[發明專利]攝像面板及其制造方法

在審

• 申請號: 201780057582.9
• 申請日: 2017-09-19
• 公開（公告）號: CN109716526A
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 美崎克紀
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;G01T1/20;H01L27/144;H04N5/32;H04N5/374
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝;劉寧軍

提供能抑制截止漏電流的X射線的攝像面板及其制造方法。攝像面板具備光電二極管，上述光電二極管包括：下部電極；光電轉換層(15)，其設置于下部電極之上；以及上部電極(14b)，其設置在光電轉換層(15)之上。光電轉換層(15)包括第1非晶質半導體層(151)、本征非晶質半導體層(152)以及第2非晶質半導體層(153)。光電轉換層(15)具有至少第2非晶質半導體層(153)的上端部(1531)比本征非晶質半導體層(152)的上端部(1521)更向光電轉換層(15)的外側突出而成的突起部(15a)。

技術領域

本發明涉及攝像面板及其制造方法。

背景技術

已知通過具備多個像素部的攝像面板來拍攝X射線圖像的X射線攝像裝置。在這種X射線攝像裝置中，例如，使用PIN(p-intrinsic-n：p-本征-n)光電二極管作為光電轉換元件，通過PIN光電二極管將照射的X射線轉換為電荷。通過使像素部所具備的薄膜晶體管(Thin Film Transistor：以下也稱為“TFT”。)進行動作而讀出轉換后的電荷。通過這樣讀出電荷，能夠得到X射線圖像。在特開2015-119113號公報中公開了使用PIN光電二極管的光電轉換元件陣列單元。

發明內容

然而，在上述攝像面板的制造工序中，PIN光電二極管是通過使n型非晶質半導體層、本征非晶質半導體層、p型非晶質半導體層按順序成膜，并在p型非晶質半導體層上形成抗蝕劑后進行干蝕刻而形成的。當由于干蝕刻而致使PIN光電二極管的側面受到等離子體損傷時，會在p型非晶質半導體層與本征非晶質半導體層的界面產生缺陷，在PIN光電二極管中截止漏電流變高。

本發明的目的在于提供能抑制截止漏電流的攝像面板。

解決上述問題的本發明的攝像面板是基于從經過了被攝體的X射線得到的閃爍光生成圖像的攝像面板，具備：基板，其具有絕緣性；薄膜晶體管，其形成于上述基板上；絕緣膜，其覆蓋上述薄膜晶體管；光電轉換層，其設置于上述絕緣膜之上，將上述閃爍光轉換為電荷；上部電極，其設置于上述光電轉換層之上；以及下部電極，其設置于上述光電轉換層之下，與上述薄膜晶體管連接，上述光電轉換層包括：第1非晶質半導體層，其與上述絕緣膜接觸，具有第1導電類型；本征非晶質半導體層，其與上述第1非晶質半導體層接觸；以及第2非晶質半導體層，其與上述本征非晶質半導體層接觸，具有與上述第1導電類型相反的第2導電類型，具有至少上述第2非晶質半導體層的上端部比上述本征非晶質半導體層的上端部更向上述光電轉換層的外側突出而成的突起部。

根據本發明，能夠提供能抑制截止漏電流的攝像面板。

附圖說明

圖1是表示實施方式的X射線攝像裝置的示意圖。

圖2是表示圖1所示的攝像面板的概略構成的示意圖。

圖3是將圖2所示的攝像面板1的一個像素部分放大后的俯視圖。

圖4A是將圖3所示的像素沿A-A線截斷后的截面圖。

圖4B是將圖4A所示的光電轉換層的端部放大后的截面圖。

圖5A是表示在基板之上形成柵極絕緣膜和TFT，并形成第1絕緣膜的工序的截面圖。

圖5B是表示在圖5A所示的第1絕緣膜中形成接觸孔CH1的工序的截面圖。

圖5C是表示在圖5B的第1絕緣膜之上形成第2絕緣膜的工序的截面圖。

圖5D是表示在圖5C的接觸孔CH1之上形成第2絕緣膜的開口的工序的截面圖。

圖5E是表示在圖5D的第2絕緣膜之上形成金屬膜的工序的截面圖。

圖5F是表示將圖5E所示的金屬膜圖案化而形成經由接觸孔CH1與漏極電極連接的下部電極的工序的截面圖。