[發明專利]Ag-Sn金屬間化合物的配制物在審
| 申請號: | 201780072695.6 | 申請日: | 2017-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN110049846A | 公開(公告)日: | 2019-07-23 |
| 發明(設計)人: | F·舍恩斯坦;N·茹尼;P·卡諾;J-M·莫雷勒;K·L譚;F·馬羅托 | 申請(專利權)人: | 法雷奧電機控制系統公司;凡爾賽大學;國家科研中心;巴黎第十三大學 |
| 主分類號: | B23K35/26 | 分類號: | B23K35/26;B23K35/30;B23K35/02;C22C1/00;C22F1/14;C22C1/04;C22C5/06;C22C13/00;B22F9/16;B22F9/24 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 王海寧 |
| 地址: | 法國塞日*** | 國省代碼: | 法國;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬間化合物 加熱步驟 溶液加熱 時間段 混合物 錫鹽 引入 多元醇型 還原步驟 連續步驟 氫氧化鈉 回收 保護劑 還原劑 配制物 溶劑 銀鹽 合成 | ||
一種用于合成Ag?Sn金屬間化合物的方法,包括以下連續步驟:?提供混合物的步驟(E1),在該步驟期間,產生銀鹽和保護劑的混合物在多元醇型溶劑中的溶液,?第一加熱步驟(E2),在該步驟期間將溶液加熱至大于或等于140℃且小于或等于180℃的溫度T1持續大于或等于5分鐘且小于或等于1小時的時間段t1,?引入錫鹽的步驟(E3),在該步驟期間將錫鹽和氫氧化鈉引入該溶液,?第二加熱步驟(E4),在該步驟期間將溶液加熱至大于或等于140℃且小于或等于180℃的溫度T2持續大于或等于5分鐘且小于或等于1小時的時間段t2,?還原步驟(E5),在該步驟期間將還原劑引入該溶液,?第三加熱步驟(E6),在該步驟期間將溶液加熱至大于或等于160℃且小于或等于240℃的溫度T3持續大于或等于30分鐘且小于或等于24小時的時間段t3,?回收步驟(E7),在該步驟期間回收所得Ag?Sn金屬間化合物。
本發明涉及一種合成Ag-Sn金屬間化合物的方法,該化合物特別旨在用作釬焊化合物和打印機墨粉的化合物。
由于向無鉛釬焊技術的轉變,電子工業即將取得重大進展。研究關注于新型無鉛材料,這些材料須符合新的歐洲環境法規RoHS。
借助釬焊將標準電子芯片連接到銅基板。釬焊材料必須耐受高溫,特別是高于200℃的高溫,以及耐受高機械應力。組裝件安放在底座上,該底座能夠將熱量從芯片傳遞到散熱器。該底座由銅或鋁制成。
用于釬焊的材料的選擇對于電子裝置的組裝接頭的可靠性是重要的。目前的商業無鉛釬焊是基于具有高錫含量的合金,例如具有3.5重量%Ag的共晶組合物,其熔化溫度在200℃和250℃之間。新世代的SiC或GaN基芯片能夠在高于250℃的溫度下工作,而商業無鉛釬焊不能用于這些應用。因此,重要的是找到一種材料,其不僅具有良好的電子傳導性和良好的機械應力耐受性,而且還在高于250℃的溫度下起作用并且與規模生產相容。
發明人的研究與金屬間Ag-Sn特別是金屬間Ag3Sn有關,因為其具有高的熔點(約480℃)。實際上,就電子芯片的性能和可靠性而言,焊料的熔化溫度是非常重要的,電子芯片可能經受高溫。
目前通過冶金工藝合成金屬間Ag3Sn。當從固體材料或者銀錠和純錫進行合成時,在凝固階段期間發生金屬間化合物如Ag3Sn的形成。
這樣的合成方法昂貴且不能獲得純相。此外,以這種方式難以獲得具有受控形態的細粉碎顆粒形式的相。
也使用化學還原的方法用于合成無鉛金屬間化合物。所述方法被認為是最適合于工業制造工藝的方法,因為它們便宜并且可以生產細粉碎的微米或亞微米尺寸的顆粒。
已通過使用多元醇工藝獲得Ag-Sn金屬間化合物顆粒,這是一種簡單的軟化學工藝。然而,其不能獲得純相。此外,觀察到錫作為主要相的形成,伴隨少量的金屬間Ag-Sn和其它雜質。
本發明的目的是提出一種合成Ag-Sn金屬間化合物的方法,該化合物富含銀并具有高的熔化溫度。
因此,本發明提出了一種合成Ag-Sn金屬間化合物的方法,包括以下連續步驟:
-提供混合物的步驟E1,在該步驟期間,形成銀鹽和保護劑的混合物在多元醇型溶劑中的溶液,
-第一加熱步驟E2,在該步驟期間將溶液加熱至大于或等于140℃且小于或等于180℃的溫度T1持續大于或等于5分鐘且小于或等于1小時的時間段t1,
-引入錫的步驟E3,在該步驟期間將錫鹽和氫氧化鈉引入溶液,
-第二加熱步驟E4,在該步驟期間將溶液加熱至大于或等于140℃且小于或等于180℃的溫度T2持續大于或等于5分鐘且小于或等于1小時的時間段t2,
-還原步驟E5,在該步驟期間將還原劑引入溶液,
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