[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201780093212.0
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN111316429A
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發明（設計）人: 梅田宗一郎;石岡岳規
• 申請（專利權）人: 新電元工業株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48
• 代理公司: 上海德昭知識產權代理有限公司 31204
• 代理人: 郁旦蓉

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

基板，在其上端面設置有多個導電層；

半導體元件，其配置于所述基板的上端面，并且位于其下端面側的第一端子電連接于設置在所述基板的上端面的第一導電層；

封裝部，封裝所述基板以及半導體元件；

第一引線框，其一端部在向所述封裝部內的所述基板的所述上端面的邊方向延伸的端部處與所述第一導電層的上端面接觸，其另一端部從所述封裝部露出；以及

第一導電性接合材料，其在所述基板的所述端部處將所述第一導電層的上端面與所述第一引線框的所述一端部的下端面側之間接合且具有導電性，

其中，所述第一引線框的所述一端部具有：第一拱形部，其被設置為沿著基準方向向上方突出；以及第一折彎部，其相連于所述第一拱形部且位于比所述第一拱形部更靠近前端側，并且被折彎成沿著所述基準方向向下方突出。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述第一折彎部的下端面側與所述第一導電層的上端面沿著所述基準方向線接觸。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述第一導電性接合材料被沿著所述第一引線框的所述第一折彎部與所述第一導電層的上端面線接觸的所述基準方向配置，并且在所述基板的所述端部處將所述第一導電層的上端面與所述第一折彎部的下端面側之間接合。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，在所述第一引線框的所述第一折彎部中的與所述第一導電層線接觸的部分的位于所述基準方向的兩側的側面，形成有向所述基準方向凹陷的缺口部，

所述第一導電性接合材料的一部分被填入于所述缺口部內，并將所述第一導電層的上端面與所述第一折彎部的所述缺口部之間接合。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述第一引線框被配置為：

使得所述基板的所述端部所延伸的所述邊方向和所述第一折彎部的線接觸的區域所延伸的所述基準方向成為相互平行。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述第一引線框具有主體部，該主體部位于所述一端部與所述另一端部之間且被封裝在所述封裝部內，所述第一拱形部的上端面的位置比所述主體部的上端面的位置更高。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述第一拱形部的所述邊方向的寬度與除了所述第一折彎部的所述缺口部以外的所述邊方向的寬度相同。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述第一引線框的所述一端部與所述另一端部具有相同的厚度。

9.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述第一導電性接合材料為焊錫材料。

10.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述第一拱形部將施加在所述第一引線框的應力分散至周邊的所述封裝部，從而抑制應力被施加在所述第一引線框的所述第一折彎部。

11.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述第一折彎部的下端面的位置比所述主體部的下端面的位置更低。