[發(fā)明專利]激光照射裝置及薄膜晶體管的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780069323.8 | 申請日: | 2017-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN109952630A | 公開(公告)日: | 2019-06-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 水村通伸;新井敏成;畑中誠;竹下琢郎 | 申請(專利權(quán))人: | V科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/20 | 分類號: | H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華;洪秀川 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜晶體管 投影透鏡 投影掩模 掩模 激光照射裝置 激光 玻璃基板 透射率 圖案 非晶硅薄膜 方向移動 激光透過 區(qū)域照射 粘附 光源 照射 制造 | ||
1.一種激光照射裝置,其特征在于,具備:
光源,其產(chǎn)生激光;
投影透鏡,其向分別粘附于玻璃基板上的多個薄膜晶體管的非晶硅薄膜的規(guī)定的區(qū)域照射所述激光;及
投影掩模圖案,其設(shè)置在所述投影透鏡上,包含設(shè)定有所述激光透過的比例即透射率的多個掩模,
所述投影透鏡對于沿規(guī)定的方向移動的所述玻璃基板上的所述多個薄膜晶體管,分別經(jīng)由所述投影掩模圖案所包含的所述多個掩模來照射所述激光,
所述投影掩模圖案包含的所述多個掩模分別設(shè)定有多個所述透射率中的任一個。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光照射裝置,其特征在于,
在所述投影掩模圖案中,設(shè)定有不同的所述透射率的所述掩模隨機配置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的激光照射裝置,其特征在于,
所述投影掩模圖案包含的所述多個掩模分別設(shè)定有包含在預(yù)先確定的規(guī)定的范圍內(nèi)的所述透射率中的任一個。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項所述的激光照射裝置,其特征在于,
包含于所述投影掩模圖案且在與所述規(guī)定的方向正交的一列中相互相鄰的各個所述掩模的所述透射率互不相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的激光照射裝置,其特征在于,
所述投影掩模圖案包含的所述多個掩模的各自的所述透射率互不相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項所述的激光照射裝置,其特征在于,
所述投影透鏡是包含于微透鏡陣列的多個微透鏡,該微透鏡陣列能夠?qū)λ黾す膺M行分離,
所述投影掩模圖案包含的各個所述多個掩模分別對應(yīng)于所述多個微透鏡。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光照射裝置,其特征在于,
所述投影掩模圖案基于所述微透鏡陣列所包含的多個微透鏡的各自的特性,設(shè)定有與該微透鏡分別對應(yīng)的所述掩模的透射率。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的激光照射裝置,其特征在于,
所述投影掩模圖案是通過使透過所述微透鏡的激光的相位變化而提高該微透鏡的分辨率的相位移動掩模,
所述相位移動掩模使透過所述多個微透鏡中的、基于所述分辨率而決定的微透鏡的所述激光的相位變化,提高該微透鏡的分辨率。
9.根據(jù)權(quán)利要求6~8中任一項所述的激光照射裝置,其特征在于,
所述相位移動掩模使透過所述多個微透鏡中的、分辨率相對低的微透鏡的所述激光的相位變化,提高該微透鏡的分辨率。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~9中任一項所述的激光照射裝置,其特征在于,
所述投影透鏡向薄膜晶體管所包含的源電極與漏電極之間粘附的非晶硅薄膜的規(guī)定的區(qū)域照射激光,來形成多晶硅薄膜。
11.一種薄膜晶體管的制造方法,其特征在于,包括:
產(chǎn)生激光的第一步驟;
使用投影透鏡向分別粘附于玻璃基板上的多個薄膜晶體管的非晶硅薄膜的規(guī)定的區(qū)域照射所述激光的第二步驟,該投影透鏡設(shè)有投影掩模圖案,該投影掩模圖案包含設(shè)定有所述激光透過的比例即透射率的多個掩模;及
每當(dāng)照射所述激光時,使所述玻璃基板沿規(guī)定的方向移動的第三步驟,
在第二步驟中,經(jīng)由包含設(shè)定有多個所述透射率中的任一個的多個所述掩模的所述投影掩模圖案,照射所述激光。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管的制造方法,其特征在于,
在第二步驟中,經(jīng)由設(shè)定有不同的所述透射率的所述掩模隨機配置的所述投影掩模圖案,照射所述激光。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的薄膜晶體管的制造方法,其特征在于,
在第二步驟中,經(jīng)由所述投影掩模圖案來照射所述激光,該投影掩模圖案包括所述掩模,該掩模設(shè)定有包含在預(yù)先確定的規(guī)定的范圍內(nèi)的所述透射率中的任一個。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





