[發明專利]用于高級集成電路結構制造的鰭狀物圖案化

在審

• 申請號: 201780095404.5
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN111194482A
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: C·沃德;H·M·邁耶;M·L·哈藤多夫;C·P·奧特
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234;H01L27/12;H01L29/78;H01L29/66
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊

1.一種集成電路結構，包括：

沿第一方向具有最長尺寸的第一多個半導體鰭狀物，其中，所述第一多個半導體鰭狀物中的相鄰的個體半導體鰭狀物在與所述第一方向正交的第二方向上彼此間隔開第一量；以及

沿所述第一方向具有最長尺寸的第二多個半導體鰭狀物，其中，所述第二多個半導體鰭狀物中的相鄰的個體半導體鰭狀物在所述第二方向上彼此間隔開所述第一量，并且其中，所述第一多個半導體鰭狀物和所述第二多個半導體鰭狀物中最接近的半導體鰭狀物在所述第二方向上彼此間隔開第二量，所述第二量大于所述第一量但小于所述第一量的兩倍。

2.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第一多個半導體鰭狀物和所述第二多個半導體鰭狀物包括硅。

3.根據權利要求1或2所述的集成電路結構，其中，所述第一多個半導體鰭狀物和所述第二多個半導體鰭狀物與下面的單晶硅襯底連續。

4.根據權利要求1、2或3所述的集成電路結構，其中，所述第一多個半導體鰭狀物和所述第二多個半導體鰭狀物中的個體半導體鰭狀物具有從所述第一多個半導體鰭狀物和所述第二多個半導體鰭狀物中的個體半導體鰭狀物的頂部到底部沿所述第二方向向外逐漸變細的側壁。

5.根據權利要求1、2、3或4所述的集成電路結構，其中，所述第一多個半導體鰭狀物正好具有五個半導體鰭狀物，并且所述第二多個半導體鰭狀物正好具有五個半導體鰭狀物。

6.一種制造集成電路結構的方法，所述方法包括：

形成第一初級骨干結構和第二初級骨干結構；

形成與所述第一初級骨干結構和所述第二初級骨干結構的側壁相鄰的初級間隔體結構，其中，所述第一初級骨干結構與所述第二初級骨干結構之間的初級間隔體結構被融合。

去除所述第一初級骨干結構和所述第二初級骨干結構，并提供第一次級骨干結構、第二次級骨干結構、第三次級骨干結構和第四次級骨干結構，其中，所述第二次級骨干結構和所述第三次級骨干結構被融合；

形成與所述第一次級骨干結構、所述第二次級骨干結構、所述第三次級骨干結構和所述第四次級骨干結構的側壁相鄰的次級間隔體結構；

去除所述第一次級骨干結構、所述第二次級骨干結構、所述第三次級骨干結構和所述第四次級骨干結構；以及

利用所述次級間隔體結構對半導體材料進行圖案化，以在所述半導體材料中形成半導體鰭狀物。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，利用所述第一初級骨干結構與所述第二初級骨干結構之間的子設計規則間隔對所述第一初級骨干結構和所述第二初級骨干結構進行圖案化。

8.根據權利要求6或7所述的方法，其中，所述半導體材料包括硅。

9.根據權利要求6、7或8所述的方法，其中，所述半導體鰭狀物中的個體半導體鰭狀物具有從所述半導體鰭狀物中的個體半導體鰭狀物的頂部到底部沿所述第二方向向外逐漸變細的側壁。

10.根據權利要求6、7、8或9所述的方法，其中，所述半導體鰭狀物與下面的單晶硅襯底連續。

11.根據權利要求6、7、8、9或10所述的方法，其中，利用所述次級間隔體結構對所述半導體材料進行圖案化包括：形成沿第一方向具有最長尺寸的第一多個半導體鰭狀物，其中，所述第一多個半導體鰭狀物中的相鄰的個體半導體鰭狀物在與所述第一方向正交的第二方向上彼此間隔開第一量；以及形成沿所述第一方向具有最長尺寸的第二多個半導體鰭狀物，其中，所述第二多個半導體鰭狀物中的相鄰的個體半導體鰭狀物沿所述第二方向彼此間隔開所述第一量，并且其中，所述第一多個半導體鰭狀物和所述第二多個半導體鰭狀物中最接近的半導體鰭狀物在所述第二方向上彼此間隔開第二量，所述第二數量大于所述第一量。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述第二量小于所述第一量的兩倍。