[發(fā)明專(zhuān)利]直接調(diào)制激光器驅(qū)動(dòng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780064961.0
• 申請(qǐng)日: 2017-10-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109891690B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 岸俊樹(shù);長(zhǎng)谷宗彥;中野慎介;桂井宏明;野河正史;野坂秀之
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 日本電信電話(huà)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01S5/042
• 分類(lèi)號(hào): H01S5/042;H03F1/22;H03K19/0175;H04B10/54
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種直接調(diào)制激光器驅(qū)動(dòng)電路，包括：

電源電路，配置為向激光二極管供給驅(qū)動(dòng)電流；以及

驅(qū)動(dòng)器電路，與所述激光二極管并聯(lián)連接，配置為根據(jù)輸入的調(diào)制信號(hào)旁通所述驅(qū)動(dòng)電流，

其中所述驅(qū)動(dòng)器電路包括多個(gè)級(jí)聯(lián)連接的NMOS晶體管，

所述調(diào)制信號(hào)被施加到所述NMOS晶體管中的位于最下級(jí)處的最下級(jí)晶體管的柵極端子，以及

對(duì)所述NMOS晶體管中的位于所述最下級(jí)晶體管的上級(jí)處的上級(jí)晶體管的柵極端子施加上級(jí)偏置電位，所述上級(jí)偏置電位是位于所述上級(jí)晶體管的緊鄰下級(jí)的晶體管的最小柵極-源極電壓和最大漏極-源極電壓之和。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接調(diào)制激光器驅(qū)動(dòng)電路，其中所述電源電路包括連接在恒定電壓源和所述激光二極管之間的恒定電流源。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接調(diào)制激光器驅(qū)動(dòng)電路，其中所述電源電路包括連接在恒定電壓源和所述激光二極管之間的高頻扼流圈。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接調(diào)制激光器驅(qū)動(dòng)電路，其中所述電源電路包括PMOS電流控制晶體管，所述PMOS電流控制晶體管連接在恒定電壓源和所述激光二極管之間并被配置為基于電流控制偏置電位將所述驅(qū)動(dòng)電流控制為恒定的。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的直接調(diào)制激光器驅(qū)動(dòng)電路，還包括：

上級(jí)解耦合電路，包括RC低通濾波器，所述RC低通濾波器連接在所述上級(jí)偏置電位和所述上級(jí)晶體管的柵極端子之間并被配置為移除高頻噪聲分量；

電源解耦合電路，包括RC低通濾波器，所述RC低通濾波器連接在所述電流控制偏置電位和所述PMOS電流控制晶體管的柵極端子之間并被配置為移除高頻噪聲分量；以及

解耦合電容器，連接在所述上級(jí)晶體管的漏極端子和地電位之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的直接調(diào)制激光器驅(qū)動(dòng)電路，還包括：

串聯(lián)電路，包括連接在所述最下級(jí)晶體管的源極端子和地電位之間的電阻元件和電感器；

電容器，連接在所述最下級(jí)晶體管的源極端子和所述地電位之間；以及

高通濾波器，包括：輸入電阻元件，所述輸入電阻元件的一端施加有所述電流控制偏置電位且另一端與所述電流控制晶體管的柵極端子相連；電容元件，所述電容元件連接在所述電流控制晶體管的柵極端子和所述最下級(jí)晶體管的柵極端子之間；以及串聯(lián)電路，所述串聯(lián)電路包括連接在所述最下級(jí)晶體管的柵極端子和所述地電位之間的電阻元件和電感器。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的直接調(diào)制激光器驅(qū)動(dòng)電路，還包括：

上級(jí)解耦合電路，包括RC低通濾波器，所述RC低通濾波器連接在所述上級(jí)偏置電位和所述上級(jí)晶體管的柵極端子之間并被配置為移除高頻噪聲分量；以及

電源解耦合電路，包括RC低通濾波器，所述RC低通濾波器連接在所述電流控制偏置電位和所述輸入電阻元件的所述一端之間并被配置為移除高頻噪聲分量。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的直接調(diào)制激光器驅(qū)動(dòng)電路，還包括：

串聯(lián)電路，包括連接在所述最下級(jí)晶體管的源極端子和地電位之間的電阻元件和電感器；

電容器，連接在所述最下級(jí)晶體管的源極端子和所述地電位之間；以及

高通濾波器，包括：輸入電容元件，所述輸入電容元件的一端施加有所述調(diào)制信號(hào)的同相信號(hào)且另一端與所述電流控制晶體管的柵極端子相連；串聯(lián)電路，包括連接在所述電容元件的所述一端和所述地電位之間的電阻元件和電感器；以及電阻元件，連接在所述電流控制偏置電位和所述電容元件的所述另一端之間。