[發(fā)明專利]自對準納米線

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780094181.0
• 申請日: 2017-08-21
• 公開（公告）號: CN111316444A
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M.阿姆斯特隆;B.古哈;姜俊成;B.E.比蒂;T.賈尼
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/8238;H01L21/02;H01L27/092
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐予紅;姜冰

一種方法，包括：形成襯底；在所述襯底上方形成第一納米線；在所述襯底上方形成第二納米線；在所述第一和第二納米線的一部分上方形成柵極；注入摻雜劑，使得在所述柵極下方的所述第一和第二納米線之間的區(qū)域不接納所述摻雜劑，而遠離所述柵極的所述第一和第二納米線之間的區(qū)域接納所述摻雜劑，其中所述摻雜劑使遠離所述柵極的所述第一和第二納米線之間的所述區(qū)域的材料非晶化；以及各向同性地蝕刻遠離所述柵極的所述第一和第二納米線之間的區(qū)域。

背景技術(shù)

當前，基于鰭和平面的硅互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)被用于制造微電子學（microelectronics）。然而，摩爾定律已經(jīng)將焦點轉(zhuǎn)到納米線裝置技術(shù)上。從大批量生產(chǎn)（HVM）角度來看，在這種介質(zhì)中的MOS技術(shù)被認為是不成熟的。例如，當前的蝕刻技術(shù)導(dǎo)致與納米線相鄰的未對準的間隔物（spacer），并且這些未對準的間隔物影響納米線裝置的性能和產(chǎn)量。

附圖說明

根據(jù)下面給出的詳細描述以及根據(jù)本公開的各種實施例的附圖，將更充分地理解本公開的實施例，然而，所述實施例不應(yīng)被拿來將本公開限制于特定實施例，而是僅用于解釋和理解。

圖1圖示了根據(jù)一些實施例的通過均勻蝕刻犧牲層形成的納米線裝置的三維（3D）視圖。

圖2圖示了根據(jù)一些實施例的圖1的納米線裝置的截面。

圖3A-J圖示了示出根據(jù)本公開的一些實施例的使用快速均勻蝕刻技術(shù)來形成納米線裝置的截面。

圖4圖示了根據(jù)本公開的一些實施例的具有通過各種實施例的蝕刻機制形成的納米線裝置的智能裝置或計算機系統(tǒng)或SoC（片上系統(tǒng)）。

具體實施方式

一些實施例描述了一種用于形成自對準腔間隔物和線釋放集成方案（wirerelease integration scheme）的方法，該方法減少了納米線或納米帶晶體管中的蝕刻可變性。在一些實施例中，進行僅在注入?yún)^(qū)中增加犧牲層的蝕刻速率的注入。在一些實施例中，犧牲層去除（removal）跨疊堆中的所有納米線或納米帶而對準。在一些實施例中，掩埋的間隔物能精確地與柵極邊緣對準，慮及（allow for）增加的驅(qū)動和減少的寄生電容。在一些實施例中，改進了納米線釋放蝕刻期間的蝕刻時間裕度（margin）。因此，改進了納米線/納米帶的性能和產(chǎn)量。根據(jù)各種圖和實施例，其它技術(shù)效果將是明顯的。

在以下描述中，討論了眾多細節(jié)以提供對本公開的實施例的更透徹的解釋。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯而易見的是，可在沒有這些特定細節(jié)的情況下實踐本公開的實施例。在其它實例中，為了避免模糊本公開的實施例，以框圖形式示出而不是詳細地示出公知的結(jié)構(gòu)和裝置。

注意，在實施例的對應(yīng)附圖中，用線來表示信號。一些線可更粗，以指示更多的組成信號路徑，和/或在一端或多端具有箭頭，以指示主要信息流方向。此類指示不旨在是限制性的。而是，結(jié)合一個或多個示例性實施例來使用所述線，以便于更容易地理解電路或邏輯單元。如由設(shè)計需要或偏好所決定的，任何所表示的信號實際上可包括可在任一方向上行進并且可通過任何合適類型的信號方案實現(xiàn)的一個或多個信號。

遍及整個說明書以及在權(quán)利要求中，術(shù)語“連接的”意味著連接的事物之間的直接連接（例如電、機械或磁連接）而沒有任何中間裝置。術(shù)語“耦合的”意味著直接或間接連接，諸如連接的事物之間的直接電、機械或磁連接或通過一個或多個無源或有源中間裝置的間接連接。術(shù)語“電路”或“模塊”可指布置成彼此協(xié)作以提供期望功能的一個或多個無源和/或有源部件。術(shù)語“信號”可指至少一個電流信號、電壓信號、磁信號或數(shù)據(jù)/時鐘信號。“一（a、an）”和“該”的含義包括復(fù)數(shù)形式。“在……中”的含義包括“在……中”和“在……上”。