[發明專利]襯里壁內的反應器部件放置裝置

有效

• 申請號: 201780068731.1
• 申請日: 2017-11-06
• 公開（公告）號: CN109923656B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 馬修·J·米勒
• 申請（專利權）人: 瑞科硅公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王偉;高偉

1.一種在用于生產涂布有多晶硅的顆粒材料的流化床反應器中使用的反應室襯里，所述反應室襯里包括：

管狀壁，所述管狀壁具有上表面、下表面、面向外的表面、被構造成限定反應室的一部分的面向內的表面、在所述上表面和所述下表面之間的高度H_W、以及在所述面向外的表面和所述面向內的表面之間的厚度T_W，

所述管狀壁限定有上孔口和空腔，所述上孔口在所述上表面中，所述空腔從所述上孔口朝向所述下表面延伸并具有深度D_C，

其中，所述管狀壁包括至少一個向內突出的脊部，所述至少一個向內突出的脊部由所述管狀壁的所述面向內的表面的一部分以及所述上表面的對應部分限定，所述至少一個向內突出的脊部具有長度L_R，其中L_RH_W；并且

其中，所述上孔口在所述上表面的所述對應部分中，使得所述空腔位于所述至少一個向內突出的脊部中。

2.根據權利要求1所述的反應室襯里，其中，所述空腔的所述深度D_C小于所述管狀壁的所述高度H_W。

3.根據權利要求1所述的反應室襯里，其中，所述空腔被定尺寸以容納反應器部件。

4.根據權利要求3所述的反應室襯里，其中，所述反應器部件為籽晶噴嘴、熱電偶、測壓接管、顆粒取樣管線、氣體取樣管線、氣體進料管線、床高度測量裝置、力探針、熱交換器、速度傳感器、光譜探針、雷達探針或光學探針。

5.根據權利要求1所述的反應室襯里，其中：

所述至少一個向內突出的脊部還由所述管狀壁的所述下表面的對應部分限定，使得L_R＝H_W；

所述管狀壁限定有在所述下表面的所述對應部分中的下孔口；并且

所述空腔的所述深度D_C等于所述長度L_R，使得所述空腔從所述上孔口穿過所述至少一個向內突出的脊部延伸到所述下孔口。

6.根據權利要求1所述的反應室襯里，其中L_RH_W，并且：

所述空腔的所述深度D_C小于所述至少一個向內突出的脊部的所述長度L_R；或者

所述至少一個向內突出的脊部的下表面限定有下孔口，并且所述空腔的所述深度D_C等于所述至少一個向內突出的脊部的所述長度L_R，從而所述空腔限定從所述上孔口延伸到所述下孔口的通道。

7.根據權利要求1所述的反應室襯里，其中：

(i)所述反應室襯里是分段式碳化硅襯里，所述分段式碳化硅襯里包括多個豎直堆疊的區段，并且所述管狀壁是所述多個豎直堆疊的區段中的一個；或者

(ii)所述管狀壁包括多個側向結合的區段，并且所述空腔在所述多個側向結合的區段之一中；或者

(iii)是(i)和(ii)兩者。

8.根據權利要求7所述的反應室襯里，其中，所述管狀壁是所述多個豎直堆疊的區段中的一個，并且其中：

(i)所述管狀壁的所述上表面包括向上開口的凹部或向上延伸的脊部，所述向上開口的凹部或所述向上延伸的脊部由所述上表面的至少一部分限定并沿著所述上表面的所述至少一部分延伸；或者

(ii)所述管狀壁的所述下表面包括向下開口的凹部或向下延伸的脊部，所述向下開口的凹部或所述向下延伸的脊部由所述下表面的至少一部分限定并沿著所述下表面的所述至少一部分延伸；或者

(iii)是(i)和(ii)兩者。