[發明專利]彎曲的后掃描電極

在審

• 申請號: 201780064062.0
• 申請日: 2017-08-28
• 公開（公告）號: CN109863572A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 法蘭克·辛克萊;丹尼爾·泰格爾;艾德沃·W·比爾;羅伯特·林德柏格
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01J37/04
• 分類號: H01J37/04;H01J37/317
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

一種設備用于提供離子束的離子束產生器。掃描系統可接收所述離子束并提供經掃描束。電極可接收所述經掃描束。所述電極的至少一部分垂直于所述經掃描束的傳播方向。所述電極的垂直于所述傳播方向所述掃描束的所述部分可具有彎曲形狀。

技術領域

本發明涉及離子植入，且更具體來說，涉及一種具有后掃描抑制電極的離子植入機。

背景技術

離子植入是一種用于向半導體晶片引入導電性的標準技術。可在離子源中將所期望的雜質材料離子化，可將離子加速以形成規定能量的離子束，且離子束可射向晶片的前表面。束中的能量離子滲透到半導體材料的主體中且嵌入到半導體材料的晶格(crystalline lattice)中以形成具有所期望導電性的區。

離子植入機可包括用于以掃描頻率在至少一個方向上使離子束偏向或掃描離子束的掃描儀以將離子束分布在晶片的前表面中。掃描儀可為所屬領域中所知的靜電掃描儀或磁性掃描儀。離子束可僅通過束掃描或者通過束掃描與晶片移動的組合而被分布在晶片區域中。在一個離子植入機中，掃描儀可在一個方向上掃描束且驅動系統可在與掃描方向正交的方向上翻轉晶片以將離子束分布在晶片的前表面中。

傳統掃描儀可包括以掃描板的形式位于由離子束產生器提供的離子束的相對兩側上的掃描電極。后掃描電極可位于掃描板的下游，且前掃描抑制電極可位于掃描板的上游。用語“上游”及“下游”是以離子束傳輸的方向為參考。因此，后掃描電極位于掃描儀的掃描板與角度校正器(angle corrector)之間，且前掃描抑制電極位于掃描板與離子束產生器之間。

掃描板在一個維度(dimension)上掃描離子束以提供扇形束包絡線，所述扇形束包絡線的位于偏向區及后掃描抑制區(post scan suppression)下游的軌跡實質上為直線。這些直線可向后延伸且在某一點處相交。所述點被稱為實際掃描原點。經掃描板處理的離子束被后掃描電極接收。傳統掃描儀使用扁平后掃描電極(flat post scanelectrode)。扁平后掃描電極會造成視在掃描原點(apparent scan origin)的不期望的移位。視在掃描原點應與實際掃描原點相同或實質上相同。視在掃描原點相比于實際掃描原點的不期望的下游移位是由與扁平后掃描電極相關聯的束折射造成。視在掃描原點移位使實現束平行性需要更高的準直器視野(collimator field)。更高的準直器視野會造成束角度的不期望的改變，此會使放射量測定準確度(dosimetry accuracy)及其他工藝參數折衷。

因此，需要一種不會使由掃描板提供的扇形束包絡線的掃描原點移位的離子植入機。

發明內容

提供此發明內容是為了以簡化形式介紹以下在具體實施方式中進一步闡述的一系列概念。此發明內容并非旨在識別所主張主題的關鍵特征或本質特征，本發明內容也不旨在幫助確定所主張主題的范圍。

在一個實施例中，提供一種包括用于提供離子束的離子束產生器的設備。掃描系統可接收所述離子束并提供經掃描束。電極可接收所述經掃描束。所述電極的至少一部分垂直于所述經掃描束的傳播方向。在一個實施例中，所述電極的垂直于所述傳播方向所述掃描束的所述至少一部分具有彎曲形狀。

在另一個實施例中，提供一種包括用于提供離子束的離子束產生器的設備。掃描系統可接收所述離子束并提供經掃描束。電極可接收所述經掃描束。所述電極的至少一部分具有彎曲形狀。

在再一個實施例中，提供一種產生離子束的方法。所述方法可進一步包括：接收所述離子束且從所述離子束提供經掃描束；以及由電極接收所述經掃描束，所述電極的至少一部分垂直于所述經掃描束的傳播方向。