[發(fā)明專利]真空蒸發(fā)源

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780094751.6
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN111051562A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃道元
• 申請（專利權(quán)）人: 艾爾法普拉斯株式會社
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/26
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 王達(dá)佐;洪欣

本發(fā)明的目的是提供能夠有效地加熱坩堝底部的真空蒸發(fā)源。為此，本發(fā)明的方面提供了具有在殼體的內(nèi)部空間中的坩堝的真空蒸發(fā)源，所述真空蒸發(fā)源包括：底部反射器，其定位于所述坩堝的底部與所述內(nèi)部空間的底部表面之間形成的下部空間的上半部分中；支撐件，其設(shè)置在所述內(nèi)部空間的底部表面上以支撐所述底部反射器；以及加熱器，其定位于所述內(nèi)部空間的側(cè)面與所述坩堝的外側(cè)之間并且延伸至所述底部反射器的上表面。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于在晶片或襯底上形成薄膜的真空蒸發(fā)源。

背景技術(shù)

通常，真空蒸發(fā)源加熱并且蒸發(fā)用于形成薄膜的材料，以在設(shè)置在高真空室中的襯底上形成預(yù)定的薄膜。它用于在半導(dǎo)體制造工藝中在晶片表面上形成由特定材料制成的薄膜，或者在大型平板顯示裝置的制造工藝中在玻璃襯底等的表面上形成期望材料的薄膜。

圖1是示意性地示出常規(guī)真空蒸發(fā)源的視圖。

如圖1所示，常規(guī)真空蒸發(fā)源包括由支撐桿12等支撐并且具有內(nèi)部空間11的殼體10、設(shè)置在內(nèi)部空間11中并且容納用于形成薄膜的材料的坩堝20、定位于內(nèi)部空間11的側(cè)面與坩堝20的外側(cè)之間以加熱坩堝20的側(cè)面的加熱器30、設(shè)置在內(nèi)部空間11的側(cè)面與加熱器30之間以將加熱器30的熱量反射至坩堝20的側(cè)面的側(cè)面反射板40、以及定位于內(nèi)部空間11的底部使得加熱器30的熱量相對較少地傳遞至放置在殼體10下方的下部電子組件50(其包括電源或溫度傳感器)的底部反射板60。特別地，如圖1所示，底部反射板60定位于內(nèi)部空間11的底部處，并且加熱器30的下端被放置在與坩堝20的下端基本一致的高度處。

在常規(guī)真空蒸發(fā)源中，底部反射板60定位于遠(yuǎn)離坩堝20的內(nèi)部空間11的底部，并且加熱器30未放置在坩堝20的下方，因此存在加熱器30的熱量相對較少地傳遞至坩堝20的底部的問題。

發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)問題

本發(fā)明的目的是提供能夠有效地加熱坩堝的底部的真空蒸發(fā)源。

問題的解決方案

本發(fā)明的方面提供了具有在殼體的內(nèi)部空間中的坩堝的真空蒸發(fā)源，所述真空蒸發(fā)源包括：底部反射器，其定位于形成在所述坩堝的底部與所述內(nèi)部空間的底部表面之間的下部空間的上半部分中；支撐件，其設(shè)置在所述內(nèi)部空間的底部表面上以支撐所述底部反射器；以及加熱器，其定位于所述內(nèi)部空間的側(cè)面與所述坩堝的外側(cè)之間并且延伸至所述底部反射器的上表面。

底部反射器可以具有其中多個反射板重疊的模塊形狀。

定位于多個反射板的最高位置處的最上反射板可以由絕緣材料制成，并且加熱器的下端可以支撐在最上反射板的上表面上。

最上反射板可以由作為絕緣材料的陶瓷制成，并且可以具有盤型。

支撐件可以包括豎直支撐件，其豎直地放置在內(nèi)部空間的底部表面上；以及水平支撐件，其設(shè)置在豎直支撐件的上端，被設(shè)置成與內(nèi)部空間的底部表面是水平的，并且所述底部反射器安裝在所述水平支撐件上，其中豎直支撐件的高度可以確定為使得所述底部反射器被放置在下部空間的上半部分上。

根據(jù)以上描述的本發(fā)明的實(shí)施方案的真空蒸發(fā)源還可以包括設(shè)置在內(nèi)部空間的底部表面上的底部反射板。

發(fā)明的有益效果

如以上描述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的真空蒸發(fā)源可以具有以下效果。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，提供了技術(shù)配置，其包括底部反射器、支撐件和加熱器。因此，底部反射器可以放置靠近坩堝的底部，并且加熱器的下端可以延伸至底部反射器的上表面，從而有效地加熱坩堝的底部。

附圖簡述

圖1是示意性地示出常規(guī)真空蒸發(fā)源的視圖；