[發(fā)明專利]基板處理裝置及基板處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780080649.0 | 申請日: | 2017-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN110114859B | 公開(公告)日: | 2023-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 安田周一;小林健司 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社斯庫林集團(tuán) |
| 主分類號: | H01L21/306 | 分類號: | H01L21/306;H01L21/304 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋曉寶;向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
在供第一供給液及第二供給液分別流動的第一以及第二供給液管路(412、422)設(shè)置有第一以及第二濃度測定部(415、425)。第二供給液中的氣體的溶解濃度比第一供給液低。第一以及第二分支管路(51、52)的一端分別連接于第一以及第二供給液管路中比濃度測定部更靠上游側(cè)的位置。第一以及第二分支管路的另一端連接于混合部(57),且混合第一以及供給液來生成處理液。基于第一以及第二濃度測定部的測定值來控制第一以及第二分支管路的流量調(diào)整部(58),以使處理液中的氣體的溶解濃度成為設(shè)定值。由此,能一邊防止包含因濃度測定部所引起的顆粒等的供給液,包含在供給至基板的處理液中,一邊能使處理液中的氣體的溶解濃度高精度地調(diào)整至設(shè)定值。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種通過處理液來處理基板的技術(shù)。
背景技術(shù)
以往,在半導(dǎo)體基板(以下,簡稱為“基板”)的制程中,使用基板處理裝置通過處理液來對基板實(shí)施各種的處理。例如,通過對表面上形成有抗蝕劑的圖案的基板供給藥液,來對基板的表面進(jìn)行蝕刻等的處理。另外,在蝕刻處理結(jié)束之后,亦進(jìn)行通過剝離液來除去基板上的抗蝕劑,或通過清洗液來清洗基板的處理。
再者,在日本特許第4368188號公報(文獻(xiàn)1)中,已揭示一種將基板浸漬于處理槽內(nèi)的處理液中以對基板進(jìn)行處理的基板處理裝置。在該裝置中,在將從處理槽溢流(overflow)出的處理液循環(huán)供給至處理槽的路徑上,設(shè)置有將處理液的氮?dú)鉂舛日{(diào)整至規(guī)定的值的調(diào)整部。在調(diào)整部中,可供來自處理槽的處理液流動的供給路徑,被分支成第一供給路徑及第二供給路徑的兩個系統(tǒng),之后,兩者匯流而連接于處理槽。在第一供給路徑設(shè)置有:使氮?dú)馊芙庥谔幚硪褐械娜芙獠浚坏谝坏獫舛扔?jì);以及第一處理液閥。在第二供給路徑設(shè)置有:使氮?dú)鈴奶幚硪褐谐龤獾某龤獠浚坏诙獫舛扔?jì);以及第二處理液閥。基于第一氮濃度計(jì)及第二氮濃度計(jì)等的測定值,來控制第一處理液閥及第二處理液閥的開閉,由此能獲得具有作為目標(biāo)的氮?dú)鉂舛鹊奶幚硪海彝幚聿酃┙o。
可是,在利用處理液進(jìn)行的基板的處理中,因處理液中的溶解氧的濃度,會使基板上的膜的蝕刻速率變動。雖然通過對貯存于罐內(nèi)的處理液,進(jìn)行氮?dú)獾钠鹋?bubbling)、或周圍環(huán)境氣體的減壓等,能夠使處理液中的溶解氧濃度降低,但是難以將處理液中的溶解氧濃度高精度地調(diào)整至任意的設(shè)定值。
另一方面,在文獻(xiàn)1的調(diào)整部中,雖然能獲得具有作為目標(biāo)的氮?dú)鉂舛鹊奶幚硪海窃谠撎幚硪褐邪型ㄟ^濃度測定部后的液體。有的情況下,在通過濃度測定部后的液體中包含有因濃度測定部的接觸液體部等所引起的顆粒或金屬離子等。不佳的是包含因濃度測定部所引起的顆粒等的液體會包含在供給至基板的處理液中。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明適用于通過處理液來處理基板的基板處理裝置中,其目的在于一邊防止包含因濃度測定部所引起的顆粒(particle)等的供給液,包含在供給至基板的處理液中,一邊將處理液中的氣體的溶解濃度高精度地調(diào)整至設(shè)定值。
本發(fā)明的基板處理裝置,具備:第一供給液管路(line),供第一供給液連續(xù)地流動;第一濃度測定部,設(shè)置于所述第一供給液管路,用以測定所述第一供給液中的規(guī)定的氣體的溶解濃度;第二供給液管路,供所述氣體的溶解濃度比所述第一供給液低的第二供給液連續(xù)地流動;第二濃度測定部,設(shè)置于所述第二供給液管路,用以測定所述第二供給液中的所述氣體的溶解濃度;處理液調(diào)整部,混合所述第一供給液和所述第二供給液,以生成所述氣體的溶解濃度經(jīng)調(diào)整后的處理液;基板處理部,將所述處理液供給至基板來處理所述基板;以及控制部,所述處理液調(diào)整部具備:第一分支管路,一端連接于所述第一供給液管路中比所述第一濃度測定部更靠上游側(cè)的連接位置,且供所述第一供給液流動;第二分支管路,一端連接于所述第二供給液管路中比所述第二濃度測定部更靠上游側(cè)的連接位置,且供所述第二供給液流動;流量調(diào)整部,設(shè)置于所述第一分支管路或所述第二分支管路;以及混合部,供所述第一分支管路的另一端、及所述第二分支管路的另一端連接,且通過混合所述第一供給液和所述第二供給液來生成所述處理液;所述控制部基于所述第一濃度測定部的測定值及所述第二濃度測定部的測定值來控制所述流量調(diào)整部,以使所述處理液中的所述氣體的溶解濃度成為設(shè)定值。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





