[發明專利]用于低級烷烴脫氫芳構化的催化劑活化的改進方法

在審

• 申請號: 201780074276.6
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN110022978A
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 斯里尼瓦薩拉奧·加朱拉;阿米特·庫馬;齊亞德·科塔瓦里托蒂;安世塔·蘇達爾尚;埃斯瓦拉·拉奧·穆帕拉胡;蘇曼·庫馬爾·亞娜;安東尼薩米·塞爾瓦納坦;西瓦庫馬爾·斯里拉馬吉里
• 申請（專利權）人: 沙特基礎工業全球技術有限公司
• 主分類號: B01J29/48
• 分類號: B01J29/48;C07C2/76;B01J37/18;C10G35/06
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 張英

1.一種生產用于低級烷烴芳構化的沸石催化劑的方法，包括：

在40℃至250℃的第一溫度下使鉬改性沸石催化劑前體與包含低級烷烴和還原性氣體的氣體流股接觸，所述第一溫度以小于或等于5℃/min的速率升高至大于250℃至750℃的第二溫度，從而獲得活化的沸石催化劑。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述溫度以小于或等于3℃/min的速率升高。

3.根據權利要求1～2中任一項所述的方法，其中所述溫度以小于或等于2℃/min的速率升高。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的方法，其中所述氣體流股包含5vol.％至30vol.％的所述低級烷烴。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的方法，其中所述低級烷烴包含甲烷。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的方法，其中所述鉬改性沸石催化劑前體包含H-ZSM-5。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的方法，其中所述鉬改性沸石催化劑前體進一步包含0.1wt％至2wt％的選自周期表第6-11族的另外的元素。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的方法，其中所述還原性氣體包含氫。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的方法，其中所述氣體流股包含70vol.％至95vol.％的所述還原性氣體。

10.根據權利要求1～9中任一項所述的方法，其中所述第一溫度為50℃至70℃，所述第二溫度為600℃至700℃，所述速率為1℃/min至3℃/min。

11.根據權利要求1～10中任一項所述的方法，其中所述氣體活化沸石催化劑具有10至20，或11至18的Si/Al比率。

12.根據權利要求1～11中任一項所述的方法，其中基于所述氣體流股的總體積，惰性氣體以小于或等于10vol.％的量存在。

13.根據權利要求1～12中任一項所述的方法，其中基于所述前體的總重量，所述沸石催化劑前體包含2wt％至10wt％的鉬。

14.根據權利要求13所述的方法，其中基于所述前體的總重量，所述沸石前體包含3wt％至5wt％的鉬。

15.一種通過權利要求1～14中任一項所述的方法可獲得的用于低級烷烴芳構化的沸石催化劑。

16.一種用于低級烷烴芳構化的方法，包括：

在芳構化條件下將通過權利要求1～14中任一項所述的方法生產的沸石催化劑與包含低級烷烴的進料流股接觸。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述進料流股包含甲烷。

18.根據權利要求16的方法，其中所述進料流股由甲烷構成。

19.根據權利要求16～18中任一項所述的方法，其中芳構化條件包括600℃至850℃的溫度。

20.根據權利要求19所述的方法，其中芳構化條件包括在725℃至800℃的溫度下0.5至2atm。