[發明專利]吸附裝置、搬運裝置以及EL設備制造裝置在審
| 申請號: | 201780088908.4 | 申請日: | 2017-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN110462811A | 公開(公告)日: | 2019-11-15 |
| 發明(設計)人: | 間城文彥 | 申請(專利權)人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;B23Q3/08 |
| 代理公司: | 44334 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 | 代理人: | 葉乙梅<國際申請>=PCT/JP2017 |
| 地址: | 日本國大*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 吸附墊 吸附裝置 吸附 多孔材料 平均孔徑 變形的 對象物 薄膜 | ||
1.一種吸附裝置,其包括一個以上的吸附墊,并經由所述吸附墊吸附對象物,其特征在于,
所述吸附墊由平均孔徑為1.0μm以下的多孔材料形成。
2.根據權利要求1所述的吸附裝置,其特征在于,
所述吸附裝置包括多個吸附墊,并通過所述多個吸附墊吸附所述對象物的多個位置。
3.根據權利要求2所述的吸附裝置,其特征在于,
所述多個吸附墊的每一個可以單獨地設定吸附所述對象物的吸附力。
4.根據權利要求2或3所述的吸附裝置,其特征在于,
所述多個吸附墊等間隔地配置。
5.根據權利要求2~4中任一項所述的吸附裝置,其特征在于,
所述吸附裝置設置有所述多個吸附墊,并包括三個以上的臂部,所述三個以上的臂部中,位于內側的臂部上設置有與位于兩側的臂部所設置的吸附墊相比數量多的吸附墊。
6.根據權利要求1~5中任一項所述的吸附裝置,其特征在于,
所述吸附墊吸附所述對象物的吸附表面在垂直方向上朝向上方向。
7.根據權利要求1~6中任一項所述的吸附裝置,其特征在于,
所述平均孔徑為0.1μm以上且0.5μm以下。
8.根據權利要求1~7中任一項所述的吸附裝置,其特征在于,
所述多孔材料的原材料含有聚酰亞胺。
9.根據權利要求1~8中任一項所述的吸附裝置,其特征在于,
所述多孔材料的氣孔率在30%以上且50%以下。
10.一種吸附方法,其經由吸附墊吸附對象物的吸附方法,其特征在于,
所述吸附墊由平均孔徑為1.0μm以下的多孔材料形成。
11.一種搬運裝置,其特征在于,
所述搬運裝置包括權利要求1~9任一項所述的吸附裝置,并搬運由所述吸附裝置吸附的所述對象物。
12.一種EL設備制造裝置,其特征在于,
所述EL設備制造裝置包括權利要求11所述的搬運裝置,所述對象物為EL設備的基板。
13.根據權利要求12所述的EL設備制造裝置,其特征在于,
在所述EL設備的行方向以及列方向上分別配置有多個所述吸附墊。
14.根據權利要求12或13所述的EL設備制造裝置,其特征在于,
所述吸附墊不吸附與所述EL設備的顯示部對應的所述對象物的區域,且吸附與所述EL設備的非顯示部對應的所述對象物的區域的多個位置。
15.一種EL設備的制造方法,其特征在于,
所述制造方法包括通過權利要求11所述的搬運裝置搬運EL設備的基板的搬運工序。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





