dāng)將檢查對象即IC(集成電路)等半導(dǎo)體元件的電極與檢查裝置(測試機(jī))連接的角色,通過使接觸探針銷接觸半導(dǎo)體元件上的電極及/或Sn焊料等從而用于其電性檢查。
IC(集成電路)的電性檢查也有時在室溫環(huán)境下進(jìn)行,但根據(jù)IC(集成電路)的使用用途,也有時在預(yù)想其使用環(huán)境的高溫環(huán)境下(例如120~160℃)進(jìn)行。
在這樣的接觸探針銷的材質(zhì)中,例如已經(jīng)使用有Re-W系合金(例如專利文獻(xiàn)1)、施與有Au等鍍層的Be-Cu系合金(例如專利文獻(xiàn)2)、析出硬化型Ag-Pd-Cu系合金(例如專利文獻(xiàn)3)。
在用于IC測試底座的接觸探針銷的材質(zhì)中,要求得到良好電阻值(電阻率低)、即使進(jìn)行長期間的使用仍得到穩(wěn)定的接觸電阻值(耐氧化性)、不容易因?yàn)檫_(dá)數(shù)百~數(shù)萬次與檢查對象物重復(fù)接觸而磨損(高硬度)。
然而,對于以上述合金為材質(zhì)的接觸探針銷,在高溫環(huán)境下的電性檢查時,無法充分滿足接觸探針銷的材質(zhì)所需求的全部要求。
具體而言,在Re-W系合金等使用W的接觸探針銷中,電阻率低,硬度充分高,耐磨損性優(yōu)異。然而,存在因在高溫環(huán)境下的耐氧化性劣化而在表面生成絕緣性的氧化被膜,進(jìn)一步該氧化物脫落并附著于檢查對象物而發(fā)生導(dǎo)通不良的情況,得不到穩(wěn)定的接觸電阻值。
使用施與有Au等鍍層處理的Be-Cu系合金的接觸探針銷,從電阻率低來看優(yōu)異。然而,由于用于防止Be-Cu系合金氧化的鍍層因?yàn)榕c檢查對象物重復(fù)接觸而剝離,因此耐磨損性差,進(jìn)一步因?yàn)樵诟邷丨h(huán)境下與檢查對象物重復(fù)接觸,因?yàn)槔缫栽跈z查對象物的Sn鍍層電極及/或Sn焊料中包含的Sn成分以及接觸端子的鍍層成分即Au等為來源的Au-Sn系合金易于侵蝕接觸端子表面,因此接觸電阻穩(wěn)定性差。
使用Ag-Pd-Cu系合金的接觸探針銷因含有多的導(dǎo)電性優(yōu)異的貴金屬及/或Cu而可得到低電阻率,進(jìn)一步貴金屬因具有難以氧化的性質(zhì)而不需要抗氧化的鍍層處理,耐氧化性優(yōu)異。在耐磨損性上,也是比Be-Cu合金硬、次于Re-W系合金的高硬度材,因此雖不是最合適但在實(shí)用上卻無問題。
從這樣的綜合性的觀點(diǎn)出發(fā),現(xiàn)有的接觸探針銷的材質(zhì)大多使用Ag-Pd-Cu系合金,但近年每當(dāng)應(yīng)對IC(集成電路)的高密度化時,需要使接觸探針銷前端部的形狀更細(xì)且尖銳,而可能使接觸探針銷易折損且易磨損。伴隨于此,在接觸探針銷的材質(zhì)中,起碼需求至少與目前同等程度的低電阻率和接觸電阻穩(wěn)定性(耐氧化性),還需要更進(jìn)一步的機(jī)械強(qiáng)度、耐磨損性(高硬度)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開平10-221366號公報
專利文獻(xiàn)2:日本特表2014-523527號公報
專利文獻(xiàn)3:日本特開昭50-160797號公報
專利文獻(xiàn)4:日本特開2011-122194號公報
非專利文獻(xiàn)
非專利文獻(xiàn)1:佐藤充典,《電氣接點(diǎn)-材料與特性-》,日刊工業(yè)新聞社,昭和59年6月30日,初版一次印刷,p74。
發(fā)明內(nèi)容
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社德力本店,未經(jīng)株式會社德力本店許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780097805.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 反射器用Ag合金反射膜及使用該Ag合金反射膜的反射器
- 處理增強(qiáng)上鏈調(diào)度允準(zhǔn)的無線通信方法及裝置
- 干涉濾光器、光模塊及分析裝置
- 處理增強(qiáng)上鏈調(diào)度允準(zhǔn)的無線通信方法及裝置
- 一種非金屬材料產(chǎn)品的AG裝置
- 一種納米級Ag/Ag<sup>+</sup>/Ag<sup>3+</sup>復(fù)合抗菌材料的制備方法
- 一種負(fù)載型Ag/Ag<sub>3</sub>PO<sub>4</sub>光催化劑及其制備方法
- 一種電磁屏蔽織物及其制備方法
- Ag-Co薄膜/納米顆粒/薄膜催化劑及其制備方法
- 一種具有漸變AG效果的玻璃蓋板及其制備方法





