[發(fā)明專利]波導(dǎo)裝置和摻雜波導(dǎo)裝置的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780074837.2
• 申請日: 2017-12-01
• 公開（公告）號: CN110291450B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: D.萊羅塞;H.阿貝戴斯爾;A.S.納格拉
• 申請（專利權(quán)）人: 洛克利光子有限公司
• 主分類號: G02F1/025
• 分類號: G02F1/025;G02B6/10
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 俞華梁;陳嵐

1.一種制造波導(dǎo)裝置的方法，所述方法包括：

提供肋形波導(dǎo)，所述肋形波導(dǎo)包括：

基底，以及

從所述基底延伸的脊狀物；

其中：所述基底包括在所述脊狀物的第一側(cè)處的第一平板區(qū)和在所述脊狀物的第二側(cè)處的第二平板區(qū)；以及

產(chǎn)生沿著所述第一平板區(qū)延伸的第一摻雜平板區(qū)；產(chǎn)生所述第一摻雜平板區(qū)的步驟包括：

在所述第二平板區(qū)的至少一部分上提供光致抗蝕劑，與所述脊狀物從所述基底延伸相比，所述光致抗蝕劑從所述基底延伸得更遠；

使用摻雜劑與所述波導(dǎo)的第一側(cè)壁成角度α來植入所述第一平板區(qū)，將所述光致抗蝕劑用作掩模以在不被摻雜的區(qū)上蒙上陰影，所述不被摻雜的區(qū)包括所述脊狀物的第二側(cè)壁。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造波導(dǎo)裝置的方法，所述方法還包括以下步驟：

使用所述摻雜劑與所述脊狀物的第一側(cè)壁成角度β來植入所述脊狀物的第一側(cè)壁和所述第一平板區(qū)的一部分，以產(chǎn)生沿著所述脊狀物的第一側(cè)壁并且沿著所述第一平板區(qū)的一部分延伸的第一摻雜側(cè)壁區(qū)，所述第一摻雜側(cè)壁區(qū)在第一平板界面處與所述第一摻雜平板區(qū)接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造波導(dǎo)裝置的方法，其中所述脊狀物的所述第一側(cè)壁與所述第一平板界面之間的間隔不多于10μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造波導(dǎo)裝置的方法，其中所述脊狀物的所述第一側(cè)壁與所述第一平板界面之間的所述間隔不多于5μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項所述的制造波導(dǎo)裝置的方法，其中用于摻雜所述第一平板區(qū)和所述第一側(cè)壁的摻雜劑是N型摻雜劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造波導(dǎo)裝置的方法，其中所述第一平板區(qū)的摻雜劑是與所述第一側(cè)壁的摻雜劑相同的材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的制造波導(dǎo)裝置的方法，所述方法還包括以下步驟：

從所述第二平板區(qū)上移除所述光致抗蝕劑；

產(chǎn)生沿著所述第二平板區(qū)延伸的第二摻雜平板區(qū)；產(chǎn)生所述第二摻雜平板區(qū)的步驟包括：

在所述第一平板區(qū)的至少一部分上提供光致抗蝕劑，與所述脊狀物從所述基底延伸相比，所述光致抗蝕劑從所述基底延伸得更遠；

使用第二摻雜劑與所述波導(dǎo)的第二側(cè)壁成角度α來植入所述第二平板區(qū)，將所述光致抗蝕劑用作掩模以在不被摻雜的區(qū)上蒙上陰影，所述不被摻雜的區(qū)包括所述脊狀物的第一側(cè)壁。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造波導(dǎo)裝置的方法，所述方法還包括以下步驟：

使用所述摻雜劑與所述脊狀物的第二側(cè)壁成角度β來植入所述脊狀物的第二側(cè)壁和所述第二平板區(qū)的一部分，以產(chǎn)生沿著所述脊狀物的第二側(cè)壁并且沿著所述第二平板區(qū)的一部分延伸的第二摻雜側(cè)壁區(qū)，所述第二摻雜側(cè)壁區(qū)在第二平板界面處與所述第二摻雜平板區(qū)接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的制造波導(dǎo)裝置的方法，其中所述脊狀物的所述第二側(cè)壁與所述第二平板界面之間的間隔不多于10μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造波導(dǎo)裝置的方法，其中所述脊狀物的所述第二側(cè)壁與所述第二平板界面之間的所述間隔不多于5μm。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造波導(dǎo)裝置的方法，其中用于摻雜所述第二平板區(qū)和所述第二側(cè)壁的摻雜劑是P型摻雜劑。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造波導(dǎo)裝置的方法，其中所述第二平板區(qū)的摻雜劑是與所述第二側(cè)壁的摻雜劑相同的材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中在硅晶片上制造所述裝置，并且其中使用摻雜劑與所述第一側(cè)壁成角度α來植入所述第一平板區(qū)的步驟包括相對于植入方向使所述晶片傾斜的步驟。